技术编号:9868184
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子,具体地,涉及一种反应腔室。背景技术常压化学气相沉积(AtmosphericPressure Chemical Vapor Deposit1n,APCVD)是指在大气压下进行的一种化学气相沉积的方法。APCVD设备主要由以下子系统组成(I)反应室子系统;(2)气体输运子系统;(3)尾气处理子系统。其中,反应室子系统是APCVD设备的核心组件,其设计方案对于外延层质量和设备产率具有决定性的影响。例如,在反应室子系统内,通常设置有用于承载被加工...
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