技术编号：9669204
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在电气设备等中，以得到一定的电压为目的而使用半导体器件(例如，齐纳二极管)。齐纳二极管的击穿电压一般对温度具有依赖性。特别是，在击穿电压高的半导体器件中，温度的变化所引起的击穿电压的变动也大。当击穿电压的温度依赖性大时，导致在低温条件下或高温条件下击穿电压从期望的值偏离大。其结果，使用了齐纳二极管的电气设备有可能不会正常地动作。因此，期待对这种半导体器件的击穿电压的温度依赖性进行补偿的技术。发明内容实施方式提供一种击穿电压的温度依赖性小的半导体器件。根据一...
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