技术编号:9868280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中,静电放电(ESD)现象是对集成电路的一大威胁。随着半导体制程工艺尺寸的不断减小,ESD防护设计在纳米级的CMOS技术中变得越来越具有挑战性和难度。在现有技术中,SCR(可控硅整流器)器件是一种被广泛应用且比较有效的ESD防护器件。其中,图1为现有的一种SCR器件的剖视图和等效电路图。如图1所示,现有的SCR器件包括P型衬底100以及位于P型衬底100内的N阱101、N+扩散区104和P+扩散区105,还包括位于N阱101内的P+扩散区102和N...
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