图7中，虽然没有图示，但在基板主体111中，能够在阳极31与阴极37之 间流过电流而使功能层36a与功能层3化分别独立地发光的驱动电路在第一发光元件30A W及第二发光元件30B的每一个中设置。 阳097] 接着，参照图8来说明功能层36a、3化的层构成。如图8所示，在第一发光元件30A 的阳极31与阴极37之间夹着的功能层36a构成为包括空穴注入输送层32曰、发光层33曰、电 子输送层34W及电子注入层35。在第二发光元件30B的阳极31与阴极37之间夹着的功 能层3化构成为包括全穴注入输送层32b、发光层33b、电子输送层34W及电子注入层35。
[0098] [空穴注入输送层]
[0099] 空穴注入输送层32日、3化具有将从阳极31交接的空穴输送到发光层33日、33b的 功能。因此，空穴注入输送层32a、32b中包含的空穴注入输送材料优选兼备空穴的注入性 与输送性，优选使用在W下所示的化学式（1)中示出的、骨架的一部分A为苯二胺系、联苯 胺系、Ξ苯二胺（Te巧benzenediamine)系中选出的芳香族胺化合物。
[0100] [化学式^
[0101]
[0102] R1~R4独立地表示取代、非取代的芳香族官能团，特别优选取代、非取代的芳基 官能团，优选苯基、联苯基、Ξ联苯基、Ξ芳基氨基。η= 1~3。
[0103] 作为A为η= 1的苯二胺系的化合物，可列举W下所示的化学式HTL1~HTL7的 化合物。
[0104] [化学式引 阳1化]
阳106] 作为A为η= 2的联苯胺系的化合物，可列举W下所示的化学式HTL8~HTL16的 化合物。 阳1〇7][化学式3] 阳10引
[0109] 作为A为η= 3的Ξ苯二胺系的化合物，可列举W下所示的化学式HTL17~HTL25 的化合物。
[0110] [化学式" 阳 111]
[0112] 运样的空穴注入输送层32a、3化的平均厚度没有特别限定，但优选为5nm~200nm 左右，更优选为10皿~100皿左右。
[0113] 此外，在第一发光元件30A中，在阳极31与发光层33a之间设置的层不限定于仅 为空穴注入输送层32a。例如，也可W做成包括容易从阳极31注入空穴的空穴注入层、W及 容易向发光层33a输送空穴的空穴输送层的多个层。此外，也可W包括具有阻碍从发光层 33a向阳极31侧泄漏的电子的功能的层。在第二发光元件30B中的阳极31与发光层33b 之间的空穴注入输送层32b中也一样。
[0114] [发光层]
[0115] 作为发光层33a、33b，构成为基本骨架包括由下述化学式（5)来表示的化合物（W 下，也简称为"嚷二挫系化合物或者砸二挫系化合物"）。
[0116][化学式引 阳117]
…織
[0118] 在化学式巧）中，X表示S或者Se，Y表示官能团，也可W形成环。具体来说，优选 使用W下所示的化学式EML1~EML8的嚷二挫系化合物。
[0119] [化学式6] 阳 120]
阳121] R1优选为芳香族化合物（既可W具有取代基，也可W不具有）。特别优选为芳基、 具有取代基的芳基、芳氨基、嚷吩基。作为芳基，优选为苯基、糞基。作为具有取代基的芳基， 优选为Ξ苯氨基。 阳122] R2优选为氨、烷基、烷氧基、醋基、或者芳香族化合物（既可W具有取代基，也可W 不具有）。特别优选为芳基、具有取代基的芳基、芳氨基、嚷吩基。作为芳基，优选为苯基、糞 基。
[0123] 包括运样的化合物的发光层33a、33b能够得到700皿~2000皿的波长区域（红 外区域）内的发光。
[0124] 此外，发光层33a、33b也可W包括上述的发光材料W外的发光材料（各种巧光材 料、各种憐光材料）。此外，发光层33b也可W包括与发光层33a不同的发光材料。在运种 情况下，与发光层33b对应地，空穴注入输送层3化也可W包括与空穴注入输送层32a不同 的空穴注入输送材料。
[01巧]此外，作为发光层33a、33b的构成材料，除了上述那样的发光材料之外，还使用作 为客体材料（渗杂物）而添加（承载）有该发光材料的主体材料。该主体材料具有使空穴 与电子复合而生成激子，并且使该激子的能量移动（福斯特（Forster)移动或者德克斯特 值exter)移动）到发光材料，激励发光材料的功能。因此，能够提高发光效率。在运样的主 体材料中，例如作为渗杂物渗杂而作为客体材料的发光材料来使用。
[01%] 特别是，作为运样的主体材料，优选使用径基哇嘟金属络合物、或者并苯系有机化 合物。在并苯系材料中，优选蔥系材料、四苯系材料，更优选四苯系材料。如果发光层的主 体材料构成为包括并苯系材料，则能够从电子输送层中的电子输送性材料向发光层（EML) 中的并苯系材料有效地交接电子。 阳127] 此外，并苯系材料的针对电子W及空穴的耐性优良。此外，并苯系材料的热稳定性 也优良。因此，能够实现第一发光元件30AW及第二发光元件30B的长寿命化。此外，并苯 系材料的热稳定性优良，所W在使用气相成膜法来形成发光层的情况下，能够防止由于成 膜时的热导致的主体材料的分解。因此，能够形成具有优良的膜质的发光层，其结果，从运 一点上看，也能够提高第一发光元件30AW及第二发光元件30B的发光效率，并且实现长寿 命化。
[0128] 进而，并苯系材料其自身不易发光，所W也能够防止主体材料对第一发光元件30A W及第二发光元件30B的发光光谱造成不良影响。
[0129] 作为四苯系材料，在一个分子内具有至少一个四苯骨架，并且，只要能够发挥作为 上述那样的主体材料的功能，则没有特别限定，例如，优选使用基本骨架为通过下述化学式 IRH-1来表示的化合物，更优选使用通过下述化学式IRH-2来表示的化合物，进一步优选使 用通过下述化学式IRH-3来表示的化合物。由此，能够抑制连续驱动时的电压上升，能够进 一步提高第一发光元件30AW及第二发光元件30B的发光效率，并且，实现长寿命化。 阳13〇][化学式7]
[0131]
[0132] 在上述化学式IRH-1中，η表示1~12的自然数，R表示取代基或者官能团，分别独 立地表示氨原子、烷基、可W具有取代基的芳基、芳氨基。此外，在上述化学式IRH-2、IRH-3 中，R1~R4分别独立地表示氨原子、烷基、可W具有取代基的芳基、芳氨基。此外，R1~R4 既可W相互相同，也可W不同。
[0133] 此外，用作主体材料的四苯系材料优选由碳原子W及氨原子构成。由此，能够防止 产生主体材料与发光材料的非本意的相互作用。因此，能够提高第一发光元件30AW及第 二发光元件30B的发光效率。此外，能够提高针对电子W及空穴的主体材料的耐性。因此， 能够抑制连续驱动时的电压上升，并且能够实现第一发光元件30AW及第二发光元件30B 的长寿命化。
[0134] 具体来说，作为四苯系材料，例如，优选使用通过下述化学式H1-1~H1-27来表示 的化合物。 阳135][化学式引 阳 136]
阳137][化学式9] 阳13引
[0139] 包括运样的发光材料W及主体材料的发光层33a、33b中的发光材料的含量（渗杂 量）优选为O.Olwt%~lOwt%，更优选为0.Iwt%~5wt%。通过将发光材料的含量设为 运样的范围内，能够使发光效率最优化。
[0140] 此外，发光层33a、33b的平均厚度没有特别限定，优选为Inm~60nm左右，更优选 为3nm~50nm左右。 阳141][电子输送层]
[0142] 电子输送层34具有从阴极37经由电子注入层35而注入的输送电子到发光层 33a、33b的功能。
[0143] 作为电子输送层34的构成材料（电子输送性材料），可列举例如2, 9-二甲 基-4,7-联苯-1，10-菲罗嘟度〔巧等菲罗嘟衍生物、^(8-径基哇嘟）侣（4^3) 等8-径基哇嘟或者将其衍生物设为配体的有机金属络化物等哇嘟衍生物、氮杂吗I嗦 (Azaindolizine)衍生物、嗯二挫衍生物、巧衍生物、化晚衍生物、喀晚衍生物、哇喔嘟衍生 物、二苯基苯酿衍生物、硝基取代二苯并茂衍生物等，能够组合它们当中的一种或者两种W 上来使用。
[0144] 此外，电子输送层34在组合上述那样的电子输送性材料中的两种W上来使用的 情况下，既可W通过混合两种W上的电子输送性材料的混合材料来构成，也可W层叠通过 不同的电子输送性材料构成的多个层来构成。
[0145] 特别是当在发光层33a、33b中作为主体材料使用四苯衍生物的情况下，电子输送 层34优选包括氮杂吗I嗦衍生物。更优选为在分子内具有蔥骨架的氮杂吗I嗦衍生物。能够 从氮杂吗I嗦衍生物分子中的蔥骨架将电子效率地交接给主体材料。 阳146] 作为氮杂吗I嗦衍生物，能够列举W下所示的化学式ETL-A1~A24、E化-B1~B12、 ETl-Cl~C20的化合物。 阳147][化学式10]
[0148]
阳149][化学式11] 阳1加]
阳151][化学式12] 阳K2]
[0153] 电子输送层34的平均厚度没有特别限定，但优选为1皿~200皿左右，更优选为 lOnm~lOOnm左右。
[0154] 此外，在发光层33a、33b与电子注入层35之间设置的层不限定于仅为电子输送层 34。例如，也可W做成包括容易从电子注入层35注入电子的层、容易向发光层33a、33b输 送电子的层、或者控制向发光层33a、33b注入的电子的量的层的多个层。此外，也可W包括 具有阻碍从发光层33a、33b向电子注入层35侧泄漏的空穴的功能的层。
[0155] [电子注入层]
[0156] 电子注入层35具有提高来自阴极37的电子注入效率的功能。 阳157] 作为该电子注入层35的构成材料（电子注入性材料），例如可列举各种的无机绝 缘材料、各种的无机半导体材料。
[0158] 作为运样的无机绝缘材料，可列举例如碱金属硫属化合物（chalcogenide)(氧化 物、硫化物、砸化物、蹄化物）、碱±金属硫属化合物、碱金属的面化物W及碱±金属的面化 物等，能够组合它们当中的一种或者两种W上来使用。通过将它们作为主材料而构成电子 注入层巧IL)，能够进一步提高电子注入性。特别是碱金属化合物（碱金属硫属化合物、碱 金属的面化物等）功函数非常小，通过使用它来构成电子注入层巧IL)，第一发光元件30A W及第二发光元件30B得到高的亮度。 阳159] 作为碱金属硫属化合物，可列举例如Li2〇、LiO、NazS、NazSe、化0等。
[0160] 作为碱±金属硫属化合物，可列举例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等。 阳16U 作为碱金属的面化物，可列举例如CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、化Cl等。 阳16引作为碱±金属的面化物，可列举例如CaFz、BaFz、SrFz、MgFz、BeFz等。 阳163] 此外，作为无机半导体材料，可列举例如包括Li、化、Ba、化、Sr、孔、A1、Ga、In、Cd、 Mg、Si、Ta、SbW及化中的至少一种元素的氧化物、氮化物或者氧氮化物等，能够组合它们 当中的一种或者两种W上来使用。
[0164] 电子注入层35的平均厚度