一种压敏电阻的制备方法
【专利摘要】一种压敏电阻的制备方法，属于电子元件制备领域。包括如下步骤：（1）选用纯度为99.5%的MgO个纯度为99%的SiO2，按摩尔比为1:1混合球磨，球磨后烘干；（2）在60MPa下压制成圆片，在750℃下合成，自然降温后粉碎待用；（3）选用90.4%的ZnO+5.18%Bi2O3+1.84%Sb2O3+0.97%Co2O3+0.84%Ni2O3+0.64%Cr2O3+0.13%MnO2作为基方，再加入0.04%的MgSiO3制成混合原料；（4）将混合原料、水、球按照1:1:2.5置于聚酯罐中搅拌磨1h料浆烘干后加8%的粘合剂，240MPa下压制成40mm×40mm的方片进行烧结。通过调整原料配比，掺杂0.04%MgSiO3，不仅大幅度提高了ZnO防雷器压敏电阻的电学非线性质，还提高了ZnO压敏电阻的电压梯度、大幅度提高了其通流能力、降低了其残压比和漏电流。
【专利说明】一种压敏电阻的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电子元件制备领域，尤其涉及一种压敏电阻的制备方法。
【背景技术】
[0002]随着科技的进步，电子产品的使用越来越多，电子元器件的使用量也随之而增加，伴随电子产品的质量要求的提高，对于电子元器件的质量要求也在不断提升，过去的很多元器件生产工艺已不能满足当下产品对于元器件质量的要求。最早的压敏电阻是以SiC材料制成的，1969年Matsuoka等人发现了通过引入掺杂离子后具有压敏行为的ZnO压敏电阻人们对压敏电阻的认识和研究开始取得较大的进展。近几年来利用ZnO压敏材料制成方片装配成电涌保护器(SPD)被大量地应用在电源防护上，但由于ZnO压敏材料的非线性、通流能力、残压比等性能限制，实际应用中的SPD需定时检查更换。
【发明内容】
[0003]本发明旨在解决上述问题，提供一种压敏电阻的制备方法。
[0004]一种压敏电阻的制备方法，其特征在于包括如下步骤:(1)选用纯度为99.5%的MgO个纯度为99%的S12,按摩尔比为1:1混合球磨，球磨后烘干；(2)在60 MPa下压制成圆片，在750°C下合成，自然降温后粉碎待用；(3)选用90.4%的ZnO + 5.18% Bi2O3 + 1.84%Sb2O3 + 0.97% Co2O3 + 0.84% Ni2O3 + 0.64% Cr2O3+ 0.13% MnO2 作为基方，再加入 0.04%的MgS13制成混合原料；(4)将混合原料、水、球按照1: 1:2.5置于聚酯罐中搅拌磨I h料浆烘干后加8%的粘合剂，240 MPa下压制成40 mmX40 mm的方片进行烧结。
[0005]本发明所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(4)所述的烧结温度为1160°C，时间为150min。
[0006]本发明所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述的步骤(4)所述的方片厚度为3.8mm。
[0007]本发明所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中选用原料的纯度为 ZnO (99%), Bi2O3 (99.5%), Co2O3 (99%), Sb2O3 (99.5%), Ni2O3 (99%),MnO2 (98.5%),Cr2O3 (99%) ο
[0008]本发明所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的合成时间为 90 min。
[0009]本发明所述一种压敏电阻的制备方法，通过调整原料配比，掺杂0.04%MgSi03，不仅大幅度提高了 ZnO防雷器压敏电阻的电学非线性质，还提高了 ZnO压敏电阻的电压梯度、大幅度提高了其通流能力、降低了其残压比和漏电流。这些特点，使ZnO防雷器尺寸的进一步小型化成为可能。
【具体实施方式】
[0010]一种压敏电阻的制备方法，包括如下步骤:(I)选用纯度为99.5%的MgO个纯度为99%的S12,按摩尔比为1:1混合球磨，球磨后烘干；(2)在60 MPa下压制成圆片，在750°C下合成，自然降温后粉碎待用；(3)选用90.4%的ZnO + 5.18% Bi2O3 + 1.84% Sb2O3 + 0.97%Co2O3 + 0.84% Ni2O3 + 0.64% Cr2O3+ 0.13% MnO2 作为基方，再加入 0.04% 的 MgS13 制成混合原料；(4)将混合原料、水、球按照1: 1:2.5置于聚酯罐中搅拌磨I h料浆烘干后加8%的粘合剂，240 MPa下压制成40 mmX40 mm的方片进行烧结。
[0011]本发明所述的一种压敏电阻的制备方法，所述步骤(4)所述的烧结温度为1160°C，时间为150min。所述的步骤(4)所述的方片厚度为3.8mm。所述步骤(3)中选用原料的纯度为 ZnO (99%), Bi2O3 (99.5%), Co2O3 (99%), Sb2O3 (99.5%), Ni2O3 (99%), MnO2(98.5%), Cr2O3 (99%)。所述步骤(2)中的合成时间为90 min。掺杂0.04%MgSi03时，可大幅度降低ZnO压敏电阻的残压比和压敏电压变化率。进一步掺杂，将导致残压比和压敏电压变化率的增大，也就是说，掺杂0.04%MgSi03得到了通流能力和残压比最好的ZnO压敏电阻。掺杂0.04%MgSi03，不仅大幅度提高了 ZnO防雷器压敏电阻的电学非线性性质，还提高了 ZnO压敏电阻的电压梯度、大幅度提高了其通流能力、降低了其残压比和漏电流。
【权利要求】
1.一种压敏电阻的制备方法，其特征在于包括如下步骤:(1)选用纯度为99.5%的MgO个纯度为99%的Si02,按摩尔比为1:1混合球磨，球磨后烘干；(2)在60 MPa下压制成圆片，在750°C下合成，自然降温后粉碎待用；(3)选用90.4%的ZnO + 5.18% Bi203 + 1.84%Sb203 + 0.97% Co203 + 0.84% Ni203 + 0.64% Cr203+ 0.13% Mn02 作为基方，再加入 0.04%的MgSi03制成混合原料；(4)将混合原料、水、球按照1:1:2.5置于聚酯罐中搅拌磨1 h料浆烘干后加8%的粘合剂，240 MPa下压制成40 mmX40 mm的方片进行烧结。
2.如权利要求1所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(4)所述的烧结温度为1160°C，时间为150min。
3.如权利要求1所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述的步骤(4)所述的方片厚度为3.8mm。
4.如权利要求1所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中选用原料的纯度为 ZnO (99%), Bi203 (99.5%), Co203 (99%), Sb203 (99.5%), Ni203 (99%), Mn02(98.5%), Cr203 (99%)。
5.如权利要求1所述的一种压敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的合成时间为90 min。
【文档编号】C04B35/453GK104310987SQ201410526999
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月9日 优先权日:2014年10月9日
【发明者】张俊 申请人:陕西易阳科技有限公司