技术编号:9647812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。如图1及图2所示是目前的工艺中HV PHDM0S的结构(图2是垂直于沟道的剖面图)。由于器件的工作时的Vg为24V,而场开启电压约在12V,所以当栅压加到工作电压24V时,在多晶硅栅下的场区会被开启,处于导通状态,在栅下面的场区形成额外的电流通路(如图1中箭头所示),使导通电流异常增加。这在Id-Vg曲线上体现为双包(DoubleHump),如图3所示圆圈处所示。双包在窄沟道时尤其明显。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供高压LDM0S器件的结构,减小器...
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