一种辣椒简易育苗床的制作方法

文档序号:8789610阅读:409来源:国知局
一种辣椒简易育苗床的制作方法
【技术领域】
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[0001]本实用新型属种苗培育技术领域,涉及一种辣椒简易育苗床。
【背景技术】
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[0002]辣椒是一种营养丰富的蔬菜品种,春季种栽,夏季盛产。由于种植效益高,现在农村辣椒种植面积不断扩大。辣椒种植以种苗移植为主,这样可以争取种植时间,实现辣椒提前上市。目前,种植户一般采用普通大田大棚式培育种苗,因大田培育,环境条件较难调控、土质瘦弱板硬,育出的种苗不够健康壮实,根系也欠发达,移栽拔苗损伤严重,直接影响辣椒移栽后的生长发育,降低产量。
【实用新型内容】:
[0003]本实用新型的目的是针对上述情况而提供一种辣椒简易育苗床。
[0004]本实用新型所采用的技术方案:
[0005]一种辣椒简易育苗床,它包括床体、培育基质、种子层、覆盖层、棚帐,床体为长方形砖砌池结构,培育基质为铺设的基质层面,种子层为播撒的种子层面,覆盖层为铺设的顶层面,棚帐为拱状大棚塑料覆盖膜,床体设置于大棚内侧底面中间位置,培育基质设置于床体内侧中下部位置,种子层设置于床体内侧、培育基质上面位置,覆盖层设置于床体内侧、种子层上面位置,棚帐设置于床体上方位置且四侧落地固定于床体外沿位置。
[0006]本实用新型,所述的床体,采用高20cm,宽160cm,长300cm的砖砌池结构,其目的在于:一是使育苗床呈相对封闭状态,以防病虫害入侵;二是对苗床起到一定保温作用。所述的培育基质,采用沙土、鸡粪、麦麸混合物材料,其混合比例为6: 3:1。这种混合物作为培育基质,具有三个特点:一是易腐熟、肥力足,可保障种子育苗所需的营养;二是疏松透气,有利种子发芽、生根以及移栽拔苗轻松,不易损伤;三是不易积水,可避免因苗床潮湿造成种子霉变。所述的种子层,采用均匀播撒形式。所述的覆盖层,采用泥炭灰材料,其目的在于:一是覆盖保温;二是利用炭的吸附功能清除棚内不良气体;三是保护种苗芽的生长。所述的棚帐,采取复合塑料膜,其作用是提高苗床环境温度。
[0007]本实用新型,在江浙地区可提前至3月上旬育苗。种子播撒后,需一次性浇透水,然后再铺上顶面覆盖层。在棚内温度不超过20°C的情况下,一般大棚处于封闭状态。待种苗芽全部露头后,每天午时揭膜通风一次,每次时间2小时左右。待种苗长成8片真叶以上时,可以起苗移栽。
[0008]本实用新型,建立地点随意性大,既可在空闲的大田建立苗床,也可在屋前屋后的水泥地板上建立苗床。
[0009]本实用新型具有如下特点:地点选择随意性大,育成的种苗健康壮实、根系发达,挖起苗轻松且不易损伤,移栽成活率高。
【附图说明】
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[0010]图1为辣椒简易育苗床剖面结构示意图,其标记说明:床体1,培育基质2,种子层3,覆盖层4,棚帐5。
[0011]图2为辣椒简易育苗床俯视示意图,其标记说明:床体1,覆盖层4,棚帐5,大棚钢架6。
【具体实施方式】
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[0012]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0013]一种辣椒简易育苗床,它包括床体1、培育基质2、种子层3、覆盖层4、棚帐5,床体I为长方形砖砌池结构,培育基质2为铺设的基质层面,种子层3为播撒的种子层面,覆盖层4为铺设的顶层面,棚帐5为拱状大棚塑料覆盖膜,床体I设置于大棚内侧底面中间位置,培育基质2设置于床体I内侧中下部位置,种子层3设置于床体I内侧、培育基质2上面位置,覆盖层4设置于床体I内侧、种子层3上面位置,棚帐5设置于床体I上方位置且四侧落地固定于床体I外沿位置。
【主权项】
1.一种辣椒简易育苗床,其特征在于:它包括床体、培育基质、种子层、覆盖层、棚帐,床体为长方形砖砌池结构,培育基质为铺设的基质层面,种子层为播撒的种子层面,覆盖层为铺设的顶层面,棚帐为拱状大棚塑料覆盖膜,床体设置于大棚内侧底面中间位置,培育基质设置于床体内侧中下部位置,种子层设置于床体内侧、培育基质上面位置,覆盖层设置于床体内侧、种子层上面位置,棚帐设置于床体上方位置且四侧落地固定于床体外沿位置。
【专利摘要】本实用新型属种苗培育技术领域,涉及一种辣椒简易育苗床。它包括床体、培育基质、种子层、覆盖层、棚帐,床体为长方形砖砌池结构,培育基质为铺设的基质层面,种子层为播撒的种子层面,覆盖层为铺设的顶层面,棚帐为拱状大棚塑料覆盖膜,床体设置于大棚内侧底面中间位置,培育基质设置于床体内侧中下部位置,种子层设置于床体内侧、培育基质上面位置,覆盖层设置于床体内侧、种子层上面位置,棚帐设置于床体上方位置且四侧落地固定于床体外沿位置。本实用新型具有如下特点:地点选择随意性大,育成的种苗健康壮实、根系发达,挖起苗轻松且不易损伤,移栽成活率高。
【IPC分类】A01G9-10
【公开号】CN204498918
【申请号】CN201520165999
【发明人】陆宏成, 陈根荣
【申请人】富阳宏成科技咨询有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年3月6日
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