技术编号:9620405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。使用所谓的助熔剂法培养GaN结晶时,必须防止在熔液中发生杂乱的成核,使GaN生产率良好地生长。公开有如下内容通过使熔液中的碳含量相对于碱金属助熔剂和金属镓、碳的总和为0.02?5原子%,防止熔液中的成核,促进无极性面的GaN结晶的生长(专利文献1日本专利第4538596号)。现有技术文献专利文献专利文献1日本专利第4538596号专利文献2日本特表2005 - 506271发明内容但是,本发明人发现在尝试通过专利文献1记载的培养方法培养GaN结晶时,得到的...
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