一种抗瘟病胡椒种苗的繁育方法与流程

本发明涉及农业技术领域，具体涉及一种抗瘟病胡椒种苗的繁育方法。

背景技术：

胡椒(Piper nigrum)为胡椒科(Piperaceae)胡椒属(Piper)多年生木质藤本植物，其果实具有辛辣香气，素有“香料之王”的美誉，是世界最重要的香辛料作物，又具有药用价值和工业利用价值。目前，胡椒已遍及东南亚、非洲、拉丁美洲的近20个国家地区，收获面积5.53×10⁵hm²，总产量4.33×10⁵t，其中我国胡椒主要分布在海南、云南、广东和广西等省区，年产量3.6×10⁴t，居世界第五位。作为一种深受大众喜爱的调味品和具有广泛用途的热带农产品，胡椒长期以来存在需求旺盛与供应不足问题，随着人们生活水平提高和饮食结构不断变化，我国对胡椒的需求量还将持续增加，产业发展前景广阔。

胡椒栽培品种易感胡椒瘟病，是生产中的第一大病害，限制了产业的良性发展。胡椒瘟病由辣椒疫霉菌(Phytophthora capsici Leon)引起，属于一种气候依赖、传染力很强的土传性病害，生产上仍采取预防为主、综合防治为辅的措施，主要依赖于化学杀毒剂，大大增加了种植生产成本，且易造成环境污染。胡椒品种选育历史悠久，但由于栽培种缺少抗瘟病基因，而野生近缘种抗病基因的挖掘利用受到生物学特性及技术水平限制，因此国际尚未培育出有效的抗病新品种。

目前，我国胡椒主栽品种为热引1号(P.nigrum c.v.Reyin-1，俗称印尼大叶种)，种植覆盖面积超过90％，属于易感瘟病品种，需投入大量成本用于瘟病防控。因此，胡椒抗瘟病种苗培育已成为当前亟待解决的产业关键问题。采用种间嫁接方法培育种苗，能有效提高嫁接种苗的抗病性。目前，国内外报道中采用的嫁接方法通常选用砧木为南美树胡椒(Piper colubrinum)、蒌叶(Piper betle)等，以劈接法进行嫁接育苗，但是所培育的胡椒种苗无法获得抗瘟病能力，且嫁接成活率不高。如专利CN103283495A，其公开了一种胡椒与胡椒属野生种蒌叶以劈接法嫁接的技术方案，使所嫁接的胡椒种苗提高抗性，但是并未获得抵抗瘟病的能力，同时其嫁接成活率最高达才到80％。目前还未有一种适合于胡椒抗瘟病种苗的繁育方法。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种胡椒种苗的繁育方法，使得所述繁育方法的嫁接成活率的得到显著提高。

本发明的另外一个目的在于提供一种抗瘟病胡椒种苗的繁育方法，使得获得的胡椒种苗具备抗瘟病能力。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种抗瘟病胡椒种苗的繁育方法，包括：

步骤1、制备待嫁接胡椒的接穗；

步骤2、将所述接穗与砧木以斜腹接的方式嫁接；

步骤3、嫁接后对嫁接苗进行管理，待接穗长出新芽后剪砧，获得抗瘟病胡椒嫁接苗苗。

针对现有胡椒嫁接工艺在嫁接方法上的缺陷，本发明通过斜腹接的方式进行嫁接，所获得的胡椒种苗嫁接成活率较高。在此基础上，本发明优选黄花胡椒(Piper flaviflorum)作为砧木，使胡椒嫁接苗获得抗瘟病能力。

其中，作为优选，步骤1为：

从待嫁接胡椒树上选取1-2年生、健壮、无机械损伤的主蔓；留取主蔓直径0.5-1.0cm部分，切成长6-10cm接穗，接穗具有1-2个节以及1-2个腋芽，剪去叶片，保留叶柄和腋芽；在接穗下端先削一个长1-1.6cm的长削面，端部深达接穗粗的1/2-2/3，再于长削面的相对面削一个长0.7-1.2cm的短削面，获得待嫁接胡椒接穗(接穗示意图见图1)。同时，为了获得状态更好的接穗，在切去接穗前20-30d施用促生长肥1次。切取接穗前1周喷施内吸性杀菌剂1次。

在本发明具体实施方式中，所述待嫁接胡椒树为3-5年生、生长正常且无病虫害影响的胡椒植株，而所述待嫁接胡椒为热引1号(Piper nigrum c.v.Reyin-1)。

作为优选，步骤2为：

嫁接期间日平均气温不低于25℃，在早上7:00-9:00或下午16:00-17:30进行；在砧木离土面20cm较平直处作为嫁接部位，切一平斜切口，深达木质部1/3-1/2，长度与接穗长削面相等；接穗嵌入砧木切口，使接穗形成层与砧木形成层对准、密接，自下往上将接穗和砧木结合处用塑料薄膜包紧。同时，为了获得状态更好的砧木，在嫁接前20-30d对砧木施用液体生物肥1次；在嫁接前1周喷施内吸性杀菌剂1次，并灌足底水。

在本发明具体实施方式中，所述砧木为2-3年生、主蔓木栓化长度超过40cm、生长正常且无病虫害影响的实生苗。

对于嫁接后的种苗管理可按照常规方法进行，本发明在步骤3中给出了较优的方式：嫁接后，保持种苗30％-50％荫蔽，待接穗与砧木愈合，剪开接穗腋芽附近塑料薄膜，待接穗长出第2节新芽，在距离嫁接部位靠上10cm处剪砧，获得胡椒种苗。

本发明分别以斜腹接和劈接两种方式对胡椒进行嫁接，结果显示，以斜腹接方式嫁接获得的胡椒种苗，平均成活率达到87.7％，最高成活率为93.3％，相比现有专利CN103283495A中最高80％的成活率，本发明嫁接方法能够显著提高胡椒种苗的成活率。同时，为了增加可对比性，本发明分别以蒌叶和黄花胡椒为砧木，采用劈接方式进行嫁接，在选择黄花胡椒为砧木时，以斜腹接方式获得的胡椒种苗全部具备抗瘟病能力，而以劈接方式获得的种苗并非全部具备抗瘟病能力，而以蒌叶为砧木获得的胡椒种苗没有抗瘟病能力，同时在嫁接成活率上均不如采用斜腹接方式。

由以上技术方案可知，本发明在对胡椒的嫁接过程中，以黄花胡椒为砧木，改变常用的劈接方式为斜腹接方式，显著提高了胡椒种苗的成活率，同时在此基础上选择黄花胡椒为砧木，可实现全部种苗具备抗瘟病能力的目的，能够有效抵御胡椒瘟病的侵害，提高胡椒种植产业的效益。

附图说明

图1所示为接穗示意图；其中A为接穗长削面侧示意图，B为短削面侧示意图，C为接穗侧面图，即长削面和短削面的侧面图。

具体实施方式

本发明公开了一种抗瘟病胡椒种苗的繁育方法，本领域技术人员可以借鉴本文内容，适当改进工艺参数实现。特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都被视为包括在本发明。本发明所述繁育方法已经通过较佳实施例进行了描述，相关人员明显能在不脱离本发明内容、精神和范围内对本文所述的方法进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本发明技术。

以下就本发明所提供的一种抗瘟病胡椒种苗的繁育方法做进一步说明。

实施例1：本发明所述繁育方法

选择5年生、生长正常且无病虫害影响的热引1号作为接穗母树；在切取接穗前25d，施用促生长肥1次；切取接穗前1周喷施内吸性杀菌剂1次。

2012年2月，选择2年生、主蔓木栓化长度50cm、生长正常且无病虫害影响的黄花胡椒实生苗作为砧木，在嫁接前30d施用液体生物肥1次；在嫁接前1周喷施内吸性杀菌剂1次，并灌足底水。

2012年4月10日(日平均气温25.6℃)上午7:30，从接穗母树上选取2年生、健壮、无机械损伤的主蔓；选取直径介于0.5-1.0cm部分，切成7cm接穗，每个接穗具有1个节、1个叶芽；剪去叶片，保留腋芽、叶柄；在接穗下端先削一个长1.5cm的长削面，端部深达穗粗的2/3，再于背面削一个长0.8cm的短削面。

芽接前砧木主蔓表面保持干燥；在砧木离土面21cm较平直处作为嫁接部位；切一平斜切口，深达木质部1/3，长度与长削面相等。

采用斜腹接法，将切好的接穗嵌入砧木切口，使接穗形成层与砧木形成层对准、密接；自下往上将接穗和砧木结合处用塑料薄膜包紧。

嫁接后保持种苗30％-50％荫蔽；2012年5月10日，接穗与砧木愈合，剪开接穗腋芽附近塑料薄膜；2012年7月10日接穗长出第2节新芽，在距离嫁接部位靠上10cm处剪砧，得到胡椒种苗。

实施例2：劈接方式嫁接方法

选择5年生、生长正常且无病虫害影响的热引1号作为接穗母树；在切取接穗前25d，施用促生长肥1次；切取接穗前1周喷施内吸性杀菌剂1次。

2012年2月，选择2年生、主蔓木栓化长度50cm、生长正常且无病虫害影响的蒌叶实生苗作为砧木，在嫁接前30d施用液体生物肥1次；在嫁接前1周喷施内吸性杀菌剂1次，并灌足底水。

2012年4月10日(日平均气温25.6℃)上午7:30，从接穗母树上选取2年生、健壮、无机械损伤的主蔓；选取直径介于0.5-1.0cm部分，切成长7cm接穗，每个接穗具有1个节、1个叶芽；剪去叶片，保留腋芽、叶柄；在接穗下端对称削两个长1.5cm的削面。

芽接前砧木主蔓表面保持干燥；在砧木离土面21cm较平直处作剪断，在下端嫁接部位切一对称切开(与现有专利CN103283495A中垂直劈开相同)，深度与削面长度相等。

将切好的接穗嵌入砧木切口，使接穗形成层与砧木形成层对准、密接；自下往上将接穗和砧木结合处用塑料薄膜包紧。

嫁接后保持种苗30％-50％荫蔽；2012年5月10日，接穗与砧木愈合，剪开接穗腋芽附近塑料薄膜；2012年7月10日接穗长出第2节新芽，在距离嫁接部位靠上10cm处剪砧，得到胡椒种苗(本实施例中，除工艺上必须有的差别，如接穗削面制作、砧木切口，其他需要保持一致的试验条件均与实施例1中相同)。

实施例3：嫁接成活率与抗瘟病能力对比试验

分别按照实施例1和实施例2的方法对胡椒进行嫁接，每种方法同时进行三组，每组30株，在相同试验环境下对最终获得的胡椒种苗进行成活率和瘟病抗性的统计对比，结果见下表：

嫁接3个月后不同嫁接方式的效果对比

从表1结果可知，以黄花胡椒为砧木，采用本发明的斜腹接法种苗繁育方法，胡椒种苗成活率平均可达85％以上，远远高于常规使用的劈接嫁接法，并且获得的嫁接苗高抗胡椒瘟病。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。