技术编号：9647704
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路技术的不断发展，对器件的性能也提出了更高的要求。目前，除了高k/金属栅工程的应用外，在45纳米技术节点上还引入了源漏应力工程，来进一步提高载流子的迁移率。源漏应力工程，即源漏沟槽工艺，其主要工艺步骤包括在形成栅极结构110之后，通过光刻将需要进行源漏应变调节的位置暴露出来，可以通过干法刻蚀或湿法腐蚀技术，形成沟槽120，通常晶体硅的衬底中形成的为SigMa形状的硅沟槽120，如图1所示，该硅沟槽形状是由于湿法化学腐蚀对硅(100)和(111)选...
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