本发明属于苗木种植技术领域，具体地，一种甘草种植方法。
背景技术：
甘草，（学名：Glycyrrhiza uralensis Fisch）别名：国老、甜草、乌拉尔甘草、甜根子。豆科、甘草属多年生草本，根与根状茎粗壮，是一种补益中草药。对人体很好的一种药，药用部位是根及根茎，药材性状根呈圆柱形，长25-100cm，直径0.6-3.5cm。外皮松紧不一，表面红棕色或灰棕色。根茎呈圆柱形，表面有芽痕，断面中部有髓。气微，味甜而特殊。功能主治清热解毒、祛痰止咳、脘腹等。喜阴暗潮湿，日照长气温低的干燥气候。甘草多生长在干旱、半干旱的荒漠草原、沙漠边缘和黄土丘陵地带。根和根状茎供药用。
甘草为常用大宗药材，药食兼用品种，年需要量约6万t左右，位列诸药前列。近年来，家种甘草的生产和销售量趋增，市场较野生品畅销。甘草国之药老，有“十方九草”之美誉，被大量用于临床配方，同时，甘草提取物被广泛地工业、化工等领域，并有大量的出口。甘草数量巨大，行情人为性不强，随着家种品的市场占有量增加，关注力明显在增加。
家种甘草9月上旬开始采挖，并延续11月底。野生品一般在春秋两季采挖，以秋冬季为主。有性繁殖的甘草一般生长3-4年后采收，育苗移栽一般生长2-3年后采收。采挖以秋季为好。甘草喜光照充足，雨量较少，夏季酷热，冬季严寒，昼夜温差大的生态条件，具有喜光、耐旱、耐热、耐盐碱和耐寒的特性。甘草的生产一般不受自然灾害的影响。
野生甘草数量受资源量的严重减少和生产能力、劳动成本等诸多因素的影响，产量明显下降，市场份额趋降。而近年以甘肃产区为主的家种甘草，在一定程度上弥补了野生资源的不足，由于家种生产存在不稳定性，也使得甘草的行情较以前变化更加频繁，变化的幅度会增大。甘草大批量经营的难度较大，甘草品种巨大，规格杂乱，野生品生产弹性大，分布广泛，且每年国外都有一定数量的进口。
目前甘草人工种植分布于我国西北、华北、和东北地区，其具有干旱、少雨、 光照强，昼夜温差大，冬季寒冷、夏季炎热等独特的地理环境气候条件。随着我国甘草需求量不断增长，通过人工采挖野生资源的方式难以满足社会需求发展，也造成对野生资源的破坏。目前种植甘草采用传统的人工种植或人工移栽，机械育苗，需三年采收，亩产在900-950kg。此种植方法劳动强度大，生长周期长，毛草比例大，成品率底，根颈不长，侧根侧颈多，根颈直径均匀度差，效益低。
申请号为201010114751.8的中国专利公开了“甘草种植方法”，包括整地、施肥、覆膜、播种，其特征在于 ：所述整地包括深松、碎土和成垄，所述播种采用膜下精量点播技术。上述甘草种植方法存在育苗、移栽和生长周期长、产品质量差的问题。
技术实现要素：
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种甘草种植方法，以克服育苗、移栽和生长周期长、产品质量差的问题。
根据本发明提供的一种甘草种植方法，包括：
步骤（1）整地；
步骤（2）施肥；
步骤（3）覆膜；
步骤（4）播种，
所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤，深松沟宽，沟上自然起垄；
所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥；
所述步骤（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄多行点播技术，播种深度3.0cm以下，种穴轻微覆土2.0cm以下，在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡，
在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止。
优选地，所述（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤0.5-2.5m，深松沟宽20-60cm，沟上自然起垄。
优选地，所述（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥，施肥深度10-16cm。
优选地，所述（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄双行点播或一垄四行点播技术，播种深度1.6-1.9cm，种穴轻微覆土1.4-1.8cm。
优选地，在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡 18-25min，浸泡温度为20-30℃。
优选地，所述步骤（2）所施用肥料为液态有机肥。
优选地，在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽后，在顶端进行表面消毒。
优选地，所述表面消毒步骤包括，（1）用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净；（2）用蒸馏水清洗。
优选地，所述消毒液为酒精。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
（1）本发明提供的一种甘草种植方法可有效改善甘草根部深层土壤结构，减少了甘草根颈生长阻力，控制了侧根侧颈水平发展空间，创造出良好的甘草根颈独立生长的条件。在这种土壤环境条件下生长出的甘草独颈无杈，毛草量少，从而提高了甘草产量和品质，缩短了生长周期并降低了了生产成本；
（2）本发明提供的种植方法在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止，长度保持不变，后期生长产生的营养成分聚集在原有植株内，从而生成药用价值极高的甘草。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
本发明提供的一种甘草种植方法，包括：
步骤（1）整地；
步骤（2）施肥；
步骤（3）覆膜；
步骤（4）播种，
所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤，深松沟宽，沟上自然起垄；
所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥；
所述步骤（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄多行点播技术，播种深度3.0cm以下，种穴轻微覆土2.0cm以下，在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡，
在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止。
所述（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤0.5-2.5m，深松沟宽20-60cm，沟上自然起垄。
所述（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥，施肥深度10-16cm。
所述（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄双行点播或一垄四行点播技术，播种深度1.6-1.9cm，种穴轻微覆土1.4-1.8cm。
在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡 18-25min，浸泡温度为20-30℃。
所述步骤（2）所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽后，在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括，（1）用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净；（2）用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
（3）本发明提供的一种甘草种植方法可有效改善甘草根部深层土壤结构，减少了甘草根颈生长阻力，控制了侧根侧颈水平发展空间，创造出良好的甘草根颈独立生长的条件。在这种土壤环境条件下生长出的甘草独颈无杈，毛草量少，从而提高了甘草产量和品质，缩短了生长周期并降低了了生产成本；
（4）本发明提供的种植方法在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止，长度保持不变，后期生长产生的营养成分聚集在原有植株内，从而生成药用价值极高的甘草。
实施例1
本实施例提供的一种甘草种植方法，包括：
步骤（1）整地；
步骤（2）施肥；
步骤（3）覆膜；
步骤（4）播种，
所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤，深松沟宽，沟上自然起垄；
所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥；
在甘草茎部长至6cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止。
所述（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤0.5m，深松沟宽60cm，沟上自然起垄。
所述（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥，施肥深度10cm。
所述（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄双行点播或一垄四行点播技术，播种深度1.9cm，种穴轻微覆土1.4cm。
在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡 25min，浸泡温度为20℃。
所述步骤（2）所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至6cm时，掐去甘草顶端幼芽后，在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括，（1）用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净；（2）用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
实施例2
本实施例提供的一种甘草种植方法，包括：
步骤（1）整地；
步骤（2）施肥；
步骤（3）覆膜；
步骤（4）播种，
所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤，深松沟宽，沟上自然起垄；
所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥；
在甘草茎部长至4cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止。
所述（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤2.5m，深松沟宽20cm，沟上自然起垄。
所述（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥，施肥深度16cm。
所述（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄双行点播或一垄四行点播技术，播种深度1.6cm，种穴轻微覆土1.8cm。
在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡 18min，浸泡温度为30℃。
所述步骤（2）所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至4cm时，掐去甘草顶端幼芽后，在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括，（1）用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净；（2）用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
实施例3
本实施例提供的一种甘草种植方法，包括：
步骤（1）整地；
步骤（2）施肥；
步骤（3）覆膜；
步骤（4）播种，
所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤，深松沟宽，沟上自然起垄；
所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥；
在甘草茎部长至5cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止。
所述（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤1.5m，深松沟宽40cm，沟上自然起垄。
所述（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥，施肥深度14cm。
所述（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄双行点播或一垄四行点播技术，播种深度1.7cm，种穴轻微覆土1.6cm。
在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡 19min，浸泡温度为25℃。
所述步骤（2）所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至5cm时，掐去甘草顶端幼芽后，在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括，（1）用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净；（2）用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
实施例4
本实施例提供的一种甘草种植方法，包括：
步骤（1）整地；
步骤（2）施肥；
步骤（3）覆膜；
步骤（4）播种，
所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤，深松沟宽，沟上自然起垄；
所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥；
在甘草茎部长至5cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止。
所述（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤2.0m，深松沟宽50cm，沟上自然起垄。
所述（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥，施肥深度13cm。
所述（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄双行点播或一垄四行点播技术，播种深度1.8cm，种穴轻微覆土1.6cm。
在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡 22min，浸泡温度为23℃。
所述步骤（2）所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至6cm时，掐去甘草顶端幼芽后，在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括，（1）用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净；（2）用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。