专利名称：一种中波红外导电膜窗口的制作方法
技术领域：
本发明属于导电膜技术领域，具体涉及一种中波红外导电膜窗口。
背景技术：
中波红外导电膜窗口由基底和中波红外导电膜组成。其中，中波红外导电膜是指在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能的膜层。目前中波红外导电膜主要采用金属网栅结构技术制作，但该技术对光学零件表面加工工艺要求极高，导致生产成本高；而且其网栅结构会产生光的衍射、减低实际到达光电探测器的能量及产生杂散光等不足。
发明内容
本发明的目的是提供一种在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能，且对光学零件表面加工工艺要求低、生产成本低、对光电探测器不会产生杂散光的中波红外导电膜窗口。本发明是这样实现的一种中波红外导电窗口，包括基底和中波红外导电膜，中波红外导电膜包覆在基底上；所述的中波红外导电膜为在中波红外波段具有高透过率、且具有导电功能的中波红外导电膜。如上所述的中波红外导电膜由中波红外导电膜层、匹配减反射膜层和金属电极组成。如上所述的中波红外导电膜层在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能。如上所述的中波红外导电膜层由特制材料制成，它包覆在基底的光学应用表面上；中波红外导电膜层厚度为500-1000nm。如上所述的特制材料含硅80-90%、含铝10-20%。如上所述的匹配减反射膜层包覆在中波红外导电膜层上、位于中波红外导电膜层上中间的位置，它的一侧底端的外边缘比中波红外导电膜层顶端的外边缘的距离为 5-10mmo如上所述的匹配减反射膜层匹配减反射膜层由锗膜层和氧化铝膜层组成，其中，锗膜层包覆在中波红外导电膜层上，氧化铝膜层包覆在锗膜层上，锗膜层的厚度为 3000nm 5000nm，氧化铝膜层的厚度为5000nm 7000nm。如上所述的金属电极包覆在中波红外导电膜层上、匹配减反射膜层的两侧，它的厚度为 1000-2000nm。如上所述的金属电极由金制成。如上所述的基底由氟化镁光学镜片材料制成，它支撑中波红外导电膜的一侧带有光学应用表面。本发明的有益效果是本发明采用由特制材料制成的中波红外导电膜层2，使中波红外导电窗口在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能。采用匹配减反射膜层3，减小了中波红外导电膜层2的反射率，提高了中波红外导电窗口的整体透过率。采用金属电极4，使中波红外导电窗口与中波红外导电窗口匹配安装的壳体有效连接。通过采用由中波红外导电膜层2、匹配减反射膜层3和金属电极4组成的中波红外导电膜结构，使中波红外导电窗口在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能，且在加工过程中可采用现有的镀膜工艺，降低了对光学零件表面加工工艺的要求和生产成本，避免了采用现有技术中的网栅结构带来的问题。
图1是本发明的一种中波红外导电膜窗口的结构原理图；图中1.基底，2.中波红外导电膜层，3.匹配减反射膜层，4.金属电极。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明的一种中波红外导电膜窗口进行介绍如图1所示，一种中波红外导电窗口，包括基底1和中波红外导电膜。其中，基底1 由氟化镁光学镜片材料制成，它支撑中波红外导电膜的一侧带有光学应用表面。中波红外导电膜包覆在基底1上，它在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能。中波红外导电膜由中波红外导电膜层2、匹配减反射膜层3和金属电极4组成。所述的中波红外导电膜层2由特制材料制成，它在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能。中波红外导电膜层2包覆在基底1的光学应用表面上。中波红外导电膜层2厚度为 500-1000nm,如 500nm、750nm 或 IOOOnm ；上述特制材料含硅 80-90 %，如 80 %、85 % 或 90 % ； 含铝 10-20%，如 10%、15%或 20%。匹配减反射膜层3包覆在中波红外导电膜层2上、位于中波红外导电膜层2上中间的位置，它的一侧底端的外边缘比中波红外导电膜层2顶端的外边缘的距离为5-10mm。 匹配减反射膜层3用于减小中波红外导电膜层2的反射率，提高中波红外导电窗口的整体透过率。匹配减反射膜层3由锗膜层和氧化铝膜层组成，其中，锗膜层包覆在中波红外导电膜层2上，氧化铝膜层包覆在锗膜层上，锗膜层的厚度为3000nm 5000nm，如3000nm、 4000nm 或 5000nm ；氧化招膜层的厚度为 5000nm 7000nm，如 5000nm、6000nm 或 7000nm。金属电极4包覆在中波红外导电膜层2上、匹配减反射膜层3的两侧，金属电极4 由金制成，它的厚度为1000-2000nm，如lOOOnm、1500nm或2000nm。本发明采用由特制材料制成的中波红外导电膜层2，使中波红外导电窗口在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能。采用匹配减反射膜层3，减小了中波红外导电膜层2的反射率，提高了中波红外导电窗口的整体透过率。采用金属电极4，使中波红外导电窗口与中波红外导电窗口匹配安装的壳体有效连接。通过采用由中波红外导电膜层2、匹配减反射膜层3和金属电极4组成的中波红外导电膜结构，使中波红外导电窗口在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能，且在加工过程中可采用现有的镀膜工艺，降低了对光学零件表面加工工艺的要求和生产成本，避免了采用现有技术中的网栅结构带来的问题。
权利要求
1.一种中波红外导电窗口，包括基底(1)和中波红外导电膜，中波红外导电膜包覆在基底(1)上；其特征在于所述的中波红外导电膜为在中波红外波段具有高透过率、且具有导电功能的中波红外导电膜。
2.根据权利要求1所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的中波红外导电膜由中波红外导电膜层O)、匹配减反射膜层C3)和金属电极(4)组成。
3.根据权利要求1或2所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的中波红外导电膜层( 在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能。
4.根据权利要求1-3任何一项所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的中波红外导电膜层⑵由特制材料制成，它包覆在基底⑴的光学应用表面上；中波红外导电膜层(2)厚度为500-1000nm。
5.根据权利要求4所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的特制材料含硅 80-90%、含铝 10-20%。
6.根据权利要求1-3任何一项所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的匹配减反射膜层( 包覆在中波红外导电膜层( 上、位于中波红外导电膜层( 上中间的位置，它的一侧底端的外边缘比中波红外导电膜层( 顶端的外边缘的距离为5-10mm。
7.根据权利要求1-3任何一项所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的匹配减反射膜层(3)由锗膜层和氧化铝膜层组成，其中，锗膜层包覆在中波红外导电膜层O) 上，氧化铝膜层包覆在锗膜层上，锗膜层的厚度为3000nm 5000nm，氧化铝膜层的厚度为 5000nm 7000nm。
8.根据权利要求1-3任何一项所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的金属电极(4)包覆在中波红外导电膜层(2)上、匹配减反射膜层(3)的两侧，它的厚度为 1000-2000nm。
9.根据权利要求1-3任何一项所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的金属电极由金制成。
10.根据权利要求1-3任何一项所述的一种中波红外导电窗口，其特征在于所述的基底(1)由氟化镁光学镜片材料制成，它支撑中波红外导电膜的一侧带有光学应用表面。
全文摘要
本发明属于导电膜技术领域，具体涉及一种中波红外导电膜窗口，目的提供一种对光学零件表面加工工艺要求低、生产成本低、对光电探测器不会产生杂散光的中波红外导电膜窗口。一种中波红外导电窗口，包括基底(1)和中波红外导电膜，中波红外导电膜包覆在基底(1)上；其特征在于所述的中波红外导电膜在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能。本发明采用由中波红外导电膜层、匹配减反射膜层和金属电极组成的中波红外导电膜结构，使中波红外导电窗口在中波红外波段具有高透过率，且具有导电功能，且在加工过程中可采用现有的镀膜工艺，降低了对光学零件表面加工工艺的要求和生产成本，避免了采用现有技术中的网栅结构带来的问题。
文档编号C03C17/34GK102476923SQ20101056025
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月25日 优先权日2010年11月25日
发明者季一勤, 庄克文, 邢宇哲 申请人:中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所