技术编号：9930390
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体光刻工艺特征尺寸的不断缩小，现有的曝光设备已经很难通过减小掩膜版上的图形尺寸，来进一步缩小图形的最小线宽和间距。为进一步缩小图形的最小线宽和间距，现有技术发展了自对准型双重曝光(Self-Aligned Double Patterning，SADP)技术。图1至图3示出了一种常见的自对准型双重曝光工艺在的部分过程在衬底01上以光刻的方法定义牺牲图形02，在衬底01和牺牲图形02顶部和侧壁上沉积薄膜03，对薄膜03进行刻蚀，去除衬底01上以及牺牲图...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。