一种贴片整流桥超声清洗工艺的制作方法

文档序号:1456808阅读:210来源:国知局
一种贴片整流桥超声清洗工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种贴片整流桥超声清洗工艺,所述工艺依次包括第一二氯甲烷超声洗,第一水洗、第二水洗以及第一酒精超声波清洗及第二酒精超声波清洗,所述第一二氯甲烷超声洗为超声加温清洗,清洗时超声时间9-14min,温度为28-35°;所述第一二氯甲烷超声洗中二氯甲烷的浓度为100%。本发明的优点在于:本发明的超声清洗工艺中,增设了二氯甲烷加温超声洗,可利用二氯甲烷溶解整流桥焊接过程中残留的松香等助焊剂,提高了二极管表面的清洁度,同时降低了二极管的高温漏电流,提高了二极管的电性能。
【专利说明】一种贴片整流桥超声清洗工艺

【技术领域】
[0001] 本发明属于二极管领域,涉及一种贴片整流桥超声清洗工艺。

【背景技术】
[0002] 根据二极管半导体生产原理,芯片要发挥作用时,必须经过酸腐蚀及酸钝化,二极 管芯片的酸洗工艺依次包括一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水混合清洗以及超声水清洗。
[0003] 目前超声波清洗包括第一水洗、第二水洗、第三水洗、第一酒精超声波清洗及第二 酒精超声波清洗,由于在整流桥焊接过程中焊膏含有松香等助焊剂,焊接后会有残留,直接 进行超声水洗无法清除焊膏中松香等助焊剂的残留物质。


【发明内容】

[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种能够有效清除二极管表面杂质的贴片整流 桥超声清洗工艺。
[0005] 为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种贴片整流桥超声清洗工艺,其创 新点在于:所述工艺依次包括第一二氯甲烷超声洗,第一水洗、第二水洗以及第一酒精超声 波清洗及第二酒精超声波清洗,所述第一二氯甲烷超声洗为超声加温清洗,清洗时超声时 间 9-14 min,温度为 28-35°。
[0006] 进一步地,所述第一二氯甲烷超声洗中二氯甲烷的浓度为100%。
[0007] 进一步地,所述第一水洗与第二水洗的清洗时间为2-3 min。
[0008] 进一步地,所述第一酒精超声波清洗与第二酒精超声波清洗的清洗时间为 l_2min〇
[0009] 本发明的优点在于:本发明的超声清洗工艺中,增设了二氯甲烷加温超声洗,可利 用二氯甲烷溶解整流桥焊接过程中残留的松香等助焊剂,清洗更加彻底,经检测,经过二氯 甲烷加温超声洗后的二极管,显微观察清洁度好,检测高温漏电流I k较小,常规清洗工艺下 125°,IK达到100微安,本发明工艺125°,IK达到50微安以下,提高了二极管表面的清洁 度,同时降低了二极管的高温漏电流,提高了二极管的电性能。

【具体实施方式】
[0010] 实施例1 一种贴片整流桥超声清洗工艺,该工艺依次包括第一二氯甲烷超声洗,第一水洗、第二 水洗以及第一酒精超声波清洗及第二酒精超声波清洗,第一二氯甲烷超声洗为超声加温清 洗,清洗时超声时间9 min,温度为28° ;第一水洗与第二水洗的清洗时间为2-3 min;第一 酒精超声波清洗与第二酒精超声波清洗的清洗时间为l_2min。 toon] 本实施例中,为了提高二极管表面的清洁度,第一二氯甲烷超声洗中二氯甲烷的 浓度为1〇〇%。
[0012] 实施例2 本实施例在实施例1的基础上,改变第一二氯甲烷超声洗,将清洗时间设为lOmin,温 度为30°。
[0013] 实施例3 本实施例在实施例1的基础上,改变第一二氯甲烷超声洗,将清洗时间设为12min,温 度为32°。
[0014] 实施例4 本实施例在实施例1的基础上,改变第一二氯甲烷超声洗,将清洗时间设为14min,温 度为35° 下表为本发明超声清洗与目前超声清洗后的效果比较,分别对1000个产品进行电性 能测试后得出的结果:

【权利要求】
1. 一种贴片整流桥超声清洗工艺,其特征在于:所述工艺依次包括第一二氯甲烷超声 洗,第一水洗、第二水洗以及第一酒精超声波清洗及第二酒精超声波清洗,所述第一二氯甲 烷超声洗为超声加温清洗,清洗时超声时间9-14 min,温度为28-35°。
2. 根据权利要求1所述的贴片整流桥超声清洗工艺,其特征在于:所述第一二氯甲烷 超声洗中二氯甲烷的浓度为100%。
3. 根据权利要求1所述的贴片整流桥超声清洗工艺,其特征在于:所述第一水洗与第 二水洗的清洗时间为2-3 min。
4. 根据权利要求1所述的贴片整流桥超声清洗工艺,其特征在于:所述第一酒精超声 波清洗与第二酒精超声波清洗的清洗时间为l_2min。
【文档编号】B08B3/12GK104384142SQ201410652095
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】蔡彤 , 张练佳, 贲海蛟, 梅余锋 申请人:如皋市易达电子有限责任公司
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