抗静电防滑环氧地坪的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种环氧地坪结构，具体涉及一种抗静电防滑环氧地坪。
【背景技术】
[0002]普通地坪由于经常受到摩擦容易积聚大量静电荷，在特殊的环境如精密电子厂车间、仓库、机房、电气控制室、纺织厂等需防静电场所，经常会影响生产过程和产品质量，严重时则引起火灾、爆炸等事故。随着建筑业的发展，建筑物地面的档次也得到了提高，华丽美观、富丽堂皇，但大都忽略了地面防滑的问题，因此易发生人身伤害和安全生产事故。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种导电速率快、抗静电效果好、使用寿命长、防滑效果佳的抗静电防滑环氧地坪。
[0004]本实用新型为解决上述技术问题采取的技术方案是:它包括水泥素地，所述水泥素地表面设有环氧闭底基层，所述环氧闭底基层表面设有抗静电底涂，所述抗静电底涂表面设有导电铜带，所述导电铜带表面设有抗静电环氧砂浆中层漆，所述抗静电环氧砂浆中层漆表面设置有抗静电石英砂防滑腻子层，所述抗静电石英砂防滑腻子层表面设有抗静电氧化铝防滑环氧自流平面漆。
[0005]本实用新型具有以下有益效果:本实用新型抗静电防滑地坪，虽然比普通的防滑地坪多一层防滑腻子层，但是使用寿命可大大延长，防滑效果更佳。本实用新型抗静电防滑地坪使用导电性能良好的铁合金作为面漆导电填料，并铺设导电铜带，采用多级导电涂层设计，通过各层的相互作用，导电速率快、抗静电效果良好且持久；同时本实用新型采用石英砂层和氧化铝层双层防滑结构，使环氧地坪强度提高，防滑效果更佳，地坪寿命更为长久。以氧化铝为防滑骨料，向面漆中加入氧化铝时，其棱角突出表面引起阻力，在适当磨损时，石英砂层会起到防滑作用，摩擦系数更大，防滑效果良好。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型抗静电防滑环氧地坪的施工示意图。
【具体实施方式】
[0007]参见图1，本实用新型涉及的一种抗静电防滑地坪，它包括水泥素地1，所述水泥素地I表面设有环氧闭底基层2，所述环氧闭底基层2表面设有抗静电底涂3，所述抗静电底涂3表面设有导电铜带4，所述导电铜带4表面设有抗静电环氧砂浆中层漆5，所述抗静电环氧砂浆中层漆5表面设有抗静电石英砂防滑腻子层6，所述抗静电石英砂防滑腻子层6表面设有抗静电氧化铝防滑环氧自流平面漆7。
[0008]环氧闭底基层根据地面情况确定厚度，一般为0.5?I _。
[0009]每遍环氧砂楽刮涂厚度控制在1mm。
[0010]所述环氧导电中涂层采用环氧导电碳系中涂，厚度控制在1_。
[0011]第二遍腻子干燥后点补孔洞，然后用细砂皮纸整体打磨、吸尘。所述抗静电石英砂防滑腻子层腻子层厚度控制在1mm。
[0012]所述环氧导电面漆层采用环氧导电铁合金和氧化铝防滑面漆，厚度控制在2_。
[0013]通过面漆、中涂、导电铜带和底漆之间的作用，使得产生的静电及时导出，效果良好且持久。
[0014]加入石英砂可以使环氧地坪强度和寿命提高，防滑效果有效改善。通过加入不规则的氧化铝防滑粒料，粒料能稍突于涂膜表面，赋予防滑环氧涂层表面适当的粗糙度，妨碍或抵抗其他物体平面在其上面的移动，达到防滑的效果。
[0015]所制备的抗静电防滑环氧地坪的技术指标:
[0016]干燥时间表干彡4h
[0017]实干彡2d
[0018]表面电阻底涂彡1X103
[0019]中涂彡 1X104
[0020]面涂 1X104~ 1X109
[0021]铅笔硬度彡3H
[0022]抗压强度(MPa)彡80
[0023]耐磨性(750g/500r，g)0.06
[0024]注:所有测试(干燥时间外)是在固化7天后进行(25°C )
【主权项】
1.一种抗静电防滑环氧地坪，其特征在于:它包括水泥素地(1)，其特征在于:所述水泥素地(I)表面设有环氧闭底基层(2 )，所述环氧闭底基层(2 )表面设有抗静电底涂(3 )，所述抗静电底涂(3)表面设有导电铜带(4)，所述导电铜带(4)表面设有抗静电环氧砂浆中层漆(5)，所述抗静电环氧砂浆中层漆(5)表面设有抗静电石英砂防滑腻子层￠)，所述抗静电石英砂防滑腻子层(6 )表面设有抗静电氧化铝防滑环氧自流平面漆(7 )。
【专利摘要】本实用新型公开了一种抗静电防滑环氧地坪，涉及一种抗静电防滑环氧地坪。它包括水泥素地，所述水泥素地表面设有环氧闭底基层，所述环氧闭底基层表面设有抗静电底涂，所述抗静电底涂表面设有导电铜带，所述导电铜带表面设有抗静电环氧砂浆中层漆, 所述抗静电环氧砂浆中层漆表面设置有抗静电石英砂防滑腻子层，所述抗静电石英砂防滑腻子层表面设有抗静电氧化铝防滑环氧自流平面漆。抗静电防滑环氧地坪强度高、导电速率快、抗静电效果好、防滑效果佳、使用寿命长。
【IPC分类】E04F15-12, E04F15-18
【公开号】CN204571212
【申请号】CN201520248493
【发明人】李东平, 李艳蓉, 蒋少雄
【申请人】哈尔滨理工大学
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年4月23日