技术编号:96950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是清除附在衬底材料表面的二氧化锡透明导电晶体薄膜的方法。二氧化锡晶体薄膜是一种比较理想的半导体薄膜,它所具有的光学电学等物理特性使之在不少技术领域得到广泛的应用。由于制成二氧化锡膜的工艺成品率不可能百分之百,因而必须清除非成品上的二氧化锡膜,使衬底材料或器皿得以回收使用。对于清除二氧化锡膜的方法,曾有过用强碱或氢氟酸、或二氧化硅腐蚀液的尝试,但都溶解不完全,留有斑块;衬底材料被严重剥蚀或留下腐蚀坑,使衬底材料不能再用。本发明的目的是提供一种在常温常压下,既能迅速、完全溶解二氧化锡膜,又不腐蚀衬底材料的溶解二氧...
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