技术编号：9752542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在多层堆叠晶圆级封装中，往往都需要对各层晶圆(wafer)进行背部研磨减薄处理，最终进行晶粒(die)切割。而在对多层晶圆减薄的过程中很容易造成边缘崩裂(edgechipping)。在对多层晶圆进行晶粒切割的时候，还需要分多步进行。如图2所示，为现有的多层堆叠晶圆级封装的工艺流程图，从图可以看出，目前的工艺流程是步骤一、对CMOS晶圆和MEMS晶圆进行熔融键合；步骤二、对MEMS晶圆进行修边处理；步骤三、对MEMS晶圆进行背部研磨；步骤四、对MEMS晶圆执...
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