技术编号:9845068
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在类似闪存或ReRAM(电阻式RAM)的非易失性存储器的写入中,对于数据写入之后的数据是否已经适当写入进行确认,且在数据没有适当写入时执行用于执行各个额外写入操作的检验操作。对于额外写入操作来说,通常,在希望写入O时执行写入O的操作,且在希望写入I时执行写入I的操作。例如,已经在专利文献I和专利文献2的每一个中描述了一种方法,其中在使用可变电阻元件的双极型ReRAM中,比通常电压低的低压的O取向脉冲首先在I未能被写入时施加,且随后施加I取向脉冲(例如图11...
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