技术编号:9794174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在当前的半导体装置中,已知如下构造,S卩,用于形成沟道的阱区域、源极区域以及漏极区域从漂移区域表面在与该表面垂直的方向上形成于漂移区域内(例如,参照专利文献I)。在专利文献I的半导体装置中,沟槽状的栅极电极也从漂移区域表面开始,在与该表面垂直的方向上形成于漂移区域内。这种半导体装置为与半导体衬底表面平行的横向型构造,由栅极电极直接控制的主电流的方向相对于半导体衬底表面平行,主电流从半导体衬底表面开始,在与该表面垂直的方向上分布。因此,不会受到半导体衬底的表...
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