技术编号:9688776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在同步动态随机存取存储器(SynchronousDynamic Random-Access Memory,SDRAM)演进到第四代双倍数据率(DDR4)和第四代低功耗双倍数据率(LPDDR4)之后,由于采用了虚拟开放漏极(Pseudo Open Drain, POD)的架构,存储器控制电路中用来产生数据信号的参考电压已经不再是一个固定值,因此,如何决定出最佳的参考电压以快速读取存储器中的数据是一个重要的课题。发明内容因此,本发明的目的之一在于提供一种,其可...
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