技术编号：9658898
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子工业、半导体材料领域，尤其是碳化硅单晶材料，更具体地涉及一种用于碳化硅单晶生长用的高纯碳化硅粉料制备方法。背景技术电力电子是国民经济和国家安全领域的重要支撑技术，随着信息产业的快速发展和微电子技术的进步，新型电子兀器件正在向耐尚压、大容量、尚频率、尚可靠性和尚集成化方向发展，Sic单晶作为第三代宽带隙半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迀移速率、高击穿电场等性质，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、高温电子器件理想的半导体材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。