专利名称：高导磁率的微晶材料的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种高导磁率的微晶材料。
背景技术：
微晶材料又称玻璃陶瓷。它是由某些特定配方组成的各种硅酸盐原料，通过特定的温度制度或(和)光照(称光敏)处理受控微晶化而形成的具有特定优异性能的微晶相和残余硅酸盐相组成的多相固体材料。目前，市场上有一种具有导磁率的微晶材料，该微晶材料包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为83. 38%、铌元素所占的质量百分比为5. 66%、铜元素所占的质量百分比为I. 29%、硅元素所占的质量百分比为7. 7%、硼元素所占的质量百分 比为I. 97%，这种微晶材料的导磁率为100000亨利/米，最大导磁率为300000亨利/米。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种导磁率与最大导磁率都更大的高导磁率的微晶材料。为解决上述问题，本发明采用的技术方案是高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 44±0. 05%、铌元素所占的质量百分比为7. 51 ±O. 03%、铜元素所占的质量百分比为I. 67±O. 02%、娃元素所占的质量百分比为 8. 38±0· 1%ο本发明的有益效果是上述高导磁率的微晶材料,其导磁率为150000亨利/米，最大导磁率为420000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
具体实施例方式下面通过具体实施例对本发明高导磁率的微晶材料进一步描述。实施例一高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 49%、银元素所占的质量百分比为7. 49%、铜元素所占的质量百分比为I. 66%、娃元素所占的质量百分比为8. 36%。实施例二 高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 39%、银元素所占的质量百分比为7. 53%、铜元素所占的质量百分比为I. 69%、娃元素所占的质量百分比为8. 39%。实施例三高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 47%、银元素所占的质量百分比为7. 51%、铜元素所占的质量百分比为I. 65%、娃元素所占的质量百分比为8. 37%。
权利要求
1.高导磁率的微晶材料，其特征在于所述高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 44±0. 05%、铌元素所占的质量百分比为7.51±0. 03 %、铜元素所占的质量百分比为I. 67±O. 02 %、娃元素所占的质量百分比为8.38±0· 1%ο
全文摘要
本发明涉及一种高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.44±0.05％、铌元素所占的质量百分比为7.51±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.67±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.38±0.1％，其导磁率为150000亨利/米，最大导磁率为420000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
文档编号C03C10/00GK102875024SQ20121039878
公开日2013年1月16日 申请日期2012年10月19日 优先权日2012年10月19日
发明者朱正才 申请人:张家港市清大星源微晶有限公司