技术编号：9647687
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 当前通过单一缩减特征尺寸来降低成本的方法已经遇到了瓶颈，特别是当特征尺 寸降至150nm W下时，很多物理参数不能按比例变化，例如娃禁带宽度Eg、费米势、界面 态及氧化层电荷Qox、热电势VtW及pn结自建势等等，送些将影响按比例缩小的器件性能。 近30年来，半导体器件一直按照摩尔定律等比例缩小，半导体集成电路的特征尺寸不断缩 小，集成度不断提高。随着技术节点进入深亚微米领域，例如IOOnm W内，甚至45nm W内， 传统场效应晶体管（FET)，也即平...
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