本发明涉及嫁接领域，特别涉及一种无籽西瓜嫁接方法。
背景技术：
随着无子西瓜栽培技术的推广，我国无子西瓜种植面积在20世纪90年代后期发展迅猛，以台湾新红宝为代表的有籽西瓜逐渐退出市场。与有籽西瓜一样，无籽西瓜连作也造成枯萎病大面积发生，无论采用轮作倒茬、药剂防治，还是选用抗病品种均不能完全解决枯萎病问题，嫁接技术的采用从源头上避免了土传枯萎病对西瓜地上部分的侵害，并在全国西瓜主产地得到应用。
作为一门新的学科，嫁接技术从砧木的选育、嫁接方式的探索逐渐形成一套完整的体系，技术要求砧木和接穗的亲和力应该良好，以免生育后期出现生理性急性凋萎,并且应该避免嫁接后对品质的不良影响，如外观、口感等。目前砧木一般采用非洲西瓜、葫芦和黑籽南瓜，它们均有共同特性，一是具有强大的根系，吸水吸肥能力强；二是抗病抗逆性强，对枯萎病免疫率90％以上，抗涝抗旱能力强；三是生长势强，产量比实生苗高30％以上。
我国从1996年开始，无籽西瓜嫁接已开始采用靠接法、插接法、劈接法、断根嫁接法等技术，通过比较，劈接和插接已成为主要嫁接方式。靠接方式成苗率低，嫁接苗难以管理，因此生产上多不采用；插接比较简单，嫁接工效高，但成活率只有80％左右，三倍体西瓜采用劈接法嫁接的苗子成活率高、苗质量好、定植后长势强产量高。
这些方式虽各有千秋，但随着时间的推移，新的问题不断出现，嫁接方式也出现了技术性的选择，综合考虑嫁接苗的成苗率、抗病性和工作效率，我们研发团队经过多年的探索，在应对西瓜嫁接期果腐病危害方面做出了有效尝试，取得了较好的成功经验，使无籽西瓜嫁接苗成苗率从30％提升到90％以上。
西瓜枯萎病是西瓜的毁灭性病害，该病主要由菌丝、厚垣孢子和菌核随病残体引起，其厚垣孢子可在土壤中存活10～15年。即便是采用轮作换茬、水旱轮作、药剂防治、选用抗病品种也根本不能解决问题。针对枯萎病的顽固性，选择嫁接技术是西瓜生产的最佳方案。细菌性果腐病是西瓜毁灭性病害，最早发现在美国佛罗里达州，2000年后传入我国，目前没有有效的防治方式可以治愈。果腐病一般是种子和植物残体带菌，在传统的种植方式中，仅仅对种子进行消毒处理，然而该措施并不能完全有效地清除掉病菌。过去我们多采用插接技术，但在接穗愈合阶段，出现枯萎病发并导致整棚苗毁灭性损失；或者在挂果期出现大面积果腐病。
技术实现要素：
为解决上述问题，本发明提供了一种无籽西瓜嫁接方法，改良了劈接的嫁接方法，严格控制嫁接前后的温度，将接穗下端的表皮全部切除，形成楔形接穗面，同时对嫁接苗进行喷雾消毒，提高了嫁接后无籽西瓜的存活率。
一种无籽西瓜嫁接方法，包括以下步骤：
a)用10％的磷酸三钠溶液浸泡无籽西瓜种子半小时进行消毒，将无籽西瓜种子取出，用清水清洗干净，把无籽西瓜种子种入育苗盘，保持该育苗盘温度为白天28-35℃、夜间25-30℃；
b)无籽西瓜种子种下7-10天后，采用葫芦籽或南瓜籽做砧木种子，将砧木种子用70℃热水烫种，并迅速搅动，水温降至30℃时浸种10-12小时，将砧木种子从水中取出种入育苗盘中，其覆土深度为2-3cm，保持该育苗盘温度为白天20-28℃、夜间18-22℃；
c)砧木第二对真叶长至1-2cm时，对砧木进行摘心，用75％的医用酒精对刀片进行消毒，将砧木再用消毒过的刀片从心叶位置沿茎干中心向下切1.5-2cm切口，将接穗用刀片在子叶下方1.5-2cm处从两侧平滑向下切形成长度为0.5-1cm的楔形接穗面，确保无籽西瓜接穗下端的表皮被完全切除，将接穗插入砧木切口中，用嫁接夹固定；
d)嫁接完成后，用多菌灵1000倍液对嫁接苗喷雾消毒，再放置到小拱棚中进行愈合，嫁接后前3天保持温度25-28℃，空气湿度90％-95％，并进行遮光；嫁接后第4-5天对小拱棚进行通风换气和见光；嫁接后第6-10天逐渐加大通风量并延长见光时间；嫁接后第5-15天保持小拱棚温度为白天23-26℃，夜间18-22℃；
e)嫁接后第16-20天，对嫁接苗进行低温炼苗，炼苗期间，白天保持通风、温度控制在22-24℃，夜间温度控制在10-15℃、湿度为自然湿度，感觉此处天数有点多余，直接说将2-3片真叶的嫁接苗定植到大田，剩余嫁接苗继续炼苗至其长出2-3片真叶，而后进行定植。
相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：
1、嫁接苗成苗率大幅度提高，与普通劈接方式、插接方式相比，嫁接愈合速度加快，降低了感染发病几率，成苗率从80％上升至95％以上。节约种子50％以上。
2、由于在嫁接完成后对嫁接苗进行再次消毒处理，进一步消除了愈合期感染的风险，大田种植未出现生理性急性凋萎现象，抗病性大大增加，病毒性果腐病、真菌性枯萎病等危害植株现象控制在5％以下。
3、西瓜产量大幅增加，可提高30-50％。
具体实施方式
下面结合实施例详细说明本发明：
实施例1
本发明提供了一种无籽西瓜嫁接方法，包括以下步骤：
a)选取颗粒饱满、无破损的无籽西瓜种子500粒，用10％的磷酸三钠溶液浸泡无籽西瓜种子半小时进行消毒，将无籽西瓜种子取出，用清水清洗干净，把无籽西瓜种子种入育苗盘，保持该育苗盘温度为白天28℃，夜间25℃；
b)无籽西瓜种子种下7天后，选取500粒颗粒饱满、无破损的葫芦籽作为砧木种子，将砧木种子用70℃热水烫种，并迅速搅动，水温降至30℃时浸种10-12小时，将砧木种子从水中取出种入育苗盘中，其覆土深度为2cm，保持该育苗盘温度为白天20℃，夜间18℃；
c)砧木第二对真叶长至1cm时，对砧木进行摘心，用75％的医用酒精对刀片进行消毒，将砧木再用消毒过的刀片从心叶位置沿茎干中心向下切1.5cm切口，将接穗用刀片在子叶下方1.5cm处从两侧平滑向下切形成长度为0.5cm的楔形接穗面，确保无籽西瓜接穗下端的表皮被完全切除，将接穗插入砧木切口中，用嫁接夹固定；
d)嫁接完成后，用多菌灵1000倍液对嫁接苗喷雾消毒，再放置到小拱棚中进行愈合，嫁接后前3天保持温度25℃，空气湿度90％，并进行遮光，嫁接后第4天通风换气和见光，嫁接后第6天逐渐加大通风量延长见光时间，嫁接后第5天保持白天温度23℃，夜间18℃；
e)嫁接后第16天，对嫁接苗进行低温炼苗，炼苗期间，白天保持通风，温度控制在22℃，夜间温度控制在10℃，湿度为自然湿度；将2-3片真叶的嫁接苗定植到大田，剩余嫁接苗继续炼苗至其长出2-3片真叶，而后进行定植。
其中，步骤d和e中，嫁接完成后，当砧木的侧芽继续生长时，将其抹除，以免砧木侧芽消耗苗体营养，影响接穗的生长。步骤d中，嫁接完成后前3天内，湿度下降时向小拱棚中的空气中喷水，避免直接将水浇到嫁接苗上。
定植完成后第50天，对大田中成活的嫁接苗进行观测和统计，其中嫁接苗的成活率达96％，出现凋萎苗10棵；出现果腐病的几率为4.6％。
实施例2
本发明提供了一种无籽西瓜嫁接方法，包括以下步骤：
a)选取颗粒饱满、无破损的无籽西瓜种子500粒，用10％的磷酸三钠溶液浸泡无籽西瓜种子半小时进行消毒，将无籽西瓜种子取出，用清水清洗干净，把无籽西瓜种子种入育苗盘，保持该育苗盘温度为白天30℃，夜间30℃；
b)无籽西瓜种子种下8天后，选取500粒颗粒饱满、无破损的葫芦籽作为砧木种子，将砧木种子用70℃热水烫种，并迅速搅动，水温降至30℃时浸种11小时，将砧木种子从水中取出种入育苗盘中，其覆土深度为2.5cm，保持该育苗盘温度为白天24℃，夜间20℃；
c)砧木第二对真叶长至1.5cm时，对砧木进行摘心，用75％的医用酒精对刀片进行消毒，将砧木再用消毒过的刀片从心叶位置沿茎干中心向下切1.7cm切口，将接穗用刀片在子叶下方1.7cm处从两侧平滑向下切形成长度为0.7cm的楔形接穗面，确保无籽西瓜接穗下端的表皮被完全切除，将接穗插入砧木切口中，用嫁接夹固定；
d)嫁接完成后，用多菌灵1000倍液对嫁接苗喷雾消毒，再放置到小拱棚中进行愈合，嫁接后前3天保持温度26℃，湿度93％，并进行遮光，嫁接后第4天后通风换气和见光，嫁接后第8天逐渐加大通风量延长见光时间，嫁接后第10天保持白天温度24℃，夜间20℃；
e)嫁接后第18天，对嫁接苗进行低温炼苗，炼苗期间，白天保持通风，温度控制在23℃，夜间温度控制在12℃，湿度为自然湿度；将2-3片真叶的嫁接苗定植到大田，剩余嫁接苗继续炼苗至其长出2-3片真叶，而后进行定植。
其中，步骤d和e中，嫁接完成后，当砧木的侧芽继续生长时，将其抹除，以免砧木侧芽消耗苗体营养，影响接穗的生长。步骤d中，嫁接完成后前3天内，湿度下降时向小拱棚中的空气中喷水，避免直接将水浇到嫁接苗上。
定植完成后第50天，对大田中成活的嫁接苗进行观测和统计，其中嫁接苗的成活率达98％，出现凋萎苗7棵；出现果腐病的几率为2.2％。
实施例3
本发明提供了一种无籽西瓜嫁接方法，包括以下步骤：
a)选取颗粒饱满、无破损的无籽西瓜种子500粒，用10％的磷酸三钠溶液浸泡无籽西瓜种子半小时进行消毒，将无籽西瓜种子取出，用清水清洗干净，把无籽西瓜种子种入育苗盘，保持该育苗盘温度为白天35℃，夜间27℃；
b)无籽西瓜种子种下10天后，选取500粒颗粒饱满、无破损的葫芦籽作为砧木种子，将砧木种子用70℃热水烫种，并迅速搅动，水温降至30℃时浸种12小时，将砧木种子从水中取出种入育苗盘中，其覆土深度为3cm，保持该育苗盘温度为白天28℃，夜间22℃；
c)砧木第二对真叶长至2cm时，对砧木进行摘心，用75％的医用酒精对刀片进行消毒，将砧木再用消毒过的刀片从心叶位置沿茎干中心向下切2cm切口，将接穗用刀片在子叶下方2cm处从两侧平滑向下切形成长度为1cm的楔形接穗面，确保无籽西瓜接穗下端的表皮被完全切除，将接穗插入砧木切口中，用嫁接夹固定；
d)嫁接完成后，用多菌灵1000倍液对嫁接苗喷雾消毒，再放置到小拱棚中进行愈合，嫁接后前3天保持温度28℃，湿度95％，并进行遮光，嫁接后第5天后通风换气和见光，嫁接后第10天逐渐加大通风量延长见光时间，嫁接后第15天保持白天温度26℃，夜间22℃；
e)嫁接后第20天，对嫁接苗进行低温炼苗，炼苗期间，白天保持通风，温度控制在24℃，夜间温度控制在15℃，湿度为自然湿度；将2-3片真叶的嫁接苗定植到大田，剩余嫁接苗继续炼苗至其长出2-3片真叶，而后进行定植。
其中，步骤d和e中，嫁接完成后，当砧木的侧芽继续生长时，将其抹除，以免砧木侧芽消耗苗体营养，影响接穗的生长。步骤d中，嫁接完成后前3天内，湿度下降时向小拱棚中的空气中喷水，避免直接将水浇到嫁接苗上。
定植完成后第50天，对大田中成活的嫁接苗进行观测和统计，其中嫁接苗的成活率达95％，出现凋萎苗11棵；出现果腐病的几率为4.8％。
实施例4
本发明提供了一种无籽西瓜嫁接方法，包括以下步骤：
a)选取颗粒饱满、无破损的无籽西瓜种子500粒，用10％的磷酸三钠溶液浸泡无籽西瓜种子半小时进行消毒，将无籽西瓜种子取出，用清水清洗干净，把无籽西瓜种子种入育苗盘，保持该育苗盘温度为白天35℃，夜间27℃；
b)无籽西瓜种子种下10天后，选取500粒颗粒饱满、无破损的葫芦籽作为砧木种子，将砧木种子用70℃热水烫种，并迅速搅动，水温降至30℃时浸种12小时，将砧木种子从水中取出种入育苗盘中，其覆土深度为3cm，保持该育苗盘温度为白天28℃，夜间22℃；
c)砧木第二对真叶长至2cm时，对砧木进行摘心，用75％的医用酒精对刀片进行消毒，将砧木再用消毒过的刀片从心叶位置沿茎干中心向下切2cm切口，将接穗用刀片在子叶下方2cm处从两侧平滑向下切形成长度为1cm的楔形接穗面，确保无籽西瓜接穗下端的表皮被完全切除，将接穗插入砧木切口中，用嫁接夹固定；
d)嫁接完成后，用多菌灵1000倍液对嫁接苗喷雾消毒，再放置到小拱棚中进行愈合，嫁接后前3天保持温度28℃，湿度95％，并进行遮光，嫁接后第5天后通风换气和见光，嫁接后第10天逐渐加大通风量延长见光时间，嫁接后第15天保持白天温度26℃，夜间22℃；
e)嫁接后第20天，对嫁接苗进行低温炼苗，炼苗期间，白天保持通风，温度控制在24℃，夜间温度控制在15℃，湿度为自然湿度；将2-3片真叶的嫁接苗定植到大田，剩余嫁接苗继续炼苗至其长出2-3片真叶，而后进行定植。
其中，步骤d和e中，嫁接完成后，当砧木的侧芽继续生长时，将其抹除，以免砧木侧芽消耗苗体营养，影响接穗的生长。步骤d中，嫁接完成后前3天内，湿度下降时向小拱棚中的空气中喷水，避免直接将水浇到嫁接苗上。
定植完成后第50天，对大田中成活的嫁接苗进行观测和统计，其中嫁接苗的成活率达97％，出现凋萎苗8棵；出现果腐病的几率为2.4％。
对比实施例1
现有技术的无籽西瓜嫁接，包括以下步骤：
a)选取颗粒饱满、无破损的无籽西瓜种子500粒，用10％的磷酸三钠溶液浸泡无籽西瓜种子半小时进行消毒，将无籽西瓜种子取出，用清水清洗干净，把无籽西瓜种子种入育苗盘，保持该育苗盘温度为白天35℃，夜间27℃；
b)无籽西瓜种子种下10天后，选取500粒颗粒饱满、无破损的葫芦籽作为砧木种子，将砧木种子用70℃热水烫种，并迅速搅动，水温降至30℃时浸种12小时，将砧木种子从水中取出种入育苗盘中，其覆土深度为3cm，保持该育苗盘温度为白天28℃，夜间22℃；
c)砧木第二对真叶刚长出时，将砧木去掉真叶和生长点，然后用与接穗茎相同的竹签在砧木顶端斜插孔，然后选用适当的接穗，将砧木上的竹签拔出，将接穗插入孔内，用嫁接夹固定；
d)嫁接完成后，将嫁接苗放置到小拱棚中进行愈合，嫁接后前3天保持温度28℃，湿度95％，并进行遮光，嫁接后第5天后通风换气和见光，嫁接后第10天逐渐加大通风量延长见光时间，嫁接后第15天保持白天温度26℃，夜间22℃；
e)嫁接后第20天，对嫁接苗进行低温炼苗，炼苗期间，白天保持通风，温度控制在24℃，夜间温度控制在15℃，湿度为自然湿度；将2-3片真叶的嫁接苗定植到大田，剩余嫁接苗继续炼苗至其长出2-3片真叶，而后进行定植。
其中，步骤d和e中，嫁接完成后，当砧木的侧芽继续生长时，将其抹除，以免砧木侧芽消耗苗体营养，影响接穗的生长。步骤d中，嫁接完成后前3天内，湿度下降时向小拱棚中的空气中喷水，避免直接将水浇到嫁接苗上。
定植完成后第50天，对大田中成活的嫁接苗进行观测和统计，其中嫁接苗的成活率达81.8％，出现凋萎苗57棵；出现果腐病的几率为8.4％。
从上述各实施例结果可看出：本发明所提供的一种无籽西瓜嫁接方法，改良了劈接的嫁接方法，严格控制嫁接前后的温度，将接穗下端的表皮全部切除，形成楔形接穗面，同时对嫁接苗进行喷雾消毒，可有效提高嫁接苗的成活率，降低凋萎苗、果腐病的发病概率，进而大幅提高西瓜产量。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。