技术编号:9590697
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 氧化儀作为本征P型半导体材料,其禁带宽度为3. 6-4.OeV,具有较高功函数,较 好的化学稳定性,优良的光学、电学和磁学性能,是理想的透明导电材料,在透明电极、平板 显示器及太阳电池等领域有广泛的应用前景。 溶液法合成的氧化儀纳米晶体单分散性好、尺寸和形貌可控,通过渗杂可W提高 其导电性能。溶液法合成的氧化儀纳米晶溶解在有机溶剂中,再经简单的旋涂即可获得不 同厚度的氧化儀薄膜。有望在透明导电电极、平板显示器、太阳能电池等领域取得应用。但 是氧化儀纳米晶...
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