高压ldmos器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种高压LDM0S器件结构。
【背景技术】
[0002]如图1及图2所示是目前的工艺中HV PHDM0S的结构(图2是垂直于沟道的剖面图)。由于器件的工作时的Vg为24V，而场开启电压约在12V，所以当栅压加到工作电压24V时，在多晶硅栅下的场区会被开启，处于导通状态，在栅下面的场区形成额外的电流通路(如图1中箭头所示)，使导通电流异常增加。这在Id-Vg曲线上体现为双包(DoubleHump)，如图3所示圆圈处所示。双包在窄沟道时尤其明显。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供高压LDM0S器件的结构，减小器件额外的导通电流。
[0004]为解决上述问题，本发明提供一种高压LDM0S器件的结构，在俯视角度上有源区包含源区及漏区，所述漏区位于P阱中，多晶硅栅极跨接于源漏之间，多晶硅栅极沿栅长方向排列有多个接触孔；所述的多晶硅栅极在栅宽方向的某一端或两端，场区上接触孔之间的部分开有隔离槽。如接触孔仅在某一侧的话，对应另一端在场区上的多晶硅栅极也要相应开孔。
[0005]所述隔离槽的宽度为1?3 μπι。
[0006]所述的隔离槽或为凸字形。
[0007]所述的隔离槽或为开孔，开孔位于有源区之外，且孔的一边与有源区边缘对齐。
[0008]本发明所述的高压LDM0S器件，将场区上的多晶硅栅极开槽，使槽下方的场区不会被开启，电流通路被阻断，使额外形成的导通电流难以形成闭环流通，降低额外的导通电流强度，消除器件的double hump效应。
【附图说明】
[0009]图1是传统高压LDM0S器件的俯视结构图。
[0010]图2是高压LDM0S器件沟道剖视图。
[0011]图3是高压LDM0S器件的Id-Vg曲线图。
[0012]图4是本发明高压LDM0S器件的俯视结构图。
[0013]图5是本发明高压LDM0S器件第二实施例的俯视结构图。
[0014]图6是本发明高压LDM0S器件第三实施例的俯视结构图。
[0015]附图标记说明
[0016]1是漏区，2是基区，3是P讲，4是多晶娃棚■极，5是有源区，6是接触孔。
【具体实施方式】
[0017]本发明所述的高压LDM0S器件如图4所示，在俯视角度上有源区5包含源区及漏区1，所述漏区1位于P阱2中，多晶硅栅极4跨接于源漏之间，多晶硅栅极4沿栅长方向的两端或一端排列有多个接触孔6;所述的多晶硅栅极在栅宽方向的两端或一端，场区上接触孔之间的部分开有隔离槽，如果多晶硅栅极在栅宽方向仅有一侧有接触孔的话(如图4中所示)，对应另一端在场区上的多晶硅栅极也要相应开孔，所述隔离槽的宽度A为1?3 μ m0
[0018]通过上述的隔离槽，在Vg = 24V时，使得多晶硅栅极下方开口处的场区不会被开启，额外的导通电流通路被阻断，电流也就不能形成，因此器件的导通电流得以稳定，因此消除了器件的double hump的现象。
[0019]基于上述的技术方案，本发明对于开槽的形态可具有多种形式，例如，还可以将开槽形状设为凸字形，如图5所示。开槽的宽度可以根据接触孔的位置自由设定，以最大化地优化场区多晶硅栅极结构，对场区下形成的导通电流形成阻断。
[0020]若接触孔位置较为紧凑，还可以将开槽设计为如图6所述的开孔。开孔位于有源区之外，且孔的一边与有源区边缘对齐。开孔的宽度依据接触孔的位置自由设定。
[0021]通过上述的方法，将场区上的多晶硅栅极开槽，将槽下方的场区不会被开启，也就难以形成电流通路，使额外形成的导通电流难以形成闭环流通，降低额外的导通电流强度，消除器件的double hump效应。
[0022]以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高压LDMOS器件，在俯视角度上有源区包含源区及漏区，所述漏区位于P阱中，多晶硅栅极跨接于源漏之间，多晶硅栅极沿栅长方向排列有多个接触孔；其特征在于:所述的多晶硅栅极在栅宽方向的两端，场区上方，包括接触孔之间的部分开有隔离槽；若栅宽方向只有一侧有接触孔，没有接触孔的一侧也对应开隔离槽。2.如权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征在于:所述隔离槽的宽度为1?3μ m。3.如权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征在于:所述的隔离槽或为凸字形。4.如权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征在于:所述的隔离槽或为开孔，开孔位于有源区之外，且孔的一边与有源区边缘对齐。
【专利摘要】本发明公开了一种高压LDMOS器件，在俯视角度上有源区包含源区及漏区，所述漏区位于P阱中，多晶硅栅极跨接于源漏之间，多晶硅栅极沿栅长方向排列有多个接触孔。所述的多晶硅栅极在栅宽方向的两端，场区上包括接触孔之间的部分开有隔离槽。本发明所述的高压LDMOS器件，将场区上的多晶硅栅极开槽，使槽下方的场区不会被开启，电流通路被阻断，使额外形成的导通电流难以形成闭环流通，降低额外的导通电流强度，消除器件的double？hump效应。
【IPC分类】H01L29/423, H01L29/78
【公开号】CN105405891
【申请号】CN201511026573
【发明人】杨文清
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月31日