技术编号:9827252
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此描述的发明构思涉及半导体器件和制造半导体器件的方法,更具体地,涉及包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的半导体器件以及制造这样的半导体器件的方法。背景技术响应于近来在移动装置诸如手机、笔记本、PC等的使用方面的增长,对功率半导体器件的需求迅速增长。功率半导体器件可以被分成功率开关器件和控制集成电路(1C)。在功率半导体器件中使用的理想功率开关器件应具有在被关断时能持久的高击穿电压、大容许电流、小导通电阻、少量的开关驱动功率和在导通时短的切换...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。