专利名称：垂直的磁记录头以及磁盘装置的制作方法
技术领域：
本发明的背景本发明涉及一种垂直的磁记录头以及一种使用此垂直的磁记录头的磁盘装置。
一个垂直的记录系统的一个普通的磁盘装置具有一个双层的垂直的磁记录载体，包括一种高导磁率材料制成的一个软磁底层和一个垂直的记录层，它在垂直于它的薄膜平面的方向上具有磁各向异性，它们是形成在一个磁盘基片上，以及一个单磁极记录头，包括一个主磁极和一个辅助磁极，每个是由高导磁率材料制成的。辅助磁极使用于在记录工作时有效地传导一个磁通量。
当一个垂直的记录系统的普通的磁盘装置要求达到一个较高的记录密度时，产生一个严重的问题是，原先记录在记录载体上的信号被一个弱磁场损坏或擦除，这个弱磁场是在记录工作时由辅助磁极泄漏的。
顺便地说，美国专利No.4,873,599公开一种技术，它使用一个辅助磁极，其导磁率在磁头移动的方向上由它的每个边缘至中心逐渐地增加，以克服在辅助磁场的边缘内产生的脉冲噪声的增加。然而，在此技术中不可能基本上克服以上所述的已记录在记录载体内的信号的损坏和擦除的问题。
还有，由于普通的单磁极记录头对于干扰磁场具有高的敏感性，它有可能使干扰磁场引起原先记录的信息的损坏和擦除。因此，建议一种结构，使一个写入屏蔽排列在单磁极记录头的后侧面，以抑制干扰磁场的渗透(见美国专利No.5,311,387)。这种特殊的结构使有可能防止直接在主磁极下面的区域内的信号降级。然而，这种结构引起一个问题是，在记录工作时由主磁极产生的磁场被引入写入屏蔽内，引起来自写入屏蔽的一个弱泄漏磁场，它损坏或擦除原先记录的信号。
本发明的简要概述按照本发明的一个方面的一个垂直的磁记录头包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场；以及一个辅助磁极，在一个至主磁极的后侧面上与主磁极连接，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
按照本发明的另一个方面的一个垂直的磁记录头包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场；一个辅助磁极，在一个至主磁极的前侧面上与主磁极连接；以及一个写入屏蔽，排列为在一个至主磁极的后侧面上远离主磁极，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
按照本发明的另一方面的一个磁盘装置包括一个双层的垂直的记录载体，包括一个软磁底层和一个垂直的记录层，它们形成在一个基片上；以及一个垂直的磁记录头，包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场，以及一个辅助磁极，在一个至主磁极的后侧面上与主磁极连接，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
按照本发明的另一方面的一个磁盘装置包括一个双层的垂直的记录载体，包括一个软磁底层和一个垂直的记录层，它们成形在一个基片上；以及一个垂直的磁记录头，包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场，一个辅助磁极，在一个至主磁极的前侧面与主磁极连接，以及一个写入屏蔽，排列为在一个至主磁极的后侧面上远离主磁极，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
在本发明中，写入屏蔽可以具有这样一个厚度，使每个边缘部分比中心部分厚，或者具有磁性层和非磁性层的这样的一个叠层数目，使在每个边缘部分比在一个中心部分的大。
附图的简要说明
图1是一个透视图，示出按照本发明的实施例1的垂直的磁盘装置中使用的磁头和磁盘；
图2是一个顶视图，示出图1中的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图3是一个垂直的剖面图，示出图1中的磁头，它是在主磁极的中心位置在磁道方向上垂直于磁盘剖切的；图4是一个曲线图，示出当使用实施例1或比较的实例时在磁道宽度方向上的输出型面；图5是一个顶视图，示出按照实施例1的一个改型的一个磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图6是一个透视图，示出按照本发明的实施例2的垂直的磁盘装置中使用的磁头和磁盘；图7是一个顶视图，示出图6中的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图8是一个垂直的剖面图，示出图6中的磁头，它是在主磁极的中心位置在磁道方向上垂直于磁盘剖切的；图9是一个曲线图，示出当使用实施例2或比较的实例时在磁道宽度方向上的输出型面；图10是一个顶视图，示出按照实施例2的一个改进型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图11是一个顶视图，示出按照本发明的实施例3的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图12是一个曲线图，示出当使用实施例3或比较的实例时在磁道宽度方向上的输出型面；图13是一个顶视图，示出按照实施3的一个改型的一个磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图14是一个顶视图，示出按照图13中磁头的一个改型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图15是一个顶视图，示出按照本发明的实施例4的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图16是一个曲线图，示出当使用实施例4或比较的实例时在磁道宽度方向上的输出型面；图17是一个顶视图，示出按照实施例4的一个改型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图18是一个顶视图，示出按照本发明的实施例5的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的；图19是一个曲线图，示出当使用实施例5或比较的实例时在磁道宽度方向上的输出型面；图20是一个顶视图，示出按照实施例5的一个改型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。
本发明的详细说明本发明人进行过研究以弄清在记录工作中为何由辅助磁极或写入屏蔽产生泄漏的磁场。已经发现，一些大的磁畴有可能形成在辅助磁极或写入屏蔽的磁道宽度方向上的边缘部分内，在此处磁场是集中的，引起一个泄漏磁场。因此希望的是，应有效地减少磁畴，以抑制来自辅助磁极或写入屏幕的泄漏磁场。
在本发明的一个实施例中，辅助磁极是在一个至主磁极的后侧面上与主磁极连接的，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。这个特殊的辅助磁极使有可能减少在它们两者的在磁道宽度方向上边缘部分内的磁畴，从而抑制在记录工作时的泄漏磁场并且导致有可能防止原先记录的信号被损坏和擦除。
对于辅助磁极一个三层结构是足够的，在其中一个磁性层，一个非磁性层和另一个磁性层叠层到一起。然而，也有可能增加磁性层和非磁性层的叠层的数目，从而进一步减少形成在磁道宽度方向上的辅助磁极的边缘部分内的磁畴。
在本发明的另一实施例中，一个写入屏蔽排列在至主磁极的后侧面上远离主磁极，以及写入屏蔽形成为一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。这种特殊的写入屏蔽使它有可能减少在磁道宽度方向上它们两者的边缘部分内的磁畴，从而抑制在记录工作时的泄漏磁场，并且有可能导致防止原先记录的信号被损坏和擦除。
对于写入屏蔽一个三层结构是足够的，在其中一个磁性层，一个非磁性层和另一个磁性层叠层到一起。然而，也有可能增加磁性层和非磁性层的叠层的数目，从而进一步减少在磁道宽度方向上的写入屏蔽的边缘部分内的磁畴。
在本发明中，辅助磁极或写入屏蔽用的磁性层的材料包括软磁材料，比如钴基磁性合金，坡莫合金(Permalloy)，铁硅铝合金(Sendust)。
在本发明中，辅助磁极或写入屏蔽用的非磁性层的材料包括钛(Ti)，钌(Ru)，钽(Ta)，金(Au)，铂(Pt)，铜(Cu)和碳(C)，它们是用上述的软磁材料高度可湿的。还可能使用氧化硅(SiO2)或氧化铝(Al2O3)作为非磁性层的材料。
本发明的各实施例现在将结合参见附图予以说明。
(实施例1)图1是一个透视图，示出按照本发明的实施例1的垂直的磁记录装置内使用的磁头和磁盘。图2是一个顶视图，示出图1内的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。图3是一个垂直剖面图，示出图1内的磁头，它是在主磁极的中心位置在磁道方向上垂直于磁盘剖切的。
磁盘10包括磁盘基片11和软磁底层12和垂直的记录层13，在垂直于磁盘平面的方向上具有各向异性，它们形成在基片11上。磁头20，它是一个分离型的磁头，包括读出头30和写入头40，它们分离地形成在一个磁头基片上(未示出)。读出头30包括下屏蔽31，读出元件32，例如一个大磁阻元件(GMR元件)以及上屏蔽33。GMR元件排列在下屏蔽31和上屏蔽33之间形成的读出间隙内。写入头40包括主磁极41和辅助磁极42，排列在至主磁极41的后侧面上，它借助连接段43连接。线圈44是围绕连接段43缠绕的。主磁极41在一个垂直于磁盘的方向上产生一个记录磁场。辅助磁极42具有一个多层的结构，在其中一个磁性层42f，一个非磁性层42n和另一个磁性层42f是叠层的。辅助磁极42的末端段42l是成形为凸起朝向主磁极41，从而接近主磁极41。
如图3所示，在磁盘10的软磁底层12和主磁极41或辅助磁极42之间的最短的距离用K表示。为了优化记录效应，主磁极41和辅助磁极42的末端段42l之间的最短距离应设计为K的约1至5倍。
在本实施例中，由于辅助磁极42形成在至主磁极41的后侧面上，它形成为一个多层的结构，在其中非磁性层42n夹置在两个磁性层42f和42f之间，它有可能减少在辅助磁极42的磁道宽度方向上在边缘部分内的磁畴，从而抑制在记录工作时的泄漏磁场，使它有可能防止原先记录的信号被损坏和擦除。
现在，为证实上述的效应而进行的实验的结果说明如下。图1至3所示的实施例1用的一个磁头按以下方式制造。在磁头的主磁极41和辅助磁极42之间的最短的距离设计为0.2μm。辅助磁极42具有厚度为2μm，高度为15μm和宽度为40μm。作为一个比较的实例，一个磁头具有一个结构与图1至3的类似，不同之处是辅助磁极是由单独的磁性层形成和制造的。
垂直的磁记录是使用每个磁头进行的。磁头的飞行高度是控制为提供0.1μm的距离在主磁极41和磁盘10的软磁底层12的表面之间。在第一阶段，信号是以一个单独的频率40MHz记录越过磁盘10的整个表面。随后，信号是以一个频率150MHz在一个目标磁道内重复地记录1000次。然后，首先记录的信号由定位在径向方向上离目标磁道在±50nm范围内的各磁道复现。图4是一个曲线图，示出在磁道宽度方向上的探测的输出(mV)的型面。(在径向方向上)。
如图4所示，在使用比较的实例用的磁头的情况下，在磁道宽度的方向上相当于辅助磁极的边缘部分的各磁道内观察到输出的一个降级为约14％，而这时记录是在目标磁道上进行的。另一方面，在使用实施例1用的磁头的情况下，输出的降级较低，即约1.1％。
图5是一个顶视图，示出按照实施例1的一个改型的一个磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。在此改型中，辅助磁极42是排列在至主磁极41的后侧面上，形成为一个叠层的结构，在其中六层磁性层42f和五层非磁性层42n是交替地叠层的。在这里形成辅助磁极42的磁性层42f和非磁性层42n的数目在改型中与实施例1的比较是增加的，它有可能更有效地抑制来自辅助磁极42的两个边缘部分的泄漏磁场。
(实施例2)图6是一个透视图，示出按照本发明的实施例2的垂直的磁记录装置中使用的磁头和磁盘。图7是一个顶视图，示出图6中的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。图8是一个垂直的剖面图，示出图6中的磁头，它是在主磁极的中心位置在磁道方向上剖切的。磁盘10包括磁盘基片11和软磁底层12以及垂直的记录层13，在垂直于磁盘平面的方向上具有各向异性，它们形成在基片11上。
磁头20，它是一种分离型的磁头，包括读出头30和写入头40，它们是分离地形成在一个磁头基片上(未示出)。写入头30包括下屏蔽31，读出元件32，例如一个大磁阻元件(GMR元件)，以及上屏蔽33。GMR元件32排列在下屏蔽31和上屏蔽33之间形成的读出间隙内。写入头40包括主磁极41和辅助磁极42，排列在至主磁极41的前侧面上，它借助连接段43连接。辅助磁极42形成为一个多层的结构，在其中一个磁性层42f，一个非磁性层42n和另一个磁性层42f是叠层的。线圈44是围绕连接段43缠绕的。再者，写入屏蔽45排列为在至主磁极41的后侧面上远离主磁极41，并且带有一个绝缘薄膜(未示出)夹置在它们之间。写入屏蔽45使用于抑制一个干扰磁场渗透进入写入头。写入屏蔽45具有一个多层的结构，在其中一个磁性层45f，一个非磁性层45n和另一个磁性层45f是叠层的。写入屏蔽45可以是由磁头的空气轴承表面(ABS)凹陷的。
如图8所示，磁盘10的软磁底层12的表面和主磁极41或写入屏蔽45之间的最短的距离用K表示。为了优化对干扰磁场的磁阻，主磁极41和写入屏蔽45之间的最短距离应设计为K的约1至50倍。
在本实施例中，由于写入屏蔽45形成在至主磁极41的后侧面上，它形成为一个多层的结构，在其中非磁性层45n是夹置在两个磁性层45f和45f之间，它有可能减少在写入屏蔽45的磁道宽度方向上在边缘部分内的磁畴，从而抑制在记录工作时的泄漏磁场，使它有可能防止原先记录的信号被损坏和擦除。
图6至8所示的实施例2用的一个磁头按以下的方式制造。在主磁极41和写入屏蔽45之间的最短距离设计为2μm。写入屏蔽45具有厚度为2μm，高度为8μm，以及宽度为70μm。作为一个比较的实例，一个磁头具有一个结构与图6至8所示的类似，不同之处是写入屏蔽是由单独的磁性层形成和制造的。
垂直的磁记录是使用每个磁头进行的，磁头的飞行高度是控制为提供0.1μm的距离在主磁极41和磁盘10的软磁底层12的表面之间。在第一阶段，信号是以一种单独的频率40MHz记录越过磁盘的整个表面。随后，信号是以一个频率150MHz在一个目标磁道内重复地记录1000次。然后，首先记录的信号由定位在径向方向上离目标磁道±50nm范围内的各磁道复现。图9是一个曲线图，示出在磁道宽度方向上的输出型面。
如图9所示，在使用比较的实例用的磁头的情况下，在磁道宽度的方向上相当于写入屏蔽的边缘部分的各磁道内观察到输出的一个降级为约13％，而这时记录是在目标磁道上进行的。另一方面，在使用实施例2用的磁头的情况下，输出的降级较低，即约0.9％。
图10是一个顶视图，示出按照实施例2的一个改型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。在此改型中，写入屏蔽46排列在至主磁极41的后侧面上以及形成为一个叠层的结构，在其中四个磁性层46f和三个非磁性层46n是交替地叠层的。在这里形成写入屏蔽46的磁性层46f和非磁性层46n的数目在改型中与在实施例中的比较是增加的，它有可能更有效地抑制来自写入屏蔽46的两个边缘部分的泄漏磁场。
(实施例3)图11是一个顶视图，示出按照本发明的实施例3的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。图11所示的磁头与参见图7说明的实施例2的磁头在结构上类似，不同之处是写入屏蔽的形状。图11中所示的磁头和图7中所示的磁头之间的差别主要地在下列说明中解释。
写入屏蔽51排列为在至主磁极41的后侧面上远离主磁极41，并且带有绝缘薄膜(未示出)夹置在它们之间。写入屏蔽51具有一个多层的结构，在其中一个磁性层51f，一个非磁性层51n和另一个磁性层51f是叠层的。在本实施例中，也提供了与实施例2相同的效应。这就是，由于写入屏蔽51形成为一个多层的结构，它有可能减少在磁道宽度方向上在边缘部分内的磁畴，从而抑制在记录工作时的泄漏磁场，使它有可能防止原先记录的信号被损坏和擦除。
再者，本实施例中的写入屏蔽51是形成为这样的，使在磁道宽度方向上的两个边缘部分与中心部分比较是朝向前侧面倾斜的。写入屏蔽51具有特殊的形状，它的一个功能是抑制干扰磁场的渗透，不仅来自磁道方向的，也包括来自磁道宽度方向的。写入屏蔽51可以是由磁头的空气轴承表面(ABS)凹陷的。
为证实上述的效应而进行的实验的结果说明如下。
图11所示的实施例3用的一个磁头按以下方式制造。在主磁极41和写入屏蔽51之间的最短距离设计为1.5μm。写入屏蔽51具有厚度为2μm，高度为15μm和宽度为90μm。
作为一个比较的实例，磁头具有一个结构与图11所示的类似。不同之处是写入屏蔽是由单独的磁性层形成和制造的。
垂直的磁记录是使用每个磁头进行的。磁头的飞行高度是控制为提供0.1μm的距离在主磁极41和磁盘10的软磁底层12的表面之间。在第一阶段，信号是以一个单独的频率40MHz记录越过磁盘10的整个表面。随后，信号是以一个频率150MHz在一个目标磁道内重复地记录1000次。然后首先记录的信号由定位在径向方向上离目标磁道±50nm范围内的各磁道复现。图12是一个曲线图，示出在磁道宽度方向上的输出型面。
如图12所示，在使用比较的实例用的磁头的情况下，在相当于写入屏蔽51的边缘部分的各磁道内观察到输出的一个降级为约25％，此部分是由末端延伸的倾斜部分，而这时记录是在目标磁道上进行的。另一方面，在使用实施例3用的磁头的情况下，输出的降级较低，即约0.8％。
图13是一个顶视图，示出按照本发明的实施例3的一个改型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。在此改型中，写入屏蔽52具有一个叠层的结构，在其中一个磁性层52f，一个非磁性层52n和另一个磁性层52f是交替地叠层的。图13所示的磁头与图11所示的磁头的区别是，后侧面上的磁性层52f制成为至写入屏蔽52的末端的倾斜部分起在每个边缘部分内较厚。
图14是一个顶视图，示出按照图13的一个改型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。在此改型中，写入屏蔽53具有一个形状，整体上与图13内的写入屏蔽52类似，但其磁性层53f和非磁性层53n的数目比图13内的大。再者，在写入屏蔽53内，包括在两个边缘部分内的磁性层53f和非磁性层53n的数目比在中心部分内的大。
(实施例4)图15是一个顶视图，示出按照本发明的实施例4的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。图15所示的磁头与参见图7的实施例2用的磁头类似，不同之处是写入屏蔽的形状。图15中所示磁头和图7中所示磁头之间在结构上的区别将主要地在下列说明中解释。
写入屏蔽61排列为在至主磁极41的后侧面上远离主磁极41，并且带有一个绝缘薄膜(未示出)夹置在它们之间。写入屏蔽61具有一个多层的结构，在其中一个磁性层61f，一个非磁性层61n和另一个磁性层61f是叠层的。在本实施例中，也提供了与实施例2相同的效应。这就是，由于写入屏蔽61形成为一个多层的结构，它有可能减少在磁道宽度方向上在边缘部分内的磁畴，从而抑制在记录工作时的泄漏磁场，使有可能防止原先记录的信号被损坏和擦除。
应该注意，在本实施例中的写入屏蔽61是构造为这样的，沿后侧面上的磁性层61f制成为在磁道宽度方向上在两个边缘部分的每一个内比在中心部分厚。在这种特殊的结构的写入屏蔽61排列的情况下，在两个边缘部分的每一个内的磁通密度降低，以及泄漏磁场比图7的情况小。写入屏蔽61可以是由磁头的空气轴承表面(ABS)凹陷的。
图15所示的实施例4用的一个磁头可以按以下方式制造。在主磁极41和写入屏蔽61之间的最短距离设计为2μm。写入屏蔽61具有厚度在薄的部分为1.5μm，在厚的部分为3μm，高度为8μm，以及宽度为80μm。作为一个比较的实例，磁头具有一个结构与图15所示的类似，不同之处是写入屏蔽是由单独的磁性层形成和制造的。
垂直的磁记录是使用每个磁头进行的。磁头的飞行高度是控制为提供0.1μm的距离在主磁极41和磁盘10的软磁底层12的表面之间。在第一阶段，信号是以一个单独的频率40MHz记录越过磁盘10的整个表面。随后，信号是以一个频率150MHz在一个目标磁道内重复地记录1000次。然后首先记录的信号由定位在径向方向上离目标磁道±50nm范围内的各磁道复现。图16是一个曲线图，示出在磁道宽度方向上的输出型面。
如图16所示，在使用比较的实例用的磁头的情况下，在相当于在磁道宽度的方向上写入屏蔽的边缘部分的各磁道内观察到输出的一个降级为约12％，而这时记录是在目标磁道上进行的。另一方面，在使用实施例4用的磁头的情况下，输出降级较低，即约0.3％。
图17是一个顶视图，示出按照实施例4的一个改型的磁头，是由空气轴承表面观察的。在此改型中，写入屏蔽62具有一个整体上与图15所示的类似的形状，而不同之处是，磁性层62f和非磁性层62n的数目比图15的大。再者，在写入屏蔽62内，包括在两个边缘部分的每个内的磁性层62f和非磁性层62n的数目比在中心部分内的大。
(实施例5)图18是一个顶视图，示出按照本发明的实施例5的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。图18所示的磁头与图7中所示的实施例2用的磁头在结构上类似，不同之处是写入屏蔽的形状。图18所示的磁头和图7所示的磁头之间在结构上的区别将主要地在下列说明中解释。
写入屏蔽71排列为在至主磁极41的后侧面上远离主磁极41，并且带有一个绝缘薄膜(未示出)夹置在它们之间。写入屏蔽71具有一个多层的结构，在其中一个磁性层71f，一个非磁性层71n和另一个磁性层71f是叠层的。在本实施例中，也提供了与实施例2相同的效应。这就是，由于写入屏蔽71形成为一个多层的结构，它有可能减少写入屏蔽71的磁道宽度方向上在边缘部分内的磁畴，从而抑制在记录工作时的泄漏磁场，使有可能防止原先记录的信号被损坏和擦除。
再者，在本实施例用的写入屏蔽71内，磁性层71f和非磁性层71n在磁道宽度方向上在两个边缘部分内是有锥度的，从而使这些部分在朝向末端处制成较薄。在这种特殊的结构的写入屏蔽71排列的情况下，有可能抑制在边缘部分上磁通量的集中，从而抑制泄漏磁场，通过它不可能完全地消除在边缘部分内的泄漏磁场。写入屏蔽71可以是由磁头的空气轴承表面(ABS)凹陷的。
图18所示的实施例5用的一个磁头可以按下列方式制造。在主磁极41和写入屏蔽71之间的最短距离设计为1.5μm。写入屏蔽71具有厚度在薄的部分为1.5μm，在厚的部分为3μm，高度为8μm，以及宽度为90μm。作为一个比较的实例，磁头具有一个结构与图18所示的类似，不同之处是写入屏蔽是由单独的磁性层制造的。
垂直的磁记录是使用每个磁头进行的。磁头的飞行高度控制为提供0.1μm的距离在主磁极41和磁盘10的软磁底层12的表面之间。在第一阶段，信号以一个单独的频率40MHz记录越过磁盘10的整个表面。随后，信号是以一个频率150MHz在一个目标磁道内重复地记录1000次。然后首次记录的信号由定位在径向方向上离目标磁道±50nm范围内的各磁道复现。图19是一个曲线图，示出在磁道宽度方向上的输出型面。
如图19所示，在使用比较的实例用的磁头的情况下，在相当于磁道宽度的方向上写入屏蔽的边缘部分的各磁道内观察到输出的一个降级为约11％，而这时记录是在目标磁道上进行的。另一方面，在使用实施例5用的磁头的情况下，输出降级较低，即约0.3％。
图20是一个顶视图，示出按照实施例5的一个改型的磁头，是由空气轴承表面(ABS)观察的。在此改型中，写入屏蔽72具有一个多层的结构，在其中一个磁性层72f，一个非磁性层72n和另一个磁性层72f是叠层的，在写入屏蔽72的磁道宽度方向上的两个边缘部分在后侧面是倾斜的。在此种情况下，磁性层72f，非磁性层72n和另一个磁性层72f的总厚度在写入屏蔽72内越过整个区域是均匀的。
对于技术熟练人员，补充的优点和改变将容易地产生。因此，本发明在更广泛的方面不应局限于这里所示的和说明的特殊的细节和代表性的实施例。所以，在不脱离一般的发明概念的精神或范围的情况下，如同所附权利要求书和它们等同的内容限定的那样，可以做出各种的改变。
权利要求
1.一种垂直的磁记录头，包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场；以及一个辅助磁极，在一个主磁极的后侧面上与主磁极连接，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
2.一种垂直的磁记录头，包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场；一个辅助磁极，在一个主磁极的前侧面上与主磁极连接；以及一个写入屏蔽，排列为在一个主磁极的后侧面上远离主磁极，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
3.按照权利要求2的垂直的磁记录头，其特征在于，写入屏蔽具有这样一个厚度，它在每个边缘部分比在中心部分厚。
4.按照权利要求2的垂直的磁记录头，其特征在于，写入屏蔽具有磁性层和非磁性层的这样的一个叠层数目，它在每个边缘部分内比在中心部分内大。
5.按照权利要求2的垂直的磁记录头，其特征在于，辅助磁极具有一个多层的结构，在其中一个非磁层夹置在两个磁性层之间。
6.一种磁盘装置，包括一个双层的垂直的记录载体，包括一个软磁底层和一个垂直的记录层，它们形成在一个基片上；以及一个垂直的磁记录头，包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场，以及一个辅助磁极，在一个主磁极的后侧面上与主磁极连接，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
7.一种磁盘装置，包括一个双层的垂直的记录载体，包括一个软磁底层和一个垂直的记录层，它们形成在一个基片上；以及一个垂直的记录头，包括一个主磁极，构造为在一个垂直的方向上产生一个记录磁场，一个辅助磁极，在一个主磁极的前侧面与主磁极连接，以及一个写入屏蔽，排列为在一个主磁极的后侧面上远离主磁极，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
8.按照权利要求7的磁盘装置，其特征在于，写入屏蔽具有这样一个厚度，它在每个边缘部分比在中心部分厚。
9.按照权利要求7的磁盘装置，其特征在于，写入屏蔽具有磁性层和非磁性层的这样的一个叠层数目，它在每个边缘部分比在中心部分内大。
10.按照权利要求7的磁盘装置，其特征在于，辅助磁极具有一个多层的结构，在其中一个非磁性层夹置在两个磁性层之间。
全文摘要
一种磁盘装置，它具有一个双层的垂直的记录载体(10)，包括一个软磁底层(12)和一个垂直的记录层(13)，它们形成在一个基片(11)上，以及一个垂直的磁记录头(40)，包括一个主磁极(41)，在一个垂直的方向上产生一个记录磁场，以及一个辅助磁极，在一个至主磁极(41)的后侧面上与主磁极(41)连接，以及具有一个多层的结构，在其中一个非磁层(42n)夹置在两个磁性层(42f)之间。
文档编号G11B5/127GK1542738SQ20041003155
公开日2004年11月3日 申请日期2004年3月24日 优先权日2003年4月28日
发明者田口知子 申请人:株式会社东芝