技术编号：9632663
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，采用每个都具有大于Si的带隙的II1-V族化合物的半导体器件已经引起了人们的关注。在它们之中，正在开发采用氮化镓(GaN)的半导体器件，因为氮化镓是一种具有如下优势的材料1)击穿电场大；2)电子饱和速度大；3)热导率大；4)可在AlGaN和GaN之间形成良好的异质结；5)氮化镓无毒且安全性高；等。而且，因为氮化镓的高耐压和高速开关特性，正在开发每个都是采用氮化镓的功率M0SFET (金属绝缘体半导体场效应晶体管)并且可在每个中执行常关操作的半导体器...
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