附图标记表示相同或类似的部分，因而 将省略对它们的重复描述。
[0039] 此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施 方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然 而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而省略所述特定细节中的一个 或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述 公知结构、方法、装置、实现或者操作以避免喧宾夺主而使得本发明的各方面变得模糊。
[0040] 下述为本发明的方法实施方式，需要说明的是各方法实施方式中所示意的处理顺 序并不表明或限制这些处理的时间顺序。此外，易于理解的是，这些处理例如可以通过多个 模块同步或异步的执行。
[0041] 图2示出根据一示例实施方式的PET深度效应校正方法的流程图。如图2所示， 校正方法10包括：
[0042] 步骤S110,建立多层晶体L0R模型。
[0043] 步骤S120,获取PET探测器输出的实际符合事例数据。
[0044] 例如，在探测过程中，获得实际采用单层晶体探测器或较少晶体分层探测器的PET 输出的实际符合事例数据。
[0045] 步骤S130,根据多层晶体L0R模型，对从PET探测器获取的实际符合事例数据进行 扩展，生成扩展L0R数据。
[0046] 步骤S140,根据生成的扩展L0R数据，确定校正L0R数据。
[0047] 图3示出根据另一示例实施方式的PET深度效应校正方法的流程图。如图3所示， 校正方法20包括：
[0048] 步骤S210,获得多层晶体设计下的模拟符合事例数据。
[0049] 多层晶体设计下的模拟符合事例数据例如可以通过GATE软件模拟多层晶体PET 的输出而获得，或者也可以通过模拟实验获得，本发明不以此为限。模拟符合事例数据包括 所有符合事例的数据。一件模拟符合事例是指同一放射源发出的一对能量相同、方向相反 的入射γ光子作用于两个晶体。一件模拟符合事例的数据可以包括两个入射γ光子分别 作用的两个晶体的编号；此外，当探测器轴向上分为多个环时，还可以包括环号。
[0050] 步骤S220,根据模拟符合事例数据，建立多层晶体L0R模型。
[0051] 图4Α示出模拟径向上采用双层晶体PET探测器的结构示意图。对模拟符合事例 数据中的各模拟符合事例按照其中两个入射γ光子所作用的晶体和轴向的环号（如果探 测器有多个环）进行分类。对于环号和晶体编号（如图中的Β1和Β2)均相同的符合事例 进行统计，分别计算出图4Α中AB、AD、CB及⑶四种L0R的计数NAB、NAD、队8及Nm。之后统 计NAB、NAD、^及Nm之和Nw。再分别计算NAB、NAD、^及Nm占总数目NTcital的比例，从而 建立出双层晶体L0R模型，该模型例如可以以图表的形式呈现，但本发明不以此为限。假设 当前的环号为X，对于作用在晶体B1和B2上的双层晶体L0R模型如表1所示：
[0052] 表 1
[0053]
[0054] 其中PAB、PAD、PCB及PCD分别表示LORAB、AD、CB及CD的计数占总数目的比例。
[0055] 图4B示出模拟径向上采用三层晶体PET探测器的结构示意图。对模拟符合事例数 据中的各模拟符合事例按照其中两个入射γ光子所作用的晶体和轴向的环号（如果探测 器有多个环）进行分类。对于环号和晶体编号（如图中的Β1和Β2)均相同的符合事例进 行统计，分别计算图4Β中AB、AD、AF、CB、CD、CF、EB、ED及EF九种LOR的计数Nab、Nad、Naf、 1、队[)、1、^、1及1^。之后，统计Nab、Nad、Naf、Ncb、Ncd、Ncf、Neb、Ned 及nEF之和N Total°肉: 分别计算NAB、NAD、NAF、Nra、Nm、NCF、NEB、NED及NEF占总数目NTc]tal的比例，从而建立出三层晶体LOR模型。假设当前的环号为X，对于作用在晶体B1和B2上的双层晶体LOR模型如表2所 示：
[0056] 表 2
[0057]
[0058] 其中PAD、PAF、PCB、PCD、PCF、PEB、PED及PEF分别表不LORAB、AD、AF、CB、CD、CF、EB、ED 及EF的计数占总数目的比例。
[0059] 从上述可以看出，对于多层晶体PET，假设其晶体层数为m，则对于两个晶体，其可 能的L0R种类为m*m个。如双层晶体，L0R包括：AB、AD、CB及⑶四种；而对于三层晶体， L0R则包括：AB、AD、AF、CB、CD、CF、EB、ED及EF九种。在实际应用中，模拟的分层层数可由 实际需求而选取。
[0060] 图4D和图4E分别示出了分别在切向和轴向上模拟三层分层晶体的示意图，如图 4D和图4E所示，虽然其在晶体分层方向上与图4A和图4B中的不同，但原理是相同的。根 据上述径向上分层的说明，本领域技术人员均可了解如何根据上述生成多层晶体L0R模型 的方法，产生在切向或轴向上采用多层晶体的多层晶体L0R模型，因此此处不再赘述。
[0061] 步骤S230,获取PET探测器输出的实际符合事例数据。
[0062] 上述实际PET探测器例如可以为现有的采用单层晶体探测器的PET，也可以为采 用较少晶体分层探测器的PET。实际符合事例数据包括所有实际符合事例的数据。一件实 际符合事例是指PET探测器探测到的同一放射源发出的一对能量相同、方向相反的入射γ 光子作用于两个晶体。一件实际符合事例的数据例如可以包括两个γ光子所作用的晶体 的编号；而如果PET探测器采用多环结构，一件实际符合事例的数据还可以包括晶体的轴 向的环数信息等。此外，如果该PET采用较少晶体分层探测器，则实际符合事例数据还可以 包括分层数信息。
[0063] 在一些实施例中，当PET探测器输出的实际符合事例数据格式为ASCII格式时，还 需要对实际符合事例数据进行格式转换，例如将ASCII格式转换成二进制格式，本发明不 以此为限。
[0064] 步骤S240,根据多层晶体L0R模型，对从PET获取的实际符合事例数据进行扩展， 生成扩展L0R数据。
[0065] 以实际PET采用单层晶体，模拟双层晶体探测器为例说明如何对实际符合事例数 据进行扩展。图4C示出实际单层晶体PET探测器的结构示意图。对获得的实际符合事例数 据中的各实际符合事例，按两个γ入射光子所作用的晶体的编号（如图4C中的B1和B2) 和轴向上的环号（如果探测器有多个环）进行分类，然后对环号和所作用的晶体编号相同 的实际符合事例进行计算，统计LOR(即图4C中的AB)数目，得到实际LOR数目NTc]tal'。之 后按照表1所示的双层晶体L0R模型中的比例，将NTc]tal'分配为各种L0R的统计数目NAB'、 NAD'、Nra'及Nm'，从而得到扩展LOR数据。
[0066] 而如果LOR模型为三层晶体，则可以按照表2将NTc]tal'分配为NAB'、NAD'、NAF'、NCB'、 NCD'、NCF'、NEB'、NED'和NEF'。对于四层、五层晶体等LOR模型，以此类推。
[0067] 此外，当PET探测器实际采用较少层数，例如两层时，可分别对每一层应用上述的 模拟，从而使实际采用较少层数的PET探测器可获得更精确的探测结果。步骤S250,根据生 成的扩展L0R数据，确定校正L0R数据。
[0068] 校正L0R数据例如可以为正弦直方图（sinogram)数据（简称sino数据），但本发 明不以此为限。
[0069] 在得到上述扩展L0R数据后，例如使用线性插值法将获得的扩展L0R数据存储到 实际PET探测器获得的sino数据中的最邻近L0R中，以更新sino数据，从而获得校正L0R 数据。
[0070] 在一些实施例中，如果扩展L0R数据非sino数据，则还需要将扩展L0R数据转换 为sino数据。
[0071 ] 在获得校正数据后，校正方法20还可以包括根据校正L0R数据，进行图像重建。例 如可以采用常规的图像重建方法进行图像重建。
[0072] 本发明提供的PET深度效应校正方法，相比于硬件采用多层晶体的方法更具有优 越性：
[0073] (1)因无需对现有PET的硬件进行替换，因此极大的降低了硬件成本；
[0074] (2)本发明方法可以较容易的实现探测器径向（或切向、轴向）上为二层、三层、四 层等多层晶体构造，而使用多层晶体硬件还受晶体材料的选择、各层晶体尺寸和排列方式、 各层晶体之间的连接方式、晶体表面设计、机械设计难度等的限制；
[0075] (3)硬件上在各层晶体交接处，光子损失非常严重，严重影响探测器灵敏度，而使 用本发明方法则不存在这种问题；
[0076] (4)相对于通过硬件对探测器进行改造，使用本发明方法进行D0I效应校正的软 件算法可移植性强，它可以根据实际情况模拟晶体具有不同分层数的情况，而使用硬件方 法则很难实现这一点。
[0077] 采用本发明的深度效应校正方法，对校正前后的重建图像结果进行比较