专利名称：磁盘及磁录放装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁盘和磁录放装置，更具体地说，涉及以高录制密度为特征的磁盘和磁录放装置。
背景技术：
硬质型磁录放装置现正追随减小磁盘直径、减少录放装置的尺寸和重量、增大录制密度的趋向。磁盘的录制密度变得愈大，磁盘与磁头之间的距离(或浮动间隙)就会变得愈小。可以预期，在最近的将来，录放将在磁头与磁盘完全接触的状态下实现。那时，磁盘将会承受严格得多的滑动条件。另一方面，增大录制密度要求更小的浮动间隙和更光滑的磁盘表面(对稳定浮动而言)。其后果是，磁头滑动器(支托着磁头)在磁盘上滑动(保持与之接触)的时间较以前为长(以下将这种状态下的滑动称之为接触滑动)，在启动时磁盘会承受较以前为大的动摩擦和磨耗，并在磁头和磁盘之间产生出极限静摩擦(以下称为静摩擦力)。由于接触滑动引起的动摩擦力增大的结果是偶尔会发生磁盘破碎和磁头磨损，这时就不能录放。更有甚者，很大的静摩擦会使磁盘不能启动并使磁盘头损坏。
为了解决上述问题，已经开发出了一种具有两个分开的区域的新型磁盘，其中一个区域是当磁盘静止时停放磁头滑动器的，当磁盘开停时，它又经受接触开机和接触停机；其中另一个区域是当磁盘转动时由磁头实现录放的。(前一区域称为接触开停(CSS)区，后一区域称为信息区。)通常把CSS区做在磁盘的内圈，并把它的表面弄粗糙，以防止静摩擦。与此相反，信息区的表面则被弄平滑，以确保磁头的平稳浮动。具有CSS区和信息区的磁盘需要有特殊的润滑膜和润滑技术工艺。例如日本专利公开No.36277/1994就公开了一种防止静摩擦的方法，它是借助于在CSS区内滑动器轨面上做成突起部(约5nm高)的办法来实现的。另外，日本专利公开No.111292/1994还公开了在CSS区使用液态润滑剂和在信息区使用固态润滑剂的方法。这些现有技术工艺涉及做成CSS区和信息区的磁盘上所采用的润滑膜，而润滑膜则在某种程度上可实现对CSS区和信息区所要求的滑动特性。CSS区的润滑膜与信息区的润滑膜之间在要求上有明显的区别，这是因为在这两个区域中磁头-磁盘滑动的状态是不相同的。在CSS区，借助于把磁盘表面弄粗糙有可能稍微减小静摩擦，但由于磁盘启动和停止时会发生接触滑动，因此需有非常耐久的润滑膜。而在信息区，磁盘的表面必须是粗糙度很小，而且润滑膜的静摩擦应当很低。其理由是当磁头滑动器位于信息区而磁盘突然停止时(由于某种意外情况)，磁头滑动器可能会与信息区接触(引起强烈的静摩擦)。因此CSS区润滑膜在润滑性能上必须与信息区的润滑膜相区别。
现在磁盘使用的润滑剂是含有能吸附到磁盘表面上去的官能团的全氟聚醚化合物。这种润滑剂导致形成一层润滑膜，该膜系由牢固地吸附到磁盘表面的膜层和吸附得很弱或不吸附到磁盘表面的膜层构成。牢固吸附的润滑层当磁盘被用全氟化碳溶剂冲洗时是不会从磁盘上分离开的。但另一方面，吸附得很弱的润滑层却可用冲洗的办法很容易地从磁盘上分离开来。但是，该吸附得很弱的润滑层在需要有良好耐久性的CSS区起着重要的作用，因为为了建立起稳定的摩擦状态，在滑动时需要有一部分润滑剂转移到磁头滑动器的滑动面上去。在CSS区如果没有这层吸附得很弱的润滑层，就不可能保持满意的可靠性。与此相反，信息区却要求很低的静摩擦，因为在意外突停中磁头与信息区接触时必须避免润滑剂粘着在磁头与磁盘的间隙中，同时还必须避免磁头在搜索时过分擦伤润滑剂。因此，易于在磁盘表面移动的弱吸附层就对静摩擦起反作用，不利于耐久性。基于这一理由，弱吸附层必须尽可能地小。如果在磁盘的整个表面上使用普通吸附型的润滑剂，而单独把信息区进行冲洗以除去弱吸附层，则随之而来的必定是信息区的润滑膜厚度减小。现在，在信息区发生接触滑动的机会要远小于CSS区；但是，在磁头浮动间隙更减小的将来的磁盘装置上，即使在信息区也会有更多的机会在磁头与磁盘之间发生接触滑动。因此，不久的将来，就会要求信息区具有很好的耐久性。这意味着，信息区的润滑膜必须有足够的厚度，以承受偶尔发生的接触滑动。
以上所述的现有技术工艺并未完全解决这些技术问题。日本专利公开No.111292/1994所公开的工艺是借助于在CSS区加涂液态润滑剂，而在信息区加涂固态润滑剂的办法来使两个区域都各自达到要求的润滑特性。这项工艺由于形成润滑剂膜需要复杂的方法而深受困扰。日本专利公开No.53027/1992所公开的工艺借助于把信息区的润滑膜做得比CSS区的润滑膜薄来保证信息区具有低的静摩擦和CSS区具有很好的耐久性。但是，这项工艺并不令人满意，因为信息区的润滑膜必须保持一定的厚度才能保证良好的耐久性。现在，还没有有效的手段来保证做成CSS区和信息区的磁盘具有令人满意的滑动可靠性。
本发明完全解决了现有技术工艺中存在的上述问题。本发明的目的是提供有效的方法来保证做成CSS区和信息区的磁盘具有令人满意的滑动可靠性。本发明的另一个目的是提供使用该首创方法制造出的高性能的磁盘和磁录放装置。
发明内容
本发明的磁盘的特征是以下述的独特方法在其上面形成的润滑层。在磁盘的信息区内，弱吸附的润滑层做得尽可能小，以保证低的静摩擦，但润滑膜却做得足够厚，以承受(磁头与磁盘之间)偶尔可能发生的接触滑动。这项目的是借助于使用能强烈吸附于磁盘表面的润滑剂或者在随后处理所涂的润滑剂的办法来达到的。在磁盘的CSS区内形成不易导致静摩擦的弱吸附润滑层，以保证满意的耐久性，并考虑到润滑剂能容易移动到磁头滑动器上这一事实。本发明公开了下述的磁盘、生产磁盘的方法、以及磁录放装置。
本发明的第一内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑膜，该膜含有选自下述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物R1-X-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-X-R2(I)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-X-R3(II)F-(CF(CF3)-CF2-O)n-CF(CF3)-X-R4(III)(式中m和n为整数；R1、R2、R3和R4为烃链；X为二价结合基)该润滑膜是由一种能牢固固结到保护膜表面上的润滑剂和另一种在保护膜表面上固结得很弱的润滑剂组成，在CSS区形成的润滑膜中所含有的弱固结润滑剂的量不少于CSS区内润滑剂总量的10％，在信息区形成的润滑膜中所含有的弱固结润滑剂的量则少于信息区内润滑剂总量的10％。
本发明的第二内容涉及上述第一内容中所定义的磁盘，该磁盘的特征在于，润滑膜是由一种能牢固固结到保护膜表面上的润滑剂和另一种在保护膜表面固结得很弱的润滑剂组成，前者是不会被全氟化碳溶剂冲洗掉，后者是能被全氟化碳溶剂冲洗掉。
本发明的第三内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；该润滑剂被涂覆在整个磁盘的表面上，整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个表面或信息区用紫外线照射，随后CSS区用全氟化碳溶剂冲洗，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第四内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；该润滑剂被涂覆在整个磁盘的表面上，整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个表面或信息区用紫外线照射；整个磁盘表面用全氟化碳溶剂冲洗；随后CSS区用选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟化碳化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第五内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；该润滑剂被涂覆在整个磁盘的表面上；整个磁盘表面被加热到高于80℃或者整个表面或信息区用紫外线照射；整个磁盘表面被用全氟化碳溶剂冲洗；随后信息区用选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能与该保护膜表面起化学反应的官能团的全氟化碳化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第六内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物，该种化合物中含有能与保护膜表面发生化学反应的官能团；该润滑剂涂覆在整个磁盘的表面上；整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个表面或信息区用紫外线照射；整个磁盘的表面用全氟化碳溶液冲洗；随后信息区用选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能与该保护膜表面起化学反应的官能团的全氟化碳化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第七内容涉及一种制造磁盘的方法，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层、保护层和润滑层，该方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层的CSS区，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层的信息区，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；在整个磁盘的保护层表面上加涂一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；把整个磁盘的表面加热到高于80℃或者用紫外线照射整个磁盘的表面或信息区；以及用全氟化碳溶剂冲洗CSS区，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第八内容涉及一种制造如第七内容所定义的磁盘的方法，其中还包括在用全氟化碳溶剂冲洗整个磁盘表面后，还用选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的并含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物涂覆CSS区，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第九内容涉及一种制造如第七内容所定义的磁盘的方法，其中还包括在用全氟化碳溶剂冲洗整个磁盘的表面以后，还涂覆选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的并含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第十内容涉及一种制造如第七方面所定义的磁盘的方法，其中还包括在把整个磁盘表面加温到高于80℃或用紫外线照射后，还在整个磁盘的表面上涂覆含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物，该化合物是选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物；另外，在用全氟化碳溶剂冲洗信息区后，还涂覆选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第十一内容涉及一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑膜，膜中含有选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；该润滑膜是由一种能牢固固结到保护膜表面上的润滑剂和另一种与保护膜表面固结得很弱的润滑剂组成；在CSS区形成的润滑膜中所含的弱固结润滑剂的量不少于CSS区内润滑剂总量的10％，在信息区形成的润滑膜中所含的弱固结润滑剂的量则少于信息区内润滑剂总量的10％，这样，就使得在信息区内发生的磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，在CSS区内发生的磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.0和0.5。
本发明的第十二内容涉及一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑膜，膜中含有选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；该润滑剂被涂覆在整个磁盘的表面上；整个磁盘的表面都被加热到高于80℃或者整个表面或信息区用紫外线照射；CSS区随后用全氟化碳溶剂冲洗，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息区内发生的磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，而在CSS区内发生的磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.0和0.5。
本发明的第十三内容涉及一种如第十二内容所定义的磁录放装置，其特征在于，磁盘的信息区在用全氟化碳溶剂冲洗后，被涂覆选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第十四内容涉及一种如第十二内容所定义的磁录放装置，其特征在于，在磁盘的信息区被用全氟化碳溶剂冲洗后，整个磁盘表面被涂覆选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第十五内容涉及一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；在整个磁盘的保护膜表面涂覆选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物以后，把整个磁盘的表面加热到高于80℃或者用紫外线照射整个磁盘表面或信息区；在整个磁盘表面上涂覆选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物；并且在用全氟化碳溶剂冲洗信息区以后，涂覆选自上述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm；并使在信息区内发生的磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，在CSS区内发生的磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦力和动摩擦力分别小于或等于1.0和0.5。
本发明的第十六内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该整个磁盘表面的保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自下述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中至少一种化合物；
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)F(CF(CF3)-CF2O)n-CF(CF3)-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(V)(C2H5O)3Si-C3H6-NHCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(VI)C6H5-O-C6H4-H3N+-OCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(VII)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-CH2OH (VIII)HO-CH2-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CH2OH (IX)HO-(CH2CH2-O)p-CH2CF2-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-OCF2CH2(O-CH2CH2)q-OH (X)F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XI)F(CF(CF3)-CF2O)n-CF(CF3)-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XII) (式中m、n、p和q为整数)，整个磁盘的表面被加热到高于80℃或信息区用紫外线照射；随后CSS区用全氟化碳溶剂冲洗，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第十七内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该整个磁盘表面的保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中至少一种化合物；整个磁盘的表面被加热到高于80℃或信息区用紫外线照射；整个磁盘的表面用全氟化碳溶剂冲洗；而CSS区用选自上述以化学式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于1nm。
本发明的第十八内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(IV)至(VIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；该润滑剂被涂覆在整个磁盘的表面上；整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个磁盘表面或信息区用紫外线照射；随后信息区用全氟化碳溶剂冲洗，并将信息区用选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第十九内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物，该润滑剂被涂覆在整个磁盘的表面上；整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个磁盘表面或信息区用紫外线照射；整个磁盘的保护膜表面用选自上述以化学式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物涂覆；随后信息区用全氟化碳溶剂冲洗，并将信息区用选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物进行涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第二十内容涉及一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物，该润滑剂被涂覆在整个磁盘的表面上；整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个磁盘表面或信息区用紫外线照射，随后CSS区用全氟化碳溶剂冲洗，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第二十一内容涉及一种制造磁盘的方法，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层、保护层和润滑层，该方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层的CSS区，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层的信息区，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；在整个磁盘的保护层表面上加涂一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；将整个磁盘的表面加热到高于80℃或者用紫外线照射整个磁盘的表面或信息区，并用全氟化碳溶剂冲洗整个磁盘的表面；以及用选自上述以化学式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物涂覆CSS区，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第二十二内容涉及一种制造磁盘的方法，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层、保护层和润滑层，该方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层的CSS区，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层的信息区，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；在整个磁盘的保护层表面上加涂一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；将整个磁盘的表面加热到高于80℃或者用紫外线照射整个磁盘的表面或信息区；并用全氟化碳溶剂冲洗整个磁盘的表面；以及用选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能与保护层表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物涂覆信息区，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第二十三内容涉及一种制造磁盘的方法，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层、保护层和润滑层，该方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层的CSS区，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra 3nm的保护层的信息区，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；在整个磁盘的保护层表面上加涂一层润滑剂，该润滑剂含有选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的化合物；将整个磁盘的表面加热到高于80℃或者用紫外线照射整个磁盘的表面；用选自以化学式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物涂覆整个磁盘的表面；以及用全氟化碳溶剂冲洗信息区，并用选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物加以涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm。
本发明的第二十四内容涉及一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra 3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂过一层润滑膜，膜中含有选自上述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；随后整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个磁盘的表面或信息区用紫外线照射，并用全氟聚醚溶剂冲洗信息区，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，而在CSS区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.0和0.5。
本发明的第二十五内容涉及一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层加涂有一层润滑膜，膜中含有选自上述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；随后整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个磁盘表面或信息区用紫外线照射；并用全氟化碳溶剂冲洗整个磁盘表面，CSS区则用选自上述以化学式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，而在CSS区内发生的磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.0和0.5。
本发明的第二十六内容涉及一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；整个磁盘的保护层加涂有选自上述以化学式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；随后整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者整个磁盘表面或信息区用紫外线照射；并用全氟化碳溶剂冲洗信息区；信息区还用选自上述以化学式(VI)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于1nm，并使在信息区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，而在CSS区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.0和0.5。
本发明的第二十七内容涉及一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的晶种层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；整个磁盘的保护层加涂有选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种含有能与保护层起化学反应的官能团的化合物；随后整个磁盘的表面被加热到高于80℃或者用紫外线照射；整个磁盘的表面用选自上述以化学式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能团的全氟聚醚化合物涂覆；并用全氟化碳溶剂冲洗信息区；信息区用选自上述以化学式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能与保护膜表面起化学反应的官能团的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS区形成的润滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息区形成的润滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，而在CSS区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.0和0.5。
本发明的第二十八内容涉及一种如第一内容所定义的磁盘，其直径为小于或等于88.9mm。
本发明的第二十九内容涉及一种如第七内容所定义的磁盘，其直径为小于或等于88.9mm。
本发明的第三十内容涉及一种如第十一内容所定义的磁盘，其直径为小于或等于88.9mm。
按照本发明，CSS区有润滑层，它是由牢固固结的润滑剂和固结得很弱的润滑剂组成，以便保证良好的耐久性，而信息区也有润滑层，它主要是由牢固固结的润滑剂组成，以便降低静摩擦。信息区的(弱固结润滑剂)润滑层需有一定的厚度，以使能耐受接触滑动，这是由于近来减小了浮动间隙，在信息区也是可能偶然发生接触滑动的。为此，不仅必须选用含有能起化学反应的或吸附性的官能团的润滑剂，或者借助于加热或紫外线处理来增加能牢固固结的润滑剂的润滑层厚度，而且还要在信息区涂覆两次。相反，在CSS区如果弱固结润滑剂数量很少的话，也可用润滑剂涂覆两次。这样结构的润滑层可使信息区和CSS区展现出可靠的磁盘和磁盘装置所要求的满意滑动性能。
附图简述
图1示出本发明实施例1所制造的磁盘的透视图以及CSS区和信息区之间的边界的断面图。
图2为做CSS试验和静摩擦试验的设备简图。
图3为本发明实施方案的磁录放装置的断面图。
实施本发明的最佳模式下面将结合实施例对本发明作更详细的描述，这些实施例不应限制本发明的范围。
实施例1在表面镜面抛光的铝合金基片(直径3.5英寸)上依次地用喷射法涂上NiP晶种层(厚10μm)、Cr层(厚0.5μm)、Co-Cr-Pt层(厚60nm)和碳保护层(厚20nm)以制备成磁盘。该磁盘的一个区域(半径15-20mm)上用静电涂覆了一层氟化树脂颗粒(粒径0.5μm)。磁盘的整个表面用氧进行了蚀刻(10nm深)。用水冲洗除去氟化树脂颗粒。用这样的方法就在覆盖半径15至20mm的区域内形成均匀的圆柱形突出物(直径0.5μm)。在该区域形成了CSS区，其中心线平均粗糙度为Ra15nm，并在另外的区域形成了光滑的信息区，其中心线平均粗糙度为Ra1.2nm。
然后，磁盘被浸入(为了涂覆)溶液(1)中，该溶液(1)是在含氟化物溶剂(“PF5052”，Sumitomo 3M有限公司生产)中溶入0.01％(重量)的以下述化学式(IV)表示的全氟聚醚化合物而形成F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)
浸渍涂覆的条件如下浸入溶液的速度10mm/s在溶液中的停留时间180s从溶液取出的速度2.5mm/s在被涂覆的磁盘完全干燥后，就被在100℃下加热2小时。这一热处理会引起全氟聚醚化合物(IV)与保护层的表面发生化学反应，因此牢固地固结到磁盘的表面上。随后，磁盘被浸入(为了以上述同样方法进行涂覆)溶液(2)中，溶液(2)是在含氟化物溶剂(“PF5052”，Sumitomo 3M有限公司生产)中溶入0.001％(重量)的以下述化学式(XI)表示的全氟聚醚化合物而形成F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XI)在涂覆过的磁盘完全干燥后，其信息区用上述的全氟化碳溶剂冲洗。冲洗是用旋转器旋转磁盘(1000转/分)，同时向信息区喷射溶剂(50ml/分)来完成。(另一种冲洗方法是把信息区浸入溶剂中而旋转磁盘。)这样获得的磁盘，其CSS区具有与磁盘表面起过化学反应的润滑层。该润滑层是由牢固固结层和全氟聚醚化合物(XI)的弱固结层组成。此外，磁盘的信息区具有几乎全部由全氟聚醚化合物(IV)构成的牢固固结润滑层。信息区和CSS区的润滑层厚度分别为2.2nm和2.7nm。图1示出本实施例所制备出的磁盘的外貌。图3为显示CSS区和信息区之间的边界3的断面图。
喷射过的磁盘在下列条件下经过了用图2所示的装置进行的接触开停(CSS)试验和静摩擦试验。
被测试的磁盘7被套在(并用磁盘压紧器9固定)心轴8上，心轴直接与该装置底部的电动机连接。磁头滑动器12是一字排列式(in linetypc)(用Al2O3TiC制造的20T型)，它的滑轨表面是在磁盘的转动方向上与磁盘接触。磁头滑动器12固定在支撑臂13上，支撑臂则与测力传感器10连接。测力传感器10固定在台架11上，台架11能沿径向移动，因此就有可能对每个音轨进行测试。测力传感器10可测出磁盘转动时在磁头滑动器12与磁盘之间发生的摩擦力。
在测试CSS区时，磁盘以很短的间隔时间重复启动和停止(达100,000次)。在CSS循环次数为1、50、100、500、1000、5000、10000和10000的整倍数以后，都把磁盘停下，让磁头与磁盘接触2秒钟，而磁盘则以10转/分的速度转动。测定在此时间内的最大动摩擦力。同时，记下发生磁盘划损的CSS循环次数。所谓磁盘划损是指碳保护层(作为润滑层的衬底)完全损坏、磁性层暴露的状态。磁盘划损会现出可见的磨损裂痕。当磁盘划损出现时，试验就暂停。在磁盘划损出现在10000次循环以内的情况下，最大动摩擦力即以磁盘划损前的CSS循环数下测得的最大动摩擦系数表示。磁盘的最大转速为5400转/分，磁头载荷为3.0g。磁盘在磁头浮动下(因为磁头在信息区通常是处于浮动状态)运转20小时。为了预期磁盘的意外突停，还使磁盘按一定间隔停转(在试验开始后4、8、12、16和20小时)。就象在CSS区的测试一样，把磁头放到接触位置2秒钟，然后磁盘在10转/分的速度下运转，这时就可测出最大动摩擦力。磁盘的表面应经常检查磨损裂痕，一旦发生划损，试验应立即暂停。
静摩擦可用以下方法测量。把磁头滑动器保持与磁盘接触12小时，磁盘被慢速转动。在刚开始转动时所发生的极限静摩擦力即可被测出。在测量时，CSS区和信息区都用的是负载3g和磁盘转速1转/分。测量结果示于表1中。
表1
比较例1展示出磁盘单独涂覆全氟聚醚化合物(IV)的效果。实施例1的信息区和CSS区都给出了满意的CSS试验和静摩擦试验结果，而比较例1的信息区静摩擦偏低、CSS区在接触开停试验中发生了磁盘划损。比较例2展示出在依次涂覆了全氟聚醚化合物(IV)和全氟聚醚化合物(XI)后信息区未进行冲洗的影响。在此情况下，CSS区是满意的，但信息区经受到强的静摩擦。
实施例2重复实施例1用喷射方法制备磁盘。磁盘在与实施例1相同条件下被浸入溶液，该溶液是在与实施例1相同的含氟化物溶剂中溶入0.005％(重量)的以下述化学式(VI)表示的全氟聚醚化合物(VI)而形成。浸涂后即在120℃下进行热处理10分钟，并用上述同样的含氟化物溶剂冲洗整个磁盘的表面。润滑层的厚度为0.75nm。
(C2H5O)3Si-C3H6-NHCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(VI)
以下述化学式(VIII)表示的氟基润滑剂(VIII)被溶在上述含氟化物溶剂中而形成0.007％(重量)的溶液。
F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-CH2OH(VIII)按实施例1同样的方法用该溶液进行涂覆，并如上述那样用同一种含氟化物溶剂单独只冲洗信息区。使用旋转器再次在信息区涂覆一层上述0.005％(重量)的全氟聚醚化合物(VI)溶液。信息区和CSS区润滑层的厚度分别为1.96nm和1.84nm。
该实施例所形成的润滑层在与实施例1相同的条件下测试了CSS性能和静摩擦性能。测试结果示于表1中。该实施例的CSS特性和静摩擦特性都优于比较例3，在比较例3中未再次涂覆全氟聚醚化合物(VI)。对比之下，比较例3虽然CSS区的试验结果与本实施例一致，但其信息区却出现了磨损裂痕。这很可能是因为磁头在磁盘转动的情况下在信息区浮动时与磁盘相接触(因为浮动间隙很小)。比较例3的不良结果是由于信息区的润滑层的厚度不足以保持足够的耐久性。
实施例3重复实施例1用喷射方法制备磁盘。磁盘在与实施例1同样条件下被浸入溶液，该溶液是在与实施例1相同的含氟化物溶剂中溶入0.005％(重量)的以下述化学式(XIII)表示的全氟聚醚化合物(XIII)而形成。浸涂后即在110℃下进行热处理2小时，并用上述同样的含氟化物溶剂冲洗整个磁盘的表面。润滑层的厚度为0.8nm。
将以下述化学式(VII)表示的全氟聚醚化合物(VII)溶入上述含氟化物溶剂中配成0.007％(重量)的溶液。
C6H5-O-C6H4-H3N+-OCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(VII)按实施例1同样的方法用该溶液进行浸涂，并只单独把信息区加热到110℃持续2小时，然后用上述同样的含氟化物溶剂冲洗。信息区和CSS区的润滑层厚度分别为1.85和2.31nm。本实施例所形成的润滑层按实施例1的同样方法测试CSS性能和静摩擦性能。测试结果示于表1中。本实施例的CSS性能和静摩擦性能都优于比较例4，比较例4在涂覆全氟聚醚化合物后没有冲洗信息区。对比之下，比较例4的CSS区与本实施例一致，但信息区却发生了很强的静摩擦。
实施例4实施例1中所制备的磁盘安装到图3所示的磁录放装置(3.5英寸磁盘适用)上。在运行中切断该装置的电源，以使磁头停止在信息区内，并让该装置停放24小时。在重新启动时，磁盘仍可正常录放。用比较例5中所制备的磁盘也进行了上述同样的试验。但此时因磁头滑动器与磁盘信息区之间具有强的静摩擦而不能重新启动。
比较例1按实施例1用喷射方法制备磁盘。磁盘在与实施例1同样条件下被浸入溶液，该溶液是在含氟化物溶剂(“PF 5052”，Sumitomo 3M有限公司生产)中溶入0.01％(重量)的以下述化学式(IV)表示的全氟聚醚化合物(IV)而形成。
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)浸涂后经完全干燥，并在110℃下进行2小时热处理。润滑层的厚度为1.3nm。该磁盘按实施例1的同样方法测试CSS特性和静摩擦特性。试验结果示于表1中。
比较例2按实施例1用喷射方法制备磁盘。磁盘在与实施例1同样条件下被浸入溶液，该溶液是在含氟化物溶剂(“PF 5052”，Sumitomo 3M有限公司生产)中溶入0.01％(重量)的以下述化学式(IV)表示的全氟聚醚化合物(IV)而成。
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)浸涂后经完全干燥，并在100℃下进行2小时热处理。该磁盘在与实施例1相同条件下被涂覆(按实施例1同样方法浸涂)一种溶液，该溶液是在含氟化物溶剂(“PF5052”，Sumitomo 3M有限公司生产)中溶入0.001％(重量)的以下述化学式(XI)表示的全氟聚醚化合物(XI)而形成。
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XI)信息区和CSS区润滑层的厚度均为2.7nm。该磁盘按实施例1同样方法测试CSS特性和静摩擦特性。测试结果示于表1中。
实施例3按实施例1用喷射方法制备磁盘。磁盘在与实施例1同样条件下被浸入溶液，该溶液是在与实施例1所用相同的含氟化物溶剂中溶入0.005％(重量)的以下述化学式(VI)表示的全氟聚醚化合物(VI)(与实施例1所用的相同)而形成。
(C2H5O)3Si-C3H6-NHCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(VI)浸涂后即在110℃下进行2小时热处理。整个磁盘的表面被用上述同样的含氟化物溶剂冲洗。然后，磁盘在与实施例1相同条件下被涂覆(按实施例1同样方法浸涂)一种溶液，该溶液是在上述含氟化物溶剂中溶入0.007％(重量)的以下述化学式(VIII)表示的全氟聚醚化合物(VIII)而形成。
F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-CH2OH(VIII)用上述同样的含氟化物溶剂只冲洗信息区。信息区和CSS区的润滑层厚度分别为0.75nm和1.84nm。该磁盘按实施例1相同方法测试CSS特性和静摩擦特性。测试结果示于表1中。
比较例4按实施例1用喷射方法制备磁盘。磁盘在与实施例1同样条件下被浸入溶液，该溶液是在与实施例1所用相同的含氟化物溶剂中溶入0.005％(重量)的以下述化学式(XIII)表示的全氟聚醚化合物(XIII)(与实施例3所用的相同)而形成。
浸涂后即在110℃下进行2小时热处理。用上述同样的含氟化物溶剂冲洗整个磁盘的表面。然后，该磁盘在与实施例3相向的条件下被涂覆(按实施例3同样方法浸涂)一种溶液，该溶液是在上述含氟化物溶剂中溶入0.007％(重量)的以下述化学式(VII)表示的全氟聚醚化合物(VII)而形成。
C6H5-O-C6H4-H3N+-OCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(VII)信息区和CSS区的润滑层厚度均为2.31nm。磁盘按实施例1相同方法测试CSS特性与静摩擦特性。测试结果示于表1中。
比较例5比较例2所制备的磁盘被安装到与实施例1所用的相同的磁录放装置上。该装置在运行中被切断电源，并让该装置停放24小时。由于在信息区内存在着大量的弱吸附润滑剂，在磁头滑动器与磁盘之间有着强的静摩擦，因此磁盘不能重新启动。
权利要求
1.一种磁盘，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的籽晶层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度Ra大于或等于10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度Ra小于或等于3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层涂有一层润滑膜，膜中含有选自下述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物，R1-X-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-X-R2(I)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-X-R3(II)F-(CF(CF3)-CF2-O)n-CF(CF3)-X-R4(III)式中，m和n为整数；R1、R2、R3和R4为烃链；X为二价结合基，该润滑膜是由一种牢固固结在保护膜表面上的润滑剂和另一种弱固结在保护膜表面上的润滑剂组成，在CSS区形成的润滑膜中所含有的弱固结润滑剂的量不少于CSS区内润滑剂总量的10％，在信息区形成的润滑膜中所含有的弱固结润滑剂的量则少于信息区内润滑剂总量的10％。
2.根据权利要求1所述的磁盘，其中该磁盘的特征在于，所述润滑膜是由一种能牢固固结在保护膜表面上的润滑剂和另一种弱固结在保护膜表面上的润滑剂组成，前者不会被全氟化碳溶剂冲洗掉，后者会被全氟化碳溶剂冲洗掉。
3.一种磁录放装置，该装置由磁头、支托磁头的磁头滑动器和磁盘组成，该磁盘具有依次层压在非磁性基片上的籽晶层、磁性层和保护层，其特征在于，该磁盘具有CSS区和信息区，该CSS区具有表面粗糙度Ra大于或等于10nm的保护层，CSS区位于磁盘开始和停止转动时放置磁头滑动器的地方；该信息区具有表面粗糙度Ra小于或等于3nm的保护层，信息区位于磁盘转动时放置磁头滑动器的地方；该保护层涂有一层润滑膜，膜中含有选自下述以化学式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物；R1-X-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-X-R2(I)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-X-R3(II)F-(CF(CF3)-CF2-O)n-CF(CF2)-X-R4(III)式中，m和n为整数；R1、R2、R3和R4为烃链；X为二价结合基，该润滑膜是由一种能牢固固结在保护膜表面上的润滑剂和另一种弱固结在保护膜表面上的润滑剂组成；在CSS区形成的润滑膜中所含的弱固结润滑剂的量不少于CSS区内润滑剂总量的10％，在信息区内形成的润滑膜中所含的弱固结润滑剂的量则小于信息区内润滑剂总量的10％，在信息区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.5和1.0，而在CSS区内发生的在磁头滑动器与磁盘之间的极限静摩擦和动摩擦分别小于或等于1.0和0.5。
4.根据权利要求3所定述的磁录放装置，其中，所述磁盘的直径小于或等于88.9mm。
全文摘要
磁盘及磁录放装置。该磁盘包括在非磁性基片上依次迭置有籽晶层、磁性层和保护层。磁盘上有CSS区和信息区。CSS区有表面粗糙度Ra≥10nm的保护层。信息区有表面粗糙度Ra≥3nm的保护层。保护层涂有润滑膜，它含式(I)至(III)的全氟聚醚化合物中的至少一种化合物。润滑膜由牢固固结在保护膜表面的润滑剂和弱固结在保护膜表面的润滑剂组成。CSS区中弱固结润滑剂量不少于该区润滑剂总量的10％。信息区的弱固结润滑剂量则少于该区润滑剂部量的10％。式中m和n为整数。RRF(CFF－(CF(CF
文档编号G11B5/725GK1492399SQ02140639
公开日2004年4月28日 申请日期1995年10月18日 优先权日1995年10月18日
发明者中川路孝行, 庄司三良, 良, 惠, 高村友惠, 佐佐木洋, 洋, 今关周治, 治, 伊藤丰 申请人:株式会社日立制作所