本发明涉及单晶硅一体加工设备的辅助设备，特别涉及一种用于单晶一体机加工过程的全自动硅水循环过滤装置。
背景技术：
单晶硅是用于太阳能光伏发电的重要材料，在国家极度重视新能源的开发及应用，并投入大量资金对光伏行业进行扶持。单晶铸锭从单晶硅铸锭炉生成之后需开方、截断、磨平面、磨圆角、切片等工序加工，随着单晶硅的需求不断增加，国内先进设备制造商已经提出了单晶硅的自动化生产线，而单晶一体机成为单晶硅生产加工过程中不可或缺的的一环，其加工效率也是提高整个生产链效率的关键因素。
在单晶一体机在进行开方、截断、磨平面、磨圆角、切片的过程中会使用大量硅水切削液，除用于润滑、降温、清洗防锈，随工艺要求还会掺杂磨料使用。如何处理使用后的硅水切削液，在整个加工过程中占有非常重要的一个环节。传统做法中，往往是将硅水切削液直接流入到固定的沉淀池，然后定期进行清理，或则进入到固定水箱后进行循环。该种做法不仅过滤出来的纯净度不合格，影响磨削过程中的加工质量，如长时间在沉淀池中硅水会发生渗透造成环境污染。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于单晶一体机加工过程的全自动硅水循环过滤装置。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
提供一种应用于单晶一体机加工过程的全自动硅水循环过滤装置，包括过滤器；该装置还包括两个水箱与三个抽水泵；其中，第一水箱通过管路与单晶一体机的硅水切削液排放口相接，其底部经第一抽水泵连接至过滤器的入口端；过滤器的出口端与第二抽水泵的入口端相接，第二抽水泵的出口端接至第二水箱；第三抽水泵的入口端接至第二水箱底部，其出口端通过管路与单晶一体机的硅水切削液导入口相接；
在第三抽水泵出口端的管线上设置流量计，流量计通过信号线接至电控箱；电控箱通过电缆分别连接至第一抽水泵和第二抽水泵，并根据第三抽水泵出口端的流量同步控制另两个抽水泵的运行功率，使循环过滤过程中单晶一体机的导入口和排放口的硅水切削液流量保持一致。
本发明中，所述第一水箱设置在第一移动小车上；所述第二水箱、三个抽水泵和电控箱均设置在第二移动小车上。
本发明中，所述第一水箱中设有一个浮球开关，并通过信号线接至电控箱，用于在第一水箱中液位低于设定值时关停第一抽水泵和第二抽水泵。
本发明中，所述所述过滤器中滤芯的孔径为0.002mm。以此保证硅水循环后的纯净度能满足要求，保证磨削过程中的加工质量。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明的装置能循环利用硅水切削液，有效减少了新鲜硅水切削液的使用量，避免环境污染。
2、便捷式的车载设计能在需要时自由移动，大大提高了生产效率。
3、第三抽水泵出口端设置流量计与电控箱对另两个抽水泵的运行控制相关联，能使循环过滤过程中单晶一体机的导入口和排放口的硅水切削液流量保持一致，避免生产过程控制不稳定。
附图说明
图1为本发明装置的结构示意图。
图2为第二移动小车及所装载设备的俯视图。
图3为第一移动小车(装载了第一水箱)的俯视图。
图中的附图标记为：1单晶一体机；2转换接头；3第一水箱；4浮球开关；5第一移动小车；6过滤器；7第一抽水泵；8第二抽水泵；9第三抽水泵；10第二水箱；11第二移动小车；12管路(图1中长短不一的各段管路均统称为管路12)；13电控箱。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述：
本发明中的全自动硅水循环过滤装置，包括两个水箱与三个抽水泵；其中，第一水箱3通过管路12与单晶一体机1的硅水切削液排放口相接，连接处可通过螺纹配合的转换接头2实现安装。第一水箱3的底部经第一抽水泵7连接至过滤器6的入口端；过滤器6的出口端与第二抽水泵8的入口端相接，第二抽水泵8的出口端接至第二水箱10；第三抽水泵9的入口端接至第二水箱10底部，其出口端通过管路与单晶一体机1的硅水切削液导入口相接。为便于使用过程中的自由移动，可以将第一水箱3设置在第一移动小车5上，将第二水箱10、三个抽水泵和电控箱13均设置在第二移动小车11上。
在第三抽水泵9出口端的管线上设置流量计，流量计通过信号线接至电控箱13；电控箱13通过电缆分别连接至第一抽水泵7和第二抽水泵8，并根据第三抽水泵9出口端的流量同步控制第一抽水泵7和第二抽水泵8的运行功率，使循环过滤过程中单晶一体机1的导入口和排放口的硅水切削液流量保持一致。在第一水箱中设有一个浮球开关4，浮球开关4通过信号线接至电控箱13，设定为当第一水箱3中液位低于设定值时可自动关停第一抽水泵7和第二抽水泵8，避免发生干抽。
过滤器6中滤芯的孔径为0.002mm，能够过滤硅水切削液中的残渣或磨料碎屑。为保证硅水切削液过滤中的流量稳定性，当过滤器工作24h后需对滤芯进行清洗维护，以保证整个运转过程的稳定性。
最后，需要注意的是，以上列举的仅是本发明的具体实施例。显然，本发明不限于以上实施例，还可以有很多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容中直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。