一种高散热性能的整流桥封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种高散热性能的整流桥封装结构，属于半导体微电子技术领域。
【背景技术】
[0002]随着移动资讯产品、家用电器产品以及绿色照明等领域的发展，为其配套的电子产品大量使用到了整流桥、二极管、稳压管等重要元器件，并对这类器件产品的“轻、薄、小、密”提出了更高的要求；高水平的超小型塑封结构，不仅代表了行业技术水平，对后级产品的小型化、更高的功率密度，高可靠性、高安全性等要求至关重要；目前半导体元器件中使用量最大的整流二极管产品，也朝着集成化方向发展，安装了四颗二极管的整流桥封装器件以使用安装方便、功率密度高、占用PCB板面积小、可靠性高等特点，在一些高端产品中得到广泛的应用。
[0003]以表面贴装整流桥为代表的此类表面封装的元器件，在走向小型化的基础上，由于受到结构限制，散热问题却越来越难以解决，其功率密度很难达到设计要求，常温条件自然散热环境下其耗散功率最大只有1.2W。因此需要一种高散热性能的整流桥封装结构，来解决小型化与功率的矛盾。
【发明内容】
[0004]本发明为了克服以下技术的不足，提供了一种高散热性能的整流桥封装结构，该结构能提高整流桥的散热效果和功率密度，并且极大地减少了 PCB板的面积。
[0005]术语解释:
1、SMT:Surface Mount Technology，表面贴装技术。
[0006]2、MBF封装:适合于表面贴装的一种半导体元器件封装形式，具有海鸥形引脚结构。
[0007]本发明克服其技术问题所采用的技术方案是:
一种高散热性能的整流桥封装结构，包括塑封体，塑封体包括上塑封体和下塑封体，下塑封体两个相对的侧面分别对称引出2个引脚；所述引脚为“U”形结构，引脚包括上水平引脚、垂直引脚和下水平引脚，上水平引脚部分嵌设于塑封体内，下水平引脚位于下塑封体的下方。
[0008]根据本发明优选的，所述下塑封体的底面设置有放置下水平引脚的4个凹槽。
[0009]根据本发明优选的，所述下水平引脚部分凸出于凹槽外，且下水平引脚的上表面与凹槽的上表面之间留有空隙。
[0010]根据本发明优选的，所述塑封体的长度D为4.5mm-5.0mm、宽度E为3.6mm-4.1mm、厚度 A 为 1.2mm-1.6mm。
[0011]根据本发明优选的，所述引脚的宽度e为0.5mm_0.8mm、厚度c为0.15mm-0.22mm,同一侧面的两个引脚之间的间距d为2.3mm-2.7mm ;垂直引脚的长度a为0.8mm-1.0mm,下水平引脚的长度b为0.7mm-0.95mm。
[0012]根据本发明优选的，所述引脚为表面镀锡的铜。
[0013]本发明的有益效果是:
1、本发明将引脚设计成“U”形结构，在兼容市场上大多数类似封装的情况下，有着良好的散热效果，使得封装的产品有更低的热阻，在提高散热效果的同时，还使得占用PCB板的面积减少约30%，封装的功率密度(W/mm2)较以前的MBF提高大约5%，更适合节能灯、LED灯、充电器等电路的小型化应用。
[0014]2、本发明的塑封体为方形，能够同时封装4颗二极管芯片，组成整流桥，能容许封装更大尺寸的芯片，最大达到56mil，进一步提升了封装的宽容度，使得最大芯片封装尺寸接近芯片级封装的水平。
[0015]3、本发明在功率器件集成化应用中，可以替代4颗二极管芯片产品组成桥式整流电路，使用安装方便并且节约成本。
[0016]4、本发明的整流桥厚度很薄，能满足后级产品的小型化、超薄化要求。
【附图说明】
[0017]图1为本发明的主视结构示意图。
[0018]图2为本发明的俯视结构示意图。
[0019]图3为本发明的侧视结构示意图。
[0020]图4为本发明的仰视结构示意图。
[0021]图5为本发明的A引线框结构示意图。
[0022]图6为本发明的B引线框结构示意图。
[0023]图7为本发明的A和B引线框组合形成整流桥的结构示意图。
[0024]图中，1、塑封体，2、引脚，11、上塑封体，12、下塑封体，21、上水平引脚，22、垂直引脚，23、下水平引脚，121、凹槽。
【具体实施方式】
[0025]为了便于本领域人员更好的理解本发明，下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明，下述仅是示例性的不限定本发明的保护范围。
[0026]本发明的高散热性能的整流桥封装结构，首先，如图5、6所示，分别在A引线框和B引线框的芯片承载区上涂覆锡膏，各放上2颗二极管芯片，其中A引线框和B引线框均为铜框架，二极管芯片为25mil-56mil。
[0027]然后，将B引线框压合在A引线框上，用一类冶金键合方法焊接得到如图7所示的包含4颗二极管芯片的整流桥，所述A/B引线框为一体结构，无跳片，使得热流回路更短，且可双向进行散热。
[0028]再将整流桥放置于下塑封体12内，下塑封体12的两个相对的侧面分别对称引出A引线框和B引线框的2个引脚2，所述引脚2为表面镀锡的铜，然后将上塑封体11覆盖于下塑封体12之上。
[0029]将4个引脚2向下折弯，形成“U”形结构，即引脚2包括上水平引脚21、垂直引脚22和下水平引脚23，如图1所示，所述上水平引脚21是部分嵌设于塑封体内的，下水平引脚23放置于下塑封体12底面的凹槽121中，如图4所示，但部分凸出于凹槽121外，而且下水平引脚23的上表面与凹槽121的上表面之间留有空隙，即，使得下水平引脚23与凹槽121不相接触。
[0030]优选的，如图2、3所示，本发明塑封体I的长度D为4.7mm、宽度E为3.8mm、厚度A为1.4mm ;引脚2的宽度e为0.6mm、厚度c为0.15-0.2mm,同一侧面的两个引脚之间的间距d为2.5mm ;垂直引脚22的长度a为0.9mm，下水平引脚23的长度b为0.8mm。
[0031]本发明将引脚设计成“U”形结构，在兼容市场上大多数类似封装的情况下，有着良好的散热效果，使得封装的产品有更低的热阻，在提高散热效果的同时，还使得占用PCB板的面积减少约30%，封装的功率密度(W/mm2)较以前的MBF提高大约5%，更适合节能灯、LED灯、充电器等电路的小型化应用，满足后级产品的小型化、超薄化要求。
【主权项】
1.一种高散热性能的整流桥封装结构，包括塑封体(1)，塑封体包括上塑封体(11)和下塑封体(12)，下塑封体(12)两个相对的侧面分别对称引出2个引脚(2)，其特征在于:所述引脚(2)为“U”形结构，引脚(2)包括上水平引脚(21)、垂直引脚(22)和下水平引脚(23)，上水平引脚(21)部分嵌设于塑封体内，下水平引脚(23)位于下塑封体的下方。2.根据权利要求1所述的高散热性能的整流桥封装结构，其特征在于:所述下塑封体(12)的底面设置有放置下水平引脚的4个凹槽(121)。3.根据权利要求2所述的高散热性能的整流桥封装结构，其特征在于:所述下水平引脚(23)部分凸出于凹槽(121)外，且下水平引脚(23)的上表面与凹槽(121)的上表面之间留有空隙。4.根据权利要求1所述的高散热性能的整流桥封装结构，其特征在于:所述塑封体(I)的长度 D 为 4.5mm-5.0mm、宽度 E 为 3.6mm-4.1mm、厚度 A 为 1.2mm-1.6mm。5.根据权利要求1或4所述的高散热性能的整流桥封装结构，其特征在于:所述引脚(2)的宽度e为0.5mm-0.8mm、厚度c为0.15mm-0.22mm,同一侧面的两个引脚之间的间距d为2.3mm-2.7mm ;垂直引脚(22)的长度a为0.8mm-1.0mm,下水平引脚(23)的长度b为0.7mm-0.95mm06.根据权利要求1所述的高散热性能的整流桥封装结构，其特征在于:所述引脚(2)为表面镀锡的铜。
【专利摘要】本发明的高散热性能的整流桥封装结构，包括塑封体，塑封体包括上塑封体和下塑封体，下塑封体两个相对的侧面分别对称引出2个引脚；所述引脚为“U”形结构，引脚包括上水平引脚、垂直引脚和下水平引脚，上水平引脚部分嵌设于塑封体内，下水平引脚位于下塑封体的下方。本发明将引脚设计成“U”形结构，在兼容市场上大多数类似封装的情况下，有着良好的散热效果，使得封装的产品有更低的热阻，在提高散热效果的同时，还使得占用PCB板的面积减少约30%，封装的功率密度（W/mm2）较以前的MBF提高大约5%，更适合节能灯、LED灯、充电器等电路的小型化应用。
【IPC分类】H01L23/31, H01L23/49, H01L25/07, H01L23/367
【公开号】CN105070703
【申请号】CN201510417956
【发明人】孔凡伟, 贺先忠, 段花山, 陆新城, 刘君
【申请人】山东晶导微电子有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月16日