专利名称：单晶硅边皮的清洗方法
技术领域：
本发明涉及一种表面积不大且形状规则的硅体的清洗方法，尤其涉及一种单晶硅边皮的清洗方 法。
背景技术：
光伏领域中，高纯的晶体硅是太阳能电池的主要基材，其只溶解于硝酸和氢氟酸的混合溶液中，原生的高纯硅体往往会因为长时间暴露在空气中，在硅料表面产生一层细致的膜状氧化层，厚度往往在微米、纳米级，目前常用的做法是通过强力的氧化、溶解能力的硝酸和氢氟酸混合溶液剥离一层，露出崭新的硅体。根据硅体的表面积大小和形状是否规则，分为以下三种情况1、硅体表面积不大，其外观呈珊瑚状，这样的形状结构往往会存在很多盲区，有些细小的缝隙连清洗液体都很难在短时间内克服表面张力进入，或者是进入后出不来，成为了新的污染；2、硅体表面积很大，特别是粉料，颗粒细小、相互叠加，造成很多难以接触到清洗溶液的盲区，即使翻转很快也不可避免，同时也存在很大的损耗；3、硅体表面积不大且形状规则的，如单晶硅边皮，由于在加工过程中表面没有附着特殊的异物， 同时短时间内硅体表面没有缓慢氧化产生氧化薄膜。如果上述三种情况均采用硝酸和氢氟酸混合溶液清洗的惯常做法，就容易造成浪费，即清洗溶液的损耗，同时会出现相应的废酸废气；硅体也容易出现损耗。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题，提供一种单晶硅边皮的清洗方法，其可以避免大量使用酸性溶液，减少大量废酸废气的产生，并同时减少硅体自身的损耗。本发明的目的是通过以下技术方案来实现一种单晶硅边皮的清洗方法，包括如下步骤1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘， 并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μ S/cm。所述步骤1)中使用的有机溶剂可以为酒精、丙酮。所述步骤1)中的油性成分为硅体编号等油性笔字迹和徒手接触硅体产生的油脂成分。所述步骤2)中使用的普通洗涤剂为普通家用洗涤剂。本发明的有益效果为针对表面积不大且形状规则的硅体，特别是单晶硅边皮，所提出该清洗方法，克服了传统清洗方法的浪费，避免了大量使用酸性溶液，减少了大量废酸废气的产生，并同时减少了硅体自身的损耗，通过该方法清洗的产品，经拉晶试验后效果与传统酸洗效果相当。
具体实施方式
于本实施例中，本发明所述的单晶硅边皮的清洗方法，包括如下步骤1)使用酒精等有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的硅体编号等油性笔字迹和徒手接触硅体产生的油脂成分，2)进 液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μ S/cm。
权利要求
1.一种单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘，并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于ΙΟΟμ S/cm。
2.根据权利要求1所述的单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于所述步骤1)中使用的有机溶剂可以为酒精、丙酮。
3.根据权利要求1所述的单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于所述步骤1)中的油性成分为硅体编号等油性笔字迹和徒手接触硅体产生的油脂成分。
4.根据权利要求1所述的单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于所述步骤2)中使用的普通洗涤剂为普通家用洗涤剂。
全文摘要
本发明公开一种单晶硅边皮的清洗方法，包括如下步骤1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘，并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μS/cm。针对表面积不大且形状规则的硅体，特别是单晶硅边皮，所提出该清洗方法，克服了传统清洗方法的浪费，避免了大量使用酸性溶液，减少了大量废酸废气的产生，并同时减少了硅体自身的损耗，通过该方法清洗的产品，经拉晶试验后效果与传统酸洗效果相当。
文档编号B08B3/12GK102380490SQ201110320960
公开日2012年3月21日 申请日期2011年10月20日 优先权日2011年10月20日
发明者俞振明, 杨乐, 王欣 申请人:高佳太阳能股份有限公司