技术编号:9769256
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明电阻式存储器的低功率写和读操作的装置背景技术 具有非易失性的片上嵌入式存储器可W实现能量和计算效率。若干新型固态高密 度非易失性存储器使用具有可变电阻的存储器元件来存储信息。自旋转移力矩-磁性随机 存取存储器(STT-MRAM)的电阻取决于两个磁性层的相对磁化极性。其他可变电阻存储器包 括电阻式RAM(ReRAM)和传导桥接RAM(CbRAM),其的电阻取决于传导路径通过电介质或电解 质的形成和消除。还存在相变存储器(PCM),对于其单元的电阻率取...
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