专利名称：一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法
技术领域：
本发明涉及杀菌消毒领域，特别涉及一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法。
背景技术：
消毒领域中引入氧化还原电位的概念是源于日本20世纪80年代研制生产的酸性氧化电位水生成机及由生成机产生的酸性氧化电位水。酸性氧化电位水(简称:E0W)是指具有高氧化还原电位(ORP)、低pH值特性和低浓度有效氯(ACC)的水。酸性氧化电位水杀菌的机理如下:首先，自然界中大多数种类的微生物生活在pH 4-9的环境中，而酸性氧化电位水的PH值可影响微生物生物膜上的电荷以及养料的吸收、酶的活性，并改变环境中养料的可给性或有害物质的毒性，从而快速杀灭微生物。其次，由于氢离子、钾离子、钠离子等在微生物生物膜内外的分布不同，使得膜内、外电位达到动态平衡时有一定的电位差，一般约为-700 +900mV。需氧细菌的生物膜内外的电位差一般为+200 +800mV,而厌氧细菌的生物膜内外的电位差一般为-700 +200mV。酸性氧化电位水中的氧化、还原物质和pH等因素，使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范围。具有高ORP (即0RP>1100 mV)的EOW接触微生物后迅速夺取电子，干扰生物膜平衡，改变生物膜内外电位差、膜内外的渗透压，导致生物膜通透性增强、细胞肿胀及生物代谢酶的破坏，使膜内物质溢出、溶解，从而快速杀灭微生物。最后，有效氯能使细胞的通透性发生改变，或使生物膜发生机械性破裂，促使膜内物质向外渗出，致使微生物死 亡。并且，次氯酸为中性小分子物质，易侵入细胞内与蛋白质发生氧化作用或破坏其磷酸脱氢酶，使糖代谢失调致使微生物死亡，从而快速杀灭微生物。EOW系统的杀菌能力是以ACC为主导，低pH值及高ORP为重要促进的三者协同作用的结果。该系统协同效果远高于单一的ACC、低pH值及高ORP作用的简单加和，其ACC越高、PH值越低、ORP越高，系统综合灭菌效果就越好。但是，现有的酸性氧化电位杀菌水具有普遍的金属腐蚀性。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，以解决现有技术中的酸性氧化电位杀菌水具有普遍的金属腐蚀性的技术性问题。本发明的第二目的在于提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，以解决现有技术中的酸性氧化电位杀菌水具有普遍的金属腐蚀性的技术性问题。本发明目的通过以下技术方案实现:一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤:(I)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；(2)提供pH值调节单元；
(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。优选地，所述强氧化性溶液的pH值在5-7间，其氧化还原电位为600_1200mV，其有效氯含量为3_2000mg/L,其氯代乙酸根尚子的总含量为10 1C1-10 2mol/L。优选地，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。优选地，在步骤(I)中还包括:对所述有效氯提供单元进行降低氯代乙酸根离子的总含量的预处理。优选地，在步骤(2)中还包括:对所述pH值调节单元进行降低氯代乙酸根离子的总含量的预处理。优选地，在步骤(3)中还包括:对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低氯代乙酸根离子的总含量的后处理。
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优选地，所述降低氯代乙酸根离子的总含量的处理方法可选自加入氯代乙酸根离子失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种。一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元；所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂，所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L0优选地，所述强氧化性溶液的pH值在5-7间，其氧化还原电位为600_1200mV，其有效氯含量为3_2000mg/L,其氯代乙酸根尚子的总含量为10 1C1-10 2mol/L。优选地，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，所述杀菌水的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。优选地，所述杀菌水的pH值在5-7间，其氧化还原电位为600_1200mV，其有效氯含量为3-2000mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量为10_1(l-10_2mOl/L。优选地，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。与现有的酸性氧化电位杀菌水相比，本发明有以下优点:1、本发明的氧化电位杀菌水的制备方法制备的杀菌水可降低对金属的腐蚀性，从而扩大了应用范围；2、在使用前，本发明的氧化电位杀菌水的pH值调节单元和有效氯提供单元单独存放，当要使用时，再将PH值调节单元和有效氯提供单元混合，解决了氧化电位杀菌水的储藏问题，使用非常方便；3、在制备本发明的氧化电位杀菌水的过程中，增强了人为可调节性，可根据实际需求调节杀菌水的PH值、ACC含量及ORP值。
图1、图2为pH=2、8的氧化性环境中，有效氯与氯代乙酸根离子对铜的腐蚀效果的示意图；图3、图4为pH=2_8的氧化性环境中，pH与氯代乙酸根离子对铜的腐蚀效果的示意图；图5、图6为pH=2的氧化性环境中，pH/ACC/氯代乙酸根离子对铜的腐蚀效果的
示意图(其中，Xl-表示一氯乙酸根离子；X2-表示二氯乙酸根离子；X3-表示三氯乙酸根离子)；图7、图8为pH=8的氧化性环境中，pH/ACC/氯代乙酸根离子对铜的腐蚀效果的示意图(其中，Xl-表示一氯乙酸根离子；X2-表示二氯乙酸根离子；X3-表示三氯乙酸根离子)。
具体实施例方式以下对本发明进行详细描述。目前已知，有效氯具有三种基本的存在形式，包括氯气、次氯酸分子和次氯酸根离子，其中氯气及次氯酸分子在溶液中的杀菌性能远远大于次氯酸根离子。因为次氯酸根离子需要缓慢水解，转变为次氯酸分子形态后，才具有杀菌性能，所以控制有效氯溶液的PH值，使有效氯以次氯酸分子及氯气的形式存在，即可保证杀菌性能。次氯酸的酸性电离常数大约为pKa=7.6，因此有效氯溶液的口11值< pKa(7.6)时，溶液的有效氯中分子型有效氯的比例大于离子型有效氯。有效氯溶液的pH值< 8.0时，可以发挥足够量(> 30%)分子型有效氯的活`性。有效氯溶液的pH值> 9.0时，分子型有效氯的比例不足4%。目前，酸性氧化电位杀菌水对金属的腐蚀性已经展开了初步研究，已公布的结果显示酸性氧化电位水具有普遍的金属腐蚀性。但是对其腐蚀性的机理的研究并没有进行，其腐蚀性通常被认为是过酸酸性(PH2-3)引起的，甚至认为近中性氧化电位水可以避免金属腐蚀性。已公布的结果显示酸性氧化电位水，对不锈钢基本无腐蚀至轻度腐蚀，对碳钢、铜、铝中度至严重腐蚀，其结论的差异很大。氧化电位水对金属腐蚀的普遍性是由于氧化性及氢离子的综合效应弓丨起，金属在氧化电位水(pH/ACC)中具有形成氧化物的趋势，氧化物在氢离子作用下具有转化为水溶性离子的趋势，从而完成由金属单质到水溶性金属离子的转变，宏观表现为金属普遍被腐蚀。氧化物的形成具有双向作用，可以转变为水溶性离子，造成腐蚀，同时形成保护层，阻止腐蚀因子与金属内部的接触，从而阻止进一步腐蚀；游离氢离子的浓度影响了有效氯的氧化性，同时影响了氧化层的溶解速度。氧化层的生成与溶解形成动态的平衡，宏观表现为金属以一定速率被腐蚀。而pH与氧化性是氧化电位水的理化特质，也是杀菌性能的决定因素，因此，一定意义上，杀菌性能与金属腐蚀性是共存的矛盾体。溶液中含有侵蚀性阴离子时，在扩散或电场或氧化作用下阴离子吸附在氧化层(钝化膜)表面或者通过氧化层中的小孔或缺陷进入其中，改变了氧化层的结构，破坏了氧化层的生成与溶解的动态平衡，加速氧化层的溶解，使金属内部发生进一步腐蚀。宏观表现为侵蚀性阴离子的存在使金属的腐蚀加剧。侵蚀性阴离子的半径越小，穿透保护膜的活性越强。与电解法相比，化学法制备氧化电位溶液，通过计算即可控制溶液中的组分含量，其PH值调节单元、有效氯提供单元的物质来源范围更广泛。但是也造成了溶液中引入的杂质的来源更为复杂。在本发明中重点讨论氯代乙酸根离子(X_)在pH=2_8间氧化性环境中对金属的腐蚀性。因为铜与单纯的氢离子不反应，所以以铜作为研究对象，可以更有效的体现pH/ACC/
的综合腐蚀效果。氧化电位杀菌体系中，氯代乙酸根离子的引入主要有四种途径，其一，原料采用本身含有或者产生Γ的物质，如一 氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸及其相应的盐等；其二，原料采用X的前体物质，所述Γ的前体物质是指在PH2-8的氧化电位杀菌水中可以转变为τ的物质，如乙酸与氯气的自由基反应；其三，所使用原料中夹带含Χ_或其前体物质的杂质；其四，含Γ或者其前体物质的其他作用的组份，如增稠剂、稳定剂、强化剂、干燥剂等。以下以[Χ 表示氯代乙酸根离子的总物质含量。请参阅图1、图2，图中显示:ρΗ=2、8氧化性(含ACC)的体系中，X-与有效氯协同作用，影响了体系对金属的腐蚀性，使体系对金属的腐蚀产生突跃。即ρΗ=2.0或8.0的体系中，不同浓度的有效氯(彡3ppm)与DT]O 1.5M)协同，均会产生金属腐蚀性的突跃。同时可知，有效氯降低，使体系的金属腐蚀性降低，而且降低了突跃的显著性。请参阅图3、图4，图中显示:pH=2_8氧化性(含ACC)的体系中，X_与氢离子协同作用，影响了体系对金属的腐蚀性，使体系对金属的腐蚀性产生突跃。即，含有效氯的体系(彡3ppm)，pH在2-8间，[X_] > 1.5M时，均会产生对金属的腐蚀性的突跃。同时可知，酸性的降低，使体系的金属腐蚀性降低，而且降低了突跃的显著性。比较图1-图4可知，控制[X_] ( 1.5M，可以控制或者降低氧化电位杀菌水的金属腐蚀性。请参阅图5-图8，图中显示:pH=2-8的氧化性(含ACC)的体系中，有效氯(彡3ppm)与不同氯代程度的氯代乙酸根离子协同作用，对金属的腐蚀活性产生相似的特性。X_浓度的增大，使体系对金属腐蚀性产生突跃。其腐蚀活性从大至小的顺序为一氯乙酸根离子>二氯乙酸根离子>三氯乙酸根离子。其中，一氯乙酸根离子反应活性最强，其产生腐蚀突跃的浓度最低(1.5M)。其它氯代乙酸根离子，随着离子活性降低，腐蚀活性降低或者突跃所需的浓度增大(> 1.5M)。请参阅图5-图8，图中显示:pH=2-8的氧化性(含ACC)的体系中，有效氯(彡3ppm)与不同比例组成的氯代乙酸根离子协同作用，对金属产生相似的腐蚀特性。不同组成的氯代乙酸根离子具有不同的腐蚀活性。其中，一氯乙酸根离子反应活性最强，因此完全由一氯乙酸根离子组成的氯代乙酸根离子的腐蚀性突跃的浓度最低(1.5M)。相同含量下，其腐蚀性大于含有二氯乙酸根离子或三氯乙酸根离子的总氯代乙酸根离子。比较图5-图8可知，控制不同种类、比例组成的氯代乙酸根离子的总含量彡1.5M，可以控制或降低氧化电位杀菌水的金属腐蚀性。由上可知，含氯代乙酸根离子的氧化电位杀菌水，氯代乙酸根离子与氢离子及有效氯相互作用，极大地影响了体系对金属的腐蚀性。因此，本发明提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤:(I)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；(2)提供pH值调节单元；(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。其中，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。本发明还提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元；所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制齐 ，所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的PH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。其中，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。pH值调节单元为酸性或弱碱性的固体或液体，其中液体的pH值优选为0-8间，又优选为1-8间，再优选为1-7间， 还优选为1-5间，最优选为1-3间。pH值调节单元包含酸性物质、碱性物质或酸性物质与碱性物质的组合。其中酸性物质可选自无机酸、有机酸、强酸弱碱盐、弱酸弱碱盐或酸性物质的前体中的一种或者几种。无机酸可选自盐酸、氢溴酸、氢碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、碘酸、高碘酸、高锰酸、氢硼酸、氢砹酸、氢碲酸、氢叠碘酸、氟硅酸、氯铅酸、锇酸、硒酸、高铁酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、偏磷酸、硫酸氢钠、亚硫酸或亚硝酸。有机酸可选自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、苹果酸、枸椽酸、苯甲酸、水杨酸或咖啡酸。常见的强酸弱碱盐通常为过渡金属的强酸盐或者胺类物质的强酸盐，如氯化铝、氯化铁、硫酸铝、硫酸铁、硝酸铜或氯化铵。常见的呈酸性的弱酸弱碱盐，如甲酸铵、醋酸锌、醋酸铜。酸性物质的前体是指在溶液中能够转化为酸性物质的物质，如酸的酰氯衍生物，如琥珀酰氯。其中碱性物质可选自无机碱、有机碱、强碱弱酸盐或弱酸弱碱盐中的一种或者几种。无机碱可选自碱金属的氢氧化物，如氢氧化钠、氢氧化钾等，也可选自碱土金属的氢氧化物，如氢氧化钙、氢氧化钡、氢氧化镁等，也可选自过渡金属的氢氧化物，如氢氧化锌、氢氧化铁等。有机碱可选自含氮物质，如氨水、二乙醇胺、三乙胺、天然生物碱等。常见的强碱弱酸盐，如碳酸钠、丁二酸钠、磷酸三钠、柠檬酸钠等。常见的呈碱性的弱酸弱碱盐，如碳酸氢铵、亚硫酸铵、磷酸三铵。其中酸性物质与碱性物质的组合可选自弱酸弱碱盐如柠檬酸铵、强酸弱碱盐与强碱弱酸盐的组合、弱酸与其共轭碱的组合。有效氯提供单元可含有液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质中的一种或几种。次氯酸盐可选自次氯酸钠、次氯酸钙、漂白粉、漂白粉精、次氯酸镁的一种或几种。次氯酸盐的复盐，如氯化磷酸三钠(Na3P04*l/4Na0Cl.12Η20)。亚氯酸盐可选自亚氯酸钠、亚氯酸钙。有效氯前体物质是指与酸或水反应可以生成活化态有效氯的含氯物质，且其在有效氯提供单元中的稳定性高于在PH值调节单元、有效氯提供单元的混合液中，有效氯前体物质可选自二氯异氰尿酸钠、二氯异氰尿酸、三氯异氰尿酸、氯胺T、氯酸盐、高氯酸盐的一种或几种。有效氯提供单元含有稳定形态的有效氯。稳定形态的有效氯是指在有效氯提供单元中具有更好稳定性，与酸或水反应可以生成活化态有效氯的含氯物质。有效氯提供单元中有效氯含量应保证pH值调节单元与有效氯提供单元混合液中的有效氯含量不低于3mg/L。所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合液中有效氯含量不低于3mg/L，其中优选为3-15000mg/L，再优选为3-10000mg/L，更优选为3_5000mg/L，最优选为3_2000mg/L。有效氯提供单元为中性或碱性的固体或液体，其中液体的pH优选为不低于8，再优选为不低于9，还优选为不低于10，又优选为不低于11，更优选为不低于12，最优选为不低于13。有效氯提供单元的pH值可以通过强碱、中强碱、弱碱或者强碱弱酸盐的一种或者几种控制。有效氯提供单元所含碱性物质可选自碱金属的氢氧化物，如氢氧化钠、氢氧化钾等，也可选自碱土金属的氢氧化物，如氢氧化钙、氢氧化钡、氢氧化镁等，也可选自过渡金属的氢氧化物，如氢氧化锌、氢氧化铁等，也可选自含氮物质，如氨水、二乙醇胺、三乙胺等，也可选自强碱弱酸盐，如碳酸钠、乙酸钠、磷酸三钠、柠檬酸钠等。pH值调节单元与有效氯提供单元混合液的pH值为2-8间，其中优选为3_8间，再优选为4-8间，最优选为5.0-7.0间。pH值调节单元与有效氯提供单元混合液的氧化还原电位值不低于600mV，其中优选为 600-1500mV，再优选为 600_1400mV，又优选为 600_1300mV，最优选为 600_1200mV。pH值调节单元与有效氯提供单元的混合液中氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。其中优选为不高于lmol/L,又优选为不高于0.5mol/L,再优选为不高于0.1mol/L,最优选为 l0-10-l0-2mol/L。控制氯代乙酸根离子含量的方法，其一，通过调整pH值调节单元、有效氯提供单元的体积及内在组分控制PH值调节单元、有效氯提供单元混合液中的物质含量；其二，通过PH值调节单元或(及)有效氯提供单元的预处理，去除部分X_ ;其三，通过pH值调节单元、有效氯提供单元混合液的后处理，去除部分X_。所述去除τ的方法可以选择如下方法的一种或者几种，以去除或者屏蔽部分F。可以加入离子失活剂；也可以利用膜分离法，如反渗透膜、离子选择膜、过滤、超滤、纳滤；也可以利用电化学法，如电渗析法、电解法；也可以利用层析法、吸附法或离子交换法。所述电渗析法是指在电场作用下进行渗析，利用溶液中的带电的溶质粒子(如离子)的差异性通过膜而使特定物质含量富集或降低的方法。含有效氯的溶液在通过上述方法去除部分Χ_时，通常有效氯会有一定的损失，其含量需要重新测定。为了减少有效氯的损失，可以选择快速处理方式；也可以选择低温条件下处理；也可以将离子型有效氯转为分子型有效氯(酸性)，使之与离子型物质(X—)区分；也可以将X-离子转为非水溶性衍生物，使之与离子型有效成分(如，C10-)区分。去除目的性杂质(Χ-)后，再恢复至有效氯的稳定形态或活化形态。同样，杀菌水的后处理会损失部分有效氯，但是只要适当增加有效氯的量并控制损失率，保证处理过的杀菌水在ΡΗ2-8，ORP≥600mV,ACC≥3mg/L的范围内，均可以产生足够的杀菌效果。本发明还提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，所述杀菌水的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。杀菌水的pH值为2-8间，其中优选为3-8间，再优选为4_8间，最优选为5.0-7.0间。其pH值的控制，可以单独由酸性物质、碱性物质控制或者由酸性物质与碱性物质共同控制，使低腐蚀性的氧化电位杀菌水含有无机酸、有机酸、无机碱、有机碱、强酸弱碱盐、强碱弱酸盐、弱酸弱碱盐或强酸强碱盐的一种或者几种。所述酸性物质可选自无机酸、有机酸、强酸弱碱盐、弱酸弱碱盐或酸性物质的前体的一种或者几种。无机酸可选自盐酸、氢溴酸、氢碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、碘酸、高碘酸、高锰酸、氢硼酸、氢砹酸、氢碲酸、氢叠碘酸、氟硅酸、氯铅酸、锇酸、硒酸、高铁酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、偏磷酸、硫酸氢钠、亚硫酸或亚硝酸。有机酸可选自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、苹果酸、枸椽酸、苯甲酸、水杨酸或咖啡酸。常见的强酸弱碱盐通常为过渡金属的强酸盐或者胺类物质的强酸盐，如氯化铝、氯化铁、硫酸铝、硫酸铁、硝酸铜或氯化铵。常见的呈酸性的弱酸弱碱盐，如甲酸铵、醋酸锌、醋酸铜。酸性物质的前体是指在溶液中能够转化为酸性物质的物质，如酸的酰氯衍生物，如琥珀酰氯。所述碱性物质可以是强碱、中强碱、弱碱、强碱弱酸盐或者弱酸弱碱盐的一种或者几种。所述碱性物质可选自碱金属的氢氧化物，如氢氧化钠、氢氧化钾等，也可选自碱土金属的氢氧化物，如氢氧化钙、氢氧化钡、氢氧化镁等，也可选自过渡金属的氢氧化物，如氢氧化锌、氢氧化铁等，也可选自含 氮物质，如氨水、二乙醇胺、三乙胺、天然生物碱等，也可选自强碱弱酸盐，如碳酸钠、乙酸钠、磷酸三钠、柠檬酸钠等，也可选自呈碱性的弱酸弱碱盐，如碳酸氢铵、亚硫酸铵、磷酸三铵。所含有效氯可由液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质的一种或几种生成。次氯酸盐可选自次氯酸钠、次氯酸钙、漂白粉、漂白粉精、次氯酸镁的一种或几种。次氯酸盐的复盐可选自氯化磷酸三钠(Na3PO4.l/4NaOCl.12H20)。亚氯酸盐可选自亚氯酸钠、亚氯酸钙。有效氯前体物质是指与酸或水反应可以生成活化态有效氯的含氯物质，有效氯前体物质可选自二氯异氰尿酸钠、二氯异氰尿酸、三氯异氰尿酸、氯胺T、氯酸盐、高氯酸盐的一种或几种。杀菌水的有效氯含量不低于3mg/L，其中优选为3-15000mg/L，再优选为3-10000mg/L，更优选为 3_5000mg/L，最优选为 3_2000mg/L。杀菌水的氧化还原电位值不低于600mV，其中优选为600_1500mV，再优选为600-1400mV，又优选为 600_1300mV，最优选为 600_1200mV。杀菌水的氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L，其中优选为不高于lmol/L，又优选为不高于0.5mol/L,再优选为不高于0.lmol/L,最优选为10_1Q-10_2mol/L。以下结合实施例详细说明本发明，[X_]代表氯代乙酸根离子的总含量，[ΧΓ]代表一氯乙酸根离子的含量，[X2_]代表二氯乙酸根离子的含量，[X3_]代表三氯乙酸根离子的含量。实施例1:配置IOL氧化电位杀菌水制备不同的pH值调节单元，A1-A7单元:配置一氯乙酸溶液(0.814M)，氢氧化钠调至pH=2.0，量取10L，灌装，制得Al单元(ρΗ2.0)；配置一氯乙酸溶液(0.857Μ)，氢氧化钠调至ρΗ=3.0，量取10L，灌装，制得Α2单元(ρΗ3.0)；配置一氯乙酸溶液(1.071Μ)，氢氧化钠调至ρΗ=4.0，量取10L，灌装，制得A3单元(ρΗ4.0)；配置一氯乙酸溶液(1.511Μ)，氢氧化钠调至ρΗ=5.0,量取10L，灌装，制得Α4单元(ρΗ5.0)；配置一氯乙酸溶液(0.05Μ)，氢氧化钠调至ρΗ=6.0，量取10L，灌装，制得Α5单元(ρΗ6.0)；配置一氯乙酸溶液(0.01Μ),氢氧化钠调至ρΗ=7.0,量取10L，灌装，制得Α6单元(ρΗ7.0)；配置乙酸溶液(0.5Μ),氢氧化钠调至ρΗ=8.0,量取10L，灌装，制得Α7单元(ρΗ8.0)。制备不同的有效氯提供单元，Β1-Β7单元:
二氯异氰尿酸 钠，称量600g，分装，制得BI单元(含有效氯150g)；次氯酸钙，称量500g，分装，制得B2单元(含有效氯IOOg)；亚氯酸钙，称量250g，分装，制得B3单元(含有效氯50g)；氯胺T，称量80g，分装，制得B4单元(含有效氯20g)；三氯异氰尿酸，称量25g，分装，制得B5单元(含有效氯IOg)；二氯异氰尿酸，称量4g，分装，制得B6单元(含有效氯Ig)；氯化磷酸三钠，称量0.3g，分装，制得B7单元(含有效氯30mg)。使用时，将pH值调节单元与有效氯提供单元混合，使有效氯提供单元溶解，制得如下IOL氧化电位杀菌水:
权利要求
1.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元； (2)提供pH值调节单元； (3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。
2.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在5-7间，其氧化还原电位为600-1200mV，其有效氯含量为3_2000mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量为lOJ-K^mol/L。
3.如权利要求1或2所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。
4.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中还包括:对所述有效氯提供单元进行降低氯代乙酸根离子的总含量的预处理。
5.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中还包括:对所述pH值调节单元进行降低氯代乙酸根离子的总含量的预处理。
6.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中还包括:对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低氯代乙酸根离子的总含量的后处理。
7.如权利要求4或5或6所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述降低氯代乙酸根离子的总含量的处理方法可选自加入氯代乙酸根离子失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种。
8.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元；所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂，所述PH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。
9.如权利要求8所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述强氧化性溶液的PH值在5-7间，其氧化还原电位为600-1200mV，其有效氯含量为3_2000mg/L，其氯代乙酸根尚子的总含量为10 1C1-10 2mol/Lo
10.如权利要求8或9所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。
11.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述杀菌水的PH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。
12.如权利要求11所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述杀菌水的pH值在5-7间，其氧化还原电位为600-1200mV，其有效氯含量为3_2000mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量为10_lcl-10_2mol/L。
13.如权利要求11或12所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述氯代乙酸根离子为一氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子的其中一种或几种。
全文摘要
本发明涉及杀菌消毒领域，特别涉及一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法。本发明的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤(1)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；(2)提供pH值调节单元；(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根离子的总含量不高于1.5mol/L。与现有的酸性氧化电位杀菌水相比，本发明的氧化电位杀菌水的制备方法制备的杀菌水可降低对金属的腐蚀性，从而扩大了应用范围。
文档编号A01N59/00GK103141510SQ20131011218
公开日2013年6月12日 申请日期2013年4月2日 优先权日2013年4月2日
发明者邵鹏飞 申请人:邵鹏飞