本发明涉及种植技术领域，更具体的说是涉及一种应用太赫兹技术种植芍药科花品的方法。
背景技术：
牡丹是芍药科、芍药属植物，为多年生落叶小灌木，素有“花中之王”的美誉。性喜温暖、凉爽、干燥、阳光充足的环境。喜阳光，也耐半阴，耐寒，耐干旱，耐弱碱，忌积水，怕热，怕烈日直射。适宜在疏松、深厚、肥沃、地势高燥、排水良好的中性沙壤土中生长。酸性或黏重土壤中生长不良。充足的阳光对其生长较为有利，但不耐夏季烈日暴晒，温度在25℃以上则会使植株呈休眠状态。开花适温为17-20℃，但花前必须经过1-10℃的低温处理2-3个月才可。
芍药为毛茛科、毛茛目、芍药属(为毛茛科、毛茛目、芍药属改为芍药科、芍药属)的多年生草本花卉，是中国传统名花，与花中之王牡丹齐名，性耐寒、夏季喜凉爽环境，在烈日下易焦叶，应注意遮阴，宜置于半阴半阳处。芍药花期较短，一般为8-10天，天气凉爽或置于遮阴处，花期可延续半个月。传统的遮阴方法为搭设遮阴网，需要年年搭设，消耗大量人力物力，而且若在花期对植物园、公园等处起绿化美化效果的芍药搭设遮阴网，则会大大影响观赏效果。
因此，如何提供一种抗病性强、花期长、化肥使用量少特点的应用太赫兹技术种植芍药科花品的方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供了一种抗病性强、花期长、化肥使用量少特点的应用太赫兹技术种植芍药科花品的方法。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种应用太赫兹技术种植芍药科花品的方法，其特征在于，具体操作步骤包括：挑选种植地点；选取优良的芍药科花种；利用太赫兹波照射芍药。
优选的，在上述一种应用太赫兹技术种植芍药科花品的方法中，所述太赫兹波又被称为“生命光线”，是指波长在3μm到1000μ们之间，介于微波与红外线之间的电磁波。
经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明通过太赫兹技术，可以缩短芍药科花品幼年期；不使用农药的前提下，增强植物抗病性，达到无病虫害发生的目的；活化化肥的物性，减少化肥的使用量；增加植物本身的物性，可以延长芍药科花品鲜切花盛开时间的特点。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种抗病性强、花期长、化肥使用量少特点的应用太赫兹技术种植芍药科花品的方法。
请参阅本发明公开的一种应用太赫兹技术种植芍药科花品的方法，具体包括：
挑选种植地点；选取优良的芍药科花种；利用太赫兹波照射芍药。
本发明通过太赫兹技术，可以缩短芍药科花品幼年期；不使用农药的前提下，增强植物抗病性，达到无病虫害发生的目的；活化化肥的物性，减少化肥的使用量；增加植物本身的物性，可以延长芍药科花品鲜切花盛开时间的特点。
为了进一步优化上述技术方案，太赫兹波又被称为“生命光线”，是指波长在3μm到1000μ们之间，介于微波与红外线之间的电磁波。
为了进一步优化上述技术方案，太赫兹技术被美国评为“改变未来世界的十大技术”之一，被日本列为“国家支柱十大重点战略目标”之首。太赫兹泛指频率在0.1～10太赫兹波段内的电磁波，处于宏观经典理论向微观量子理论、电子学向光子学的过渡区域；频率上它要高于微波，低于红外线；能量大小则在电子和光子之间；由于此交叉过渡区，既不完全适合用光学理论来处理，也不完全适合用微波的理论来研究；所以，上世纪九十年代以前，一度被人“遗忘”，也因此被称为“太赫兹空白”。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。