专利名称:二氧化锡膜溶解法的制作方法
本发明是清除附在衬底材料表面的二氧化锡透明导电晶体薄膜的方法。
二氧化锡晶体薄膜是一种比较理想的半导体薄膜，它所具有的光学电学等物理特性使之在不少技术领域：
得到广泛的应用。由于制成二氧化锡膜的工艺成品率不可能百分之百，因而必须清除非成品上的二氧化锡膜，使衬底材料或器皿得以回收使用。对于清除二氧化锡膜的方法，曾有过用强碱或氢氟酸、或二氧化硅腐蚀液的尝试，但都溶解不完全，留有斑块;衬底材料被严重剥蚀或留下腐蚀坑，使衬底材料不能再用。
本发明的目的是提供一种在常温常压下，既能迅速、完全溶解二氧化锡膜，又不腐蚀衬底材料的溶解二氧化锡膜的方法。
本发明的要点在于在常温常压下配制具有强酸性、还原性和络合性的溶液，将附有二氧化锡膜的衬底材料淹没于其中，适当加热(也可不加热)至大量气泡产生，十五分钟后取出，迅速用纯水冲净。该溶液由浓盐酸、浓氢氟酸和钛丝(或钛粉)组成。浓盐酸和浓氢氟酸的用量按体积比可以为80-95%和20-5%，以95%和5%效果最佳。钛丝(或钛粉)的用量以保证溶解过程中不断产生氢气为准，一般每立方米溶液加入150-200千克。
本发明用于制备SIS太阳电池时，将附有二氧化锡膜的硅片(膜的面积均为480平方厘米)置入2×10-4立方米体积比为95%的浓盐酸和5%的浓氢氟酸溶液中，溶液中加入3×10-2千克钛丝，处理后的硅片无二氧化锡膜，表面平整光滑，晶相显微镜下看不到斑点和腐蚀坑，用该硅片制成的太阳电池和新硅片的性能相同。
本发明操作简便，能迅速完全溶解二氧化锡膜，不腐蚀衬底材料，且成本低。
权利要求
1.一种溶解附在衬底材料表面的二氧化锡晶体薄膜的方法，在常温常压下将附有二氧化锡膜的衬底材料淹没于配制的溶液中处理15分钟后，迅速取出冲净，其特征在于溶液由浓盐酸、浓氢氟酸、钛丝(或钛粉)组成，浓盐酸和浓氢氟酸的用量按体积比为80-95%和20-5%，钛丝(或钛粉)的用量为每立方米溶液150-200千克。
2.按权利要求
1所述的方法，其特征在于浓盐酸和浓氢氟酸的用量按体积比为95%和5%。
专利摘要
一种溶解附在衬底材料表面的二氧化锡晶体薄膜的方法，在常温常压下将附有二氧化锡膜的衬底材料淹没于配制的溶液中处理后，迅速取出用纯水冲净。该溶液由按体积比为80—95％的浓盐酸和20—5％的浓氢氟酸以及按每立方米溶液加入150—200千克的钛丝组成。本发明操作简便，能迅速、完全溶解二氧化锡膜，不腐蚀衬底材料且成本低。
文档编号H01L31/18GK86100187SQ86100187
公开日1987年7月22日 申请日期1986年1月10日
发明者施兆顺 申请人:云南师范大学导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan