技术编号:9709967
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件制造方法,具体地,涉及一种FinFET制造方法。技术背景摩尔定律指出集成电路上可容纳的晶体管数目每隔18个月增加一倍,性能也同时提升一倍。目前,随着集成电路工艺和技术的发展,先后出现了二极管、MOSFET, FinFET等器件,节点尺寸不断减小。然而,2011年以来,硅晶体管已接近了原子等级,达到了物理极限,由于这种物质的自然属性,除了短沟道效应以外,器件的量子效应也对器件的性能产生了很大的影响,硅晶体管的运行速度和性能难有突破性发...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。