本发明涉及砷化镓晶片制造技术领域，具体涉及一种砷化镓晶片切割方法。
背景技术：
砷化镓是一种重要的半导体材料，砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等；用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，由于砷化镓的优异特性，故在微波器件、高速数字电路、移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等领域得到重要应用。在制造砷化镓晶片过程中，晶片切割过程是在切割台上实施：砷化镓晶圆片固定在切割台上，用晶片切割机的刀片从砷化镓晶圆片上切出砷化镓芯片，在切割过程中，刀片一次就完成晶片切割。现有的切割方法在切割极薄的晶片时，极易造成砷化镓晶片碎裂，导致砷化镓晶片的成品率偏低。
技术实现要素：
本发明的目的提供一种可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的砷化镓晶片切割方法。
为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种砷化镓晶片切割方法，：包括以下步骤：
步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%，在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓芯片，在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却。
进一步地，前述的一种砷化镓晶片切割方法，其中：在步骤一中，晶片切割机的刀片的进给速度为15毫米/秒，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的30%；在步骤二中，晶片切割机的刀片的进给速度为15毫米/秒，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的30%；在步骤三中，晶片切割机的刀片的进给速度为8毫米/秒。
进一步地，前述的一种砷化镓晶片切割方法，其中：在刀片对砷化镓晶圆片进行第一次切割、第二次切割及第三次切割过程中，所使用的纯水的电阻率需大于12兆欧。
通过上述技术方案的实施，本发明的有益效果是：可靠性高，切割时不会造成砷化镓晶片崩边碎裂，有效提高了砷化镓晶片的成品率；并且能减少切割时产生的颗粒物附着在砷化镓晶片表面，提高了砷化镓晶片的质量。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
具体实施例一
一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：
步骤一：先使晶片切割机的刀片以10毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的25%，在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤二：再使晶片切割机的刀片以10毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的25%；在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤三：最后使晶片切割机的刀片以5毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓芯片，在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却。
具体实施例二
一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：
步骤一：先使晶片切割机的刀片以15毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的30%，在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤二：再使晶片切割机的刀片以15毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的30%；在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤三：最后使晶片切割机的刀片以8毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片，在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却。
具体实施例三
一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：
步骤一：先使晶片切割机的刀片以20毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的35%，在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤二：再使晶片切割机的刀片以20毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的35%；在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；
步骤三：最后使晶片切割机的刀片以10毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片，在切割过程中，始终使用电阻率需大于12兆欧的纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却。
本发明的优点是：可靠性高，切割时不会造成砷化镓晶片崩边碎裂，有效提高了砷化镓晶片的成品率；并且能减少切割时产生的颗粒物附着在砷化镓晶片表面，提高了砷化镓晶片的质量。