专利名称：绝缘片、其制造方法及采用了该绝缘片的结构体的制造方法
技术领域：
本发明涉及在电子设备(例如各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机设备及其周边设备)或运输机、建筑物等所有的物品中所使用的绝缘片、绝缘片的制造方法及采用了该绝缘片的结构体的制造方法。
背景技术：
在现有技术中，作为电子设备中的实装结构体，使用的是在配线基板上实装电子部件的结构体。在日本特开平2-253941号公报中记载有采用向金属箔喷镀陶瓷而成的陶瓷层来制成的配线基板。该陶瓷层通过使陶瓷在高温条件下喷镀而形成，因此，在该高温条件下陶瓷粒子成长而粒径容易变大，陶瓷层的平坦性容易降低。另外，在容易产生波纹的金属箔上形成陶瓷层，因此，陶瓷层的平坦性容易降低，往往在所述陶瓷层上形成配线之际产生不良。其结果是，配线基板的电可靠性变得容易降低。因而，所期望的是，提供一种改良了电可靠性的配线基板等结构体。
发明内容
本发明的一方式所涉及的绝缘片具备树脂片；形成在该树脂片上的绝缘层。所述绝缘层具有无机绝缘层。所述无机绝缘层包含粒径为3nm以上IlOnm以下且互相结合的第一无机绝缘粒子。本发明的一方式所涉及的绝缘片的制造方法包括将包含粒径为3nm以上IlOnm以下的第一无机绝缘粒子的无机绝缘溶胶直接或者间接涂布在树脂片上的工序；以小于所述树脂片中所包含的树脂的熔点的方式对所述第一无机绝缘粒子进行加热，由此使所述第一无机绝缘粒子彼此互相结合而形成无机绝缘层的工序。本发明的一方式所涉及的结构体的制造方法包括将上述的绝缘片以所述树脂片成为最外层的方式，经由包含未硬化的热硬化性树脂的第一树脂层而层叠在支承构件上的工序；以所述热硬化性树脂的硬化开始温度以上且小于所述树脂片中所包含的树脂的熔点的方式对所述第一树脂层进行加热，由此使所述无机绝缘层经由所述第一树脂层而与所述支承构件粘结的工序；从所述无机绝缘层将所述树脂片除去的工序。本发明的一方式所涉及的结构体的制造方法包括从所述绝缘层将所述树脂片除去的工序；在所述绝缘层的配设于所述树脂片侧的主面上形成导电层的工序。根据上述结构，能够获得平坦性高的绝缘片。由此，能够获得改善了电可靠性的结构体。
图1(a)是将本发明的第一实施方式所涉及的绝缘片沿着厚度方向切断的剖视图，图1 (b)是将图1 (a)的Rl部分放大表示的剖视图。图2 (a)是在沿着图1(b)的1-1线的平面方向上切断的剖视图，图2(b)示意性地展现出两个第一无机绝缘粒子结合的情况。图3(a)是将采用图1所示的绝缘片而制成的实装结构体沿着厚度方向切断的剖视图，图3(b)是将图3(a)的R2部分放大表示的剖视图。图4(a)及图4(b)是说明图1所示的绝缘片的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图，图4(c)是将图4(b)的R3部分放大表示的剖视图。图5(a)是说明图1所示的绝缘片的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图，图5(b)是将图5(a)的R4部分放大表示的剖视图。图6(a)是说明图1所示的绝缘片的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图，图6(b)是将图6(a)的R5部分放大表示的剖视图。图7(a)是说明图1所示的绝缘片的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图，图7(b)是将图7(a)的R6部分放大表示的剖视图。图8(a)至图8(c)是说明采用了图1所示的绝缘片的配线基板的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图。图9(a)及图9(b)是说明采用了图1所示的绝缘片的配线基板的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图。图10(a)及图10(b)是说明采用了图1所示的绝缘片的配线基板的制造工序的、将与图9(b)的R7部分对应的部分放大表示的剖视图。图11(a)是说明采用了图1所示的绝缘片的配线基板的制造工序的、将与图9(b)的R7部分对应的部分放大表示的剖视图，图11(b)是说明采用了图1所示的绝缘片的配线基板的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图。图12(a)是将本发明的第二实施方式所涉及的绝缘片沿着厚度方向切断的剖视图，图12(b)是将图12(a)的R8部分放大表示的剖视图。图13(a)是将本发明的第三实施方式所涉及的绝缘片沿着厚度方向切断的剖视图，图13(b)是将图13(a)的R9部分放大表示的剖视图。图14(a)是将本发明的第四实施方式所涉及的实装结构体沿着厚度方向切断的剖视图，图14(b)是用于图14(a)所示的实装结构体的制作中的绝缘片的沿着厚度方向切断的剖视图，图14(c)是说明图14(a)所示的实装结构体的制造工序的沿着厚度方向切断的剖视图。
具体实施例方式(第一实施方式)(绝缘片)以下，根据附图，对于本发明的第一实施方式所涉及的绝缘片进行详细的说明。图1 (a)所示的绝缘片I为例如如后所述在配线基板10的制作中所使用的结构。该绝缘片I包括树脂片2 ;形成在该树脂片2上的无机绝缘层3 ;形成在该无机绝缘层3上的第一树脂层4a ;形成在树脂片2与无机绝缘层3之间的第二树脂层4b。该绝缘片I之中的无机绝缘层3、第一树脂层4a及第二树脂层4b在如后所述制作配线基板10之际，构成残存于该配线基板10的绝缘层17。树脂片2为在处理绝缘片I之际支承无机绝缘层3的结构，且为在配线基板的制作时从无机绝缘层3被除去的结构，例如形成为平板状。该树脂片2由例如聚酯树脂或者聚乙烯树脂等热塑性树脂构成，作为聚酯树脂，可以采用例如聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂或者聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等。作为由热塑性树脂构成的树脂片2，期望的是采用直线状的各分子链的长度方向为相同方向的薄膜状的树脂片。通过这样采用由热塑性树脂构成的薄膜状的树脂片，从而能够提高树脂片2的平坦性。另外，树脂片2的厚度设定为例如8 μ m以上100 μ m以下,树脂片2的杨氏I旲量设定为例如7GPa以上12GPa以下，树脂片2的向平面方向的热膨胀率设定为20ppm/°C以上70ppm/°C以下，树脂片2的熔点设定为例如200°C以上260°C以下。需要说明的是，树脂片2的杨氏模量采用MTS系统社制Nano IndentorXP/DCM进行测定。另外，树脂片2的热膨胀率采用市售的TMA装置，通过以JIKS7197-1991为标准的测定方法来进行测定。另外，树脂片2的熔点通过以IS012086-2 2006为标准的测定方法来进行测定。 无机绝缘层3在配线基板的制作时与配线基板粘结且残存在配线基板上而构成绝缘层的主要部分，例如形成为平板状。该无机绝缘层3由例如氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化镁或者氧化锆等无机绝缘材料构成，其中，从低介质损耗因子及低热膨胀率的观点出发，期望由氧化硅构成，尤其是，期望由非晶形(非晶质)状态的氧化硅构成。其结果是，与因分子结构而热膨胀率容易产生各向异性的结晶状态的氧化硅比较，通过采用热膨胀率的各向异性难以产生的非晶形状态的氧化硅，在无机绝缘层3被加热后的冷却之际，能够使无机绝缘层3的收缩在各方向上更加均匀化，从而能够降低无机绝缘层3中的裂缝的产生。在该非晶形状态的氧化硅中，晶相的区域设定为例如小于10体积％，尤其是，期望设定为小于5体积％。在此，氧化硅的晶相区域的体积比如下进行测定。首先，制作以不同的比率包含100%结晶化了的试样粉末与非晶质粉末的多个比较试样，利用X射线衍射法测定该比较试样，由此制成表示该测定值与晶相区域的体积比的相对关系的检量线。接着，利用X射线衍射法测定作为测定对象的调查试样，将该测定值与检量线进行比较，根据该测定值来算出晶相区域的体积比，由此来测定调查资料的晶相区域的体积比。另外，无机绝缘层3的厚度设定为例如3 μ m以上100 μ m以下。另外，无机绝缘层3的杨氏模量设定为例如20GPa以上50GPa以下及/或设定为树脂片2的杨氏模量的例如4倍以上10倍以下。另外，无机绝缘层3的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如0ppm/°C以上7ppm/°C以下。另外，无机绝缘层3的向平面方向的热膨胀率设定为树脂片2的向平面方向的热膨胀率的例如0%以上20%以下。另外，无机绝缘层3的介质损耗因子设定为例如O. 0004以上O. 01以下。需要说明的是，无机绝缘层3的杨氏模量及热膨胀率与上述的树脂片2同样地测定。另外，无机绝缘层3的介质损耗因子通过以JISR1627-1996为标准的谐振器法来测定。本实施方式的无机绝缘层3如图1 (b)至图2(b)所示，包括互相结合的第一无机绝缘粒子3a ;粒径比该第一无机绝缘粒子3a大，且经由该第一无机绝缘粒子3a而互相粘结的第二无机绝缘粒子3b。该第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b由构成上述的无机绝缘层3的无机绝缘材料构成。需要说明的是，第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b可通过利用场致发射型电子显微镜对无机绝缘层3的剖面进行观察来确认。第一无机绝缘粒子3a的粒径设定为3nm以上IlOnm以下。这样第一无机绝缘粒子3a的粒径微小，因此如后述那样，能够使第一无机绝缘粒子3a彼此在低温下结合，从而能够在树脂片2上容易地形成无机绝缘层3。另外，第一无机绝缘粒子3a的粒径微小，因此如后述那样，能够使第一无机绝缘粒子3a与第二无机绝缘粒子3b在低温下结合，从而能够使第二无机绝缘粒子3b彼此在低温下粘结。如图2(b)所示，第一无机绝缘粒子3a经由管颈结构3al而互相结合。这样结合的第一无机绝缘粒子3a形成为三维网眼状结构，且在第一无机绝缘粒子3a彼此之间形成有第一空隙VI。该第一空隙Vl为在无机绝缘层3的第一树脂层4a侧具有开口的开气孔。该第一空隙Vl在沿着无机绝缘层3的厚度方向的剖面中，形成为与第一无机绝缘粒子3a相同程度的大小，所期望的是，所述剖面中的第一空隙Vl的面积设定为所述剖面中的第一无机绝缘粒子3a的面积的例如2倍以下。另外，在第一空隙Vl中，期望所述剖面中的第一无机绝缘层Ila的厚度方向的高度设定为3nm以上IlOnm以下，期望所述剖面中的第一无机绝缘层Ila的平面方向的宽度设定为3nm以上IlOnm以下。另外,第二无机绝缘粒子3b的粒径设定为O. 5 μ m以上5 μ m以下。这样,第二无机绝缘粒子3b的粒径比第一无机绝缘粒子3a大，故在无机绝缘层3产生了裂缝的情况下，裂缝的伸长到达第二无机绝缘粒子3b之际，以沿着粒径大的第二无机绝缘粒子3b的表面绕过的方式使裂缝伸长，因此，裂缝的伸长需要较大的能量，故能够减少裂缝的伸长。另外，粒径大的第二无机绝缘粒子3b经由第一无机绝缘粒子3a而互相粘结，因此如后所述，能够容易地形成第二空隙V2。另外，通过将第二无机绝缘粒子3b的粒径设定为5 μ m以下，能够使第一无机绝缘粒子3a与第二无机绝缘粒子3b的每单位体积的接触面积增加，从而使粘结强度变高。
需要说明的是，通过利用场致发射型电子显微镜对无机绝缘层3的剖面进行观察，对以包含20粒子数以上50粒子数以下的粒子的方式放大了的剖面进行摄影，并在该放大了的剖面中测定各粒子的最大径，由此来测定第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b的粒径。上述的第一无机绝缘粒子3a期望为球状。其结果是，能够使第一无机绝缘粒子3a的填充密度变高，使第一无机绝缘粒子3a彼此更加牢固地结合，从而能够使无机绝缘层3的刚性提高。另外，第二无机绝缘粒子3b期望为球状。其结果是，能够使第二无机绝缘粒子3b的表面中的应力分散，从而能够减少以第二无机绝缘粒子3b的表面为起点的无机绝缘层3中的裂缝的产生。另外，所期望的是，第一无机绝缘粒子3a和第二无机绝缘粒子3b由相同材料构成。其结果是，在无机绝缘层3中，第一无机绝缘粒子3a与第二无机绝缘粒子3b的结合变得牢固，从而能够减少因材料特性的不同所引起的裂缝。另外，所期望的是，第二无机绝缘粒子3b的硬度比第一无机绝缘粒子3a高。其结果是，能够借助较硬的第二无机绝缘粒子3b来进一步地减少裂缝的伸长。另一方面，在无机绝缘层3中形成有至少一部分由第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b环绕且同时沿着平面方向的第二空隙V2，第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b形成三维网眼状结构。该第二空隙V2为在无机绝缘层3的第一树脂层4a侧主面具有开口 O的开气孔。另外，第二空隙V2在沿着厚度方向(Z方向)的剖面中，至少一部分被无机绝缘层3环绕。该第二空隙V2在沿着无机绝缘层3的厚度方向的剖面中，形成为与第二无机绝缘粒子3b相同程度的大小，所期望的是，该剖面中的第二空隙V2的面积设定为该剖面中的第二无机绝缘粒子3b的例如O. 5倍以上。另外，在第二空隙V2中，期望所述剖面中的无机绝缘层3的厚度方向的高度设定为O. 3μπι以上5μπι以下，期望所述剖面中的无机绝缘层3的平面方向的宽度设定为O. 3 μ m以上5 μ m以下。另外，在沿着无机绝缘层3的厚度方向的剖面中，第二空隙V2形成得比第一空隙Vl大。在该第二空隙V2中，沿着无机绝缘层3的厚度方向的剖面中的面积设定为第一空隙Vl的面积的例如O. 005倍以上O.1倍以下。另外，所期望的是，第二空隙V2的体积设定为无机绝缘层3的体积的8%以上40%以下。其结果是，第二空隙V2的体积为无机绝缘层3的体积的40%以下，由此能够提高第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b的粘结强度，从而能够使无机绝缘层3形成为高刚性及低热膨胀率。另外，第二空隙V2的体积为无机绝缘层3的体积的8%以上，由此如后所述能够使多个第二空隙V2形成为开气孔。在此，第二空隙V2的体积相对于无机绝缘层3的体积的比例通过将无机绝缘层3的剖面中的第二空隙V2的面积比率的平均值视为该比例来进行测定。另外，无机绝缘层3具有朝向第二树脂层4b突出的、由第二无机绝缘粒子3b构成的突出部3p。其结果是，能够较大地形成突出部3p，从而能够利用锚定效果来提高无机绝缘层3与第二树脂层4b的粘结强度。
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第一树脂层4a为在配线基板的制作时使无机绝缘层3与配线基板粘结的结构，且残存在配线基板上。该第一树脂层4a例如包括第一树脂5a ;被该第一树脂5a被覆的第一无机绝缘填料6a。另外，第一树脂层4a的厚度设定为例如3μπι以上30μπι以下及/或设定为树脂片
2的厚度的例如10%以上80%以下。另外，第一树脂层4a的杨氏模量设定为例如O. 2GPa以上20GPa以下及/或设定为无机绝缘层3的杨氏模量的例如I %以上60%以下。另外，第一树脂层4a的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如20ppm/°C以上50ppm/°C以下。另外，第一树脂层4a的向平面方向的热膨胀率设定为无机绝缘层3的向平面方向的热膨胀率的例如200%以上1000%以下。另外，第一树脂层4a的介质损耗因子设定为例如
O.005以上O. 02以下。需要说明的是，第一树脂层4a的杨氏模量、热膨胀率及介质损耗因子在使第一树脂5a硬化的状态下，与上述的无机绝缘层3同样地测定。另外，所期望的是，第一树脂层4a的厚度比树脂片2小。其结果是，能够使树脂片2的厚度变大，使树脂片2的平坦性变高，同时使第一树脂层4a的厚度变小，从而降低配线基板的热膨胀率。第一树脂5a为形成第一树脂层4a的主要部分且作为粘结构件来发挥功能的结构。该第一树脂5a由例如环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂、全芳香族聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂等热硬化性树脂构成。该热硬化性树脂在绝缘片I中为未硬化或者半硬化。需要说明的是，未硬化的热硬化性树脂为以IS0472 1999为标准的A-级的热硬化性树脂，半硬化的热硬化性树脂为以IS0472 1999为标准的B-级的热硬化性树脂。另外，第一树脂5a的杨氏模量设定为例如O.1GPa以上5GPa以下,第一树脂5a的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如20ppm/°C以上50ppm/°C以下。需要说明的是，第一树脂5a的杨氏模量及热膨胀率在使第一树脂5a硬化的状态下，与上述的无机绝缘层3同样地进行测定。第一无机绝缘填料6a为使第一树脂层4a形成为低热膨胀率、高刚性的结构。该第一无机绝缘填料6a通过由例如氧化硅、氧化铝、氮化铝、或者氢氧化铝、碳酸钙等无机绝缘材料构成的多个粒子来构成，作为无机绝缘材料，期望采用的是氧化硅。另外,第一无机绝缘填料6a的杨氏模量设定为例如20GPa以上IOOGPa以下,第一无机绝缘填料6a的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如0ppm/°C以上15ppm/°C以下，第一无机绝缘填料6a的粒子的粒径设定为例如O. 5 μ m以上5. O μ m以下，第一树脂层4a中的第一无机绝缘填料6a的含量设定为例如3体积％以上60体积％以下。需要说明的是，第一无机绝缘填料6a的杨氏模量及热膨胀率与上述的无机绝缘层3同样地进行测定。另外，第一无机绝缘填料6a的粒径与第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b同样地进行测定。另外，第一树脂层4a中的第一无机绝缘填料6a的含量通过将第一树脂层4a的剖面中的第一无机绝缘填料6a的面积比率的平均值视为该含量来进行测定。在此，绝缘片I具备第一树脂层4a的一部分经由开口 O而向第二空隙V2填充而成的树脂部7。该树脂部7由树脂材料构成，故杨氏模量比无机绝缘层3低，因此，在对无机绝缘层3施加了应力的情况下，能够通过树脂部7来缓和该应力，进而能够减少无机绝缘层3中的裂缝的产生。另外，第二空隙V2的至少一部分沿着平面方向形成，因此，能够通过配设于该第二空隙V2中的树脂部7来减少无机绝缘层3中的沿着厚度方向的裂缝的伸长。另外，第一树脂层4a的一部分经由开口 O而向第二空隙V2填充，因此，能够通过锚定效果来提高第一树脂层4a与无机绝缘层3的粘结强度。该树脂部7与第一树脂层4a同样地包括第一树脂5a。另外，期望树脂部7不包括第一无机绝缘填料6a，在树脂部7包括第一无机绝缘填料6a的情况下，期望树脂部7中的第一无机绝缘填料6a的含量设定得比第一树脂层4a中的第一无机绝缘填料6a的含量少。其结果是，能够使第一树脂层4a形成为低热膨胀、高刚性，同时降低树脂部7的杨氏模量，从而能够进一步地缓和对无机绝缘层3施加的应力。在这种情况下，树脂部7中的第一无机绝缘填料6a的含量设定为第一树脂层4a中的第一无机绝缘填料6a的含量的例如O. 05%以上30%以下。另外，树脂部7的杨氏模量设定为例如O.1GPa以上5GPa以下，树脂部7的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如 20ppm/°C以上70ppm/°C以下。需要说明的是，树脂部7的杨氏模量、热膨胀率及介质损耗因子在使第一树脂5a硬化的状态下，与上述的无机绝缘层3同样地进行测定。另外，所期望的是，树脂部7与环绕第二空隙V2的无机绝缘层3密接。其结果是，能够使无机绝缘层3与树脂部7的粘结强度变高。 需要说明的是，所期望的是，与第二空隙V2同样地，在第一空隙V中也填充有树脂部7。
另一方面，第二树脂层4b为与无机绝缘层3a —同残存在配线基板上而成为用于在该配线基板中形成导电层的基底的结构。该第二树脂层4b例如包括第二树脂5b ;被该第二树脂5b被覆的第二无机绝缘填料6b。另外，第二树脂层4b的厚度设定为例如O. Ιμπι以上5μπι以下及/或设定为树脂片2的厚度的例如I %以上50%以下及/或设定为无机绝缘层3的厚度的例如I %以上50%以下、设定为第一树脂层4a的厚度的例如1%以上15%以下。另外，第二树脂层4b的杨氏模量设定为例如O. 05GPa以上5GPa以下及/或设定为无机绝缘层3的杨氏模量的例如O. 05%以上10%以下及/或设定为第一树脂层4a的杨氏模量的例如5%以上75%以下。另外，第二树脂层4b的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如20ppm/°C以上100ppm/°C以下。另外，第二树脂层4b的向平面方向的热膨胀率设定为树脂片2的向平面方向的热膨胀率的例如5 %以上50 %以下及/或设定为无机绝缘层3的向平面方向的热膨胀率的例如2倍以上10倍以下。另外，第二树脂层4b的介质损耗因子设定为例如O. 005以上O. 02以下。需要 说明的是，第二树脂层4b的杨氏模量、热膨胀率及介质损耗因子在使第二树脂5b硬化的状态下，与上述的无机绝缘层3同样地进行测定。第二树脂5b为形成第二树脂层4b的主要部分且成为导电层的基底的结构。该第二树脂5b由例如环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸酯树脂或者聚酰亚胺树脂等热硬化性树脂构成。该热硬化性树脂在绝缘片I中既可以为半硬化又可以为硬化，但从与无机绝缘层3粘结的粘结强度的观点出发，期望为半硬化。需要说明的是，硬化了的热硬化性树脂为以IS0472 1999为标准的C-级的热硬化性树脂。另外，第二树脂5b的杨氏模量设定为例如O. 05GPa以上5GPa以下，第二树脂5b的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如20ppm/°C以上100ppm/°C以下。需要说明的是，第二树脂5b的杨氏模量及热膨胀率在使第二树脂5b硬化的状态下，与上述的无机绝缘层3同样地进行测定。第二无机绝缘填料6b具有提高第二树脂层4b的阻燃性的功能和在处理绝缘片I之际降低粘合性并改善作业性的功能。该第二无机绝缘填料6b由例如氧化娃等无机绝缘材料构成。另外，第二无机绝缘填料6b的杨氏模量设定为例如20GPa以上IOOGPa以下。另夕卜，第二无机绝缘填料6b的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如0ppm/°C以上15ppm/°C以下。另外，第二无机绝缘填料6b的粒径设定为例如O. 05 μ m以上O. 7 μ m以下及/或设定为第一无机绝缘填料6a的例如5%以上50%以下。另外，第二树脂层4b中的第二无机绝缘填料6b的含量设定为例如O体积％以上10体积％以下。另外，第二树脂层4b中的第二无机绝缘填料6b的含量的、相对于第一树脂层4a中的第一无机绝缘填料6a的含量的比例设定为例如2%以上50%以下。需要说明的是，第二无机绝缘填料6b的杨氏模量、热膨胀率、粒径及含量与第一无机绝缘填料6a同样地进行测定。在上述的本实施方式的绝缘片I中，无机绝缘层3形成在树脂片2上，包含粒径为3nm以上IlOnm以下且互相结合的第一无机绝缘粒子。由此，如后所述，能够形成平坦性高的无机绝缘层3，因此，通过采用绝缘片I来制作配线基板，并使无机绝缘层3残存在该配线基板上，能够使形成在该无机绝缘层3上的导电层微细化，进而能够提高配线基板的配线
山/又ο
(实装结构体)接着，根据附图，对于包含采用上述的绝缘片I而制成的配线基板在内的实装结构体进行详细的说明。图3 (a)所示的实装结构体8为用于例如各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机装置或者其周边设备等电子设备当中的结构。该实装结构体8包括电子部件9 ;实装有该电子部件9的配线基板10。电子部件9为例如IC或者LSI等半导体元件，经由由焊料等构成的导电隆起11而倒装实装在配线基板10上。该电子部件9的母材由例如硅、锗、砷化镓、镓砷磷、氮化镓或者碳化硅等半导体材料构成。另外，电子部件9的厚度设定为例如O.1mm以上1_以下，电子部件9的向平面方向的热膨胀率设定为2ppm/°C以上5ppm/°C以下。配线基板10在本实施方式中为组合多层配线基板，且包括中心基板12和在中心基板12的上下形成的一对配线层13。另外，配线基板10的厚度设定为例如O. 2mm以上1.2mm。中心基板12为提高配线基板10的刚性且同时实现一对配线层13间的导通的结构。该中心基板12包括形成有沿着厚度方向的通孔的树脂基体14 ;被附于该通孔的内壁上的筒状的通孔导体15 ;配设于被 该通孔导体15环绕的区域中的柱状的绝缘体16。树脂基体14为提闻中心基板12的刚性的结构。该树脂基体14例如包括树脂；被该树脂被覆的基材；被该树脂被覆的无机绝缘填料。另外，树脂基体14的厚度设定为例如O.1mm以上1. 2mm以下，树脂基体14的杨氏模量设定为例如O. 2GPa以上IOGPa以下，树脂基体14的向平面方向的热膨胀率设定为例如3ppm/°C以上20ppm/°C以下，树脂基体14的向厚度方向的热膨胀率设定为例如15ppm/°C以上50ppm/°C以下,树脂基体14的介质损耗因子设定为例如O. 005以上O. 02以下。需要说明的是，树脂基体14的杨氏模量、热膨胀率及介质损耗因子在使树脂硬化的状态下，与上述的无机绝缘层3同样地进行测定。树脂基体14所包含的树脂为形成树脂基体14的主要部分的结构。该树脂由例如环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸酯树脂、聚对苯撑苯二恶唑树脂、全芳香族聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、芳香族液晶聚酯树脂、聚醚醚酮树脂或者聚醚酮树脂等树脂材料构成。另外，树脂基体14的树脂的杨氏模量设定为例如O.1GPa以上5GPa以下，树脂基体14的树脂的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如20ppm/°C以上50ppm/°C以下。需要说明的是，树脂基体14的树脂的杨氏模量、热膨胀率及介质损耗因子在使该树脂硬化的状态下，与上述的无机绝缘层3同样地进行测定。树脂基体14所包含的基材为使树脂基体14形成为高刚性化及低热膨胀化的结构。该基材通过由纤维构成的织布或者无纺布、或纤维沿着单向配列而成的结构构成。另夕卜，该纤维由例如玻璃纤维、树脂纤维、碳纤维或者金属纤维等构成。树脂基体14所包含的无机绝缘填料为使树脂基体14形成为高刚性化及低热膨胀化的结构。该无机绝缘填料通过由例如氧化硅、氧化铝、氮化铝、氢氧化铝或者碳酸钙等无机绝缘材料构成的多个粒子而构成。另外，树脂基体14的无机绝缘填料的杨氏模量设定为例如20GPa以上IOOGPa以下，树脂基体14的无机绝缘填料的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如0ppm/°C以上15ppm/°C以下，树脂基体14的无机绝缘填料的粒径设定为例如O. 5 μ m以上5. O μ m以下，树脂基体14中的无机绝缘填料的含量设定为例如3体积％以上60体积％以下。需要说明的是，该无机绝缘填料的杨氏模量、热膨胀率、粒径及含量与上述的第一无机绝缘填料6a同样地进行测定。通孔导体15为将中心基板12的上下的配线层13电连接的结构。该通孔导体15由例如铜、银、金、铝、镍或者铬等导电材料构成。另外，通孔导体15的向平面方向及厚度方向的热膨胀率设定为例如14ppm/°C以上18ppm/°C以下。绝缘体16为形成后述的过孔导体19的支承面的结构。该绝缘体16由例如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、氟树脂、硅树脂、聚苯醚树脂或者双马来酰亚胺三嗪树脂等树脂材料构成。另一方面，在中心基板12的上下形成有如上所述那样的一对配线层13。配线层13包括形成有沿着厚度方向的过孔的绝缘层17 ;局部形成在树脂基体14上或者绝缘层17上的导电层18 ;形成在过孔内的过孔导体19。绝缘层13包括第一树脂层4a ;形成在该第一树脂层4a上的无机绝缘层3 ;形成在该无机绝缘层3上的第二树脂层4b。第一树脂层4a为与导电层18的侧面及上表面粘结且同时进行树脂基体14与绝缘层13的粘结或所层叠的绝缘层13彼此的粘结的结构，另外，为配设于沿着平面方向离开的导电层18彼此之间而作为支承构件来发挥功能的结构。该第一树脂层4a包含于上述的绝缘片I中。该第一树脂层4a的热硬化性树脂在配线基板10中硬化。第一树脂层4a与导电层18的侧面及上表面抵接，故期望介质损耗因子比仅仅与导电层18的下表面抵接的第二树脂层4b低。其结果是，能够提高导电层18的信号传送特性。无机绝缘层3为形成绝缘层13的主要部分且仅仅与导电层18的下表面抵接而作为支承构件来发挥功能的结 构，另外，为作为沿着厚度方向离开的导电层18彼此的支承构件来发挥功能的结构。该无机绝缘层3为包含于上述的绝缘片I中的结构，由与树脂材料相比为低热膨胀率、高刚性、低介质损耗因子及高绝缘性的无机绝缘材料构成。因而，通过降低绝缘层13的向平面方向的热膨胀率，能够降低配线基板10与电子部件2的向平面方向的热膨胀率之差，进而减少配线基板10的翘曲。另外，通过降低绝缘层13的向厚度方向的热膨胀率，能够降低绝缘层13与过孔导体19的向厚度方向的热膨胀率之差，进而减少过孔导体19的断线。另外，通过提高绝缘层13的刚性，无需增大配线基板10的厚度而能够提高刚性。另夕卜，通过降低绝缘层13的介质损耗因子，能够提高形成在绝缘层13上的导电层18的信号传送特性。另外，通过提高绝缘层13的绝缘性，能够降低配设于绝缘层13的上下的导电层18彼此的短路。第二树脂层4b为介设在无机绝缘层3与导电层17之间而作为粘结构件来发挥功能的结构。该第二树脂层4b为包含于上述的绝缘片I中的结构，与由无机绝缘材料构成的无机绝缘层3相比裂缝难以伸长，故能够降低在无机绝缘层3产生的裂缝到达导电层18的情况，从而能够减少导电层18的断线。在此，所期望的是，第二树脂层4b设定为，与第一树脂层4a、无机绝缘层3及导电层18相比，厚度小且杨氏模量低。其结果是，通过较薄且容易弹性变形的第二树脂层4b发生变形，能够缓和因无机绝缘层3与导电层18的热膨胀率的不同所引起的应力，故能够减少无机绝缘层3与导电层18的剥离，从而能够减少导电层18的断线。另外，通过减薄杨氏模量较低的第二树脂层4b的厚度，能够抑制配线基板10的刚性的降低。另外，通过减薄热膨胀率高的第二树脂层4b的厚度，能够抑制配线基板10的热膨胀率的上升。另外，通过减薄介质损耗因子高的第二树脂层4b的厚度，能够使介质损耗因子低的无机绝缘层3与导电层18接近而提高导电层18的信号传送特性。另外，通过使第二树脂层4b的杨氏模量变低，能够提高无机绝缘层3与导电层18的粘结强度。需要说明的是，第二树脂层4b介设在无机绝缘层3与导电层17之间即可，因此，与介设在沿着平面方向离开的导电层18彼此之间的第一树脂层4a相比，能够减少厚度增加的要求且容易使厚度变小。另外，第一树脂层4a的厚度比第二树脂层4b大，故期望热膨胀率比第二树脂层4b低。其结果是，能够降低配线基板10的热膨胀率。
所期望的是，第二树脂层4b中所包含的树脂材料采用与第一树脂层4a中所包含的树脂材料相比为低杨氏模量、高热膨胀率或者高介质损耗因子的材料。其结果是，能够使第二树脂层4b形成为低杨氏模量，使第一树脂层4a形成为低热膨胀率或者低介质损耗因子。作为这样的树脂材料的组合，例如可以在第二树脂层4b中采用环氧树脂，在第一树脂层4a中采用聚苯醚树脂、聚苯撑氧树脂或者氟树脂。所期望的是，第二无机绝缘填料6b的粒径如图3(b)所示那样，比第一无机绝缘填料6a的粒径小。其结果是，能够使第二树脂层4b形成为低杨氏模量，使第一树脂层4a形成为低热膨胀率或者低介质损耗因子。另外，所期望的是，第二树脂层4b中的第二无机绝缘填料6b的含量比第一树脂层4a中的第一无机绝缘填料6a的含量小。其结果是，能够使第二树脂层4b形成为低杨氏模量，使第一树脂层4a形成为低热膨胀率或者低介质损耗因子。另外，所期望的是，第二树脂层4b在与导电层18抵接的主面上形成有微细的凹凸。其结果是，能够提高第二树脂层4b与导电层18的粘结强度。需要说明的是，第二树脂层4b如上所述那样，在与无机绝缘层3抵接的主面上，通过埋入无机绝缘层3的突出部3p而形成有凹凸。另外，在第二树脂层4b中，期望与无机绝缘层3抵接的主面的凹凸比与导电层18抵接的主面的凹凸形成得微细。在该第二树脂层4b中，与导电层18抵接的主面的算术平均粗糙度设定为例如O. 3 μ m以上2 μ m以下，与无机绝缘层3抵接的主面的算术平均粗糙度设定为例如O. 3 μ m以上5 μ m以下。另外，在第二树脂层4b中，与无机绝缘层3抵接的主面的算术平均粗糙度设定为与导电层18抵接的主面的例如1. 2倍以上2. 5倍以下。需要说明的是，算术平均粗糙度以IS04287 1997为标准。导电层18为沿着平面方向或者厚度方向互相离开而作为接地用配线、电力供给用配线或者信号用配线来发挥功能的结构。该导电层18由例如铜、银、金、铝、镍或者铬等导电材料构成。另外，在导电层18中，厚度设定为3μπι以上20 μ m以下，热膨胀率设定为例如14ppm/°C以上18ppm/°C以下。过孔导体19为将沿着厚度方向互相离开的导电层18彼此电连接的结构，且形成为朝向中心基板12而成为窄幅的柱状。过孔导体19由例如铜、银、金、铝、镍或者铬这些导电材料构成。另外，过孔导体19的热膨胀率设定为例如14ppm/°C以上18ppm/°C以下。这样，上述的实装结构体8通过根据经由配线基板10而供给的电源或信号来对电子部件9进行驱动或者控制，由此发挥所期望的功能。接着，根据图4至图11，来说明包含采用绝缘片I而制成的配线基板10的实装结构体8的制造方法。首先，关于绝缘片I的制造方法进行详细的说明。(绝缘片的制成)(I)如图4所示，在树脂片2上形成第二树脂层4b。具体而言，例如按以下的方式进行。首先，如图4(a)所示，通过例如挤压成形来形成树脂片2。接着，如图4(b)及图4(c)所示，例如采用杆涂器、模涂器或帘涂器等，将含有溶剂、第二树脂5b及第二无机绝缘填料6b的第二清漆涂布在树脂片2上，使该第二清漆干燥而使溶剂蒸发，由此在树脂片2上形成第二树脂层4b。需要说明的是，第二树脂5b为A级。在此，树脂片2通过例如挤压成形来形成，故可获得与金属箔相比平坦性高的树脂片2。
另外，第二树脂层4b通过在平坦性高的树脂片2上涂布流动性高的第二清漆而形成，故可获得平坦性高的第二树脂层4b。另外，通过如此形成第二树脂层4b，由此能够容易地形成较薄且均匀的第二树脂层4b。另外，所期望的是，在树脂片2上形成第二树脂层4b之后，通过将第二树脂层4b加热至第二树脂层4b所包含的第二树脂5b的硬化开始温度以上且小于树脂片2所包含的树脂的熔点的温度，由此推进第二树脂层4b的硬化。其结果是，在后述的(2)的工序中，在将无机绝缘溶胶3x涂布在第二树脂层4b上之际，能够减少因无机绝缘溶胶所含有的溶剂引起的第二树脂层4b的损伤。该硬化进展了的第二树脂层4b的热硬化性树脂为B级或者C级，但从与无机绝缘层3粘结的粘结强度的观点出发，期望为B级。需要说明的是，用于推进第二树脂层4b的硬化的加热既可以在与第二树脂层4b的干燥同时地进行，也可以在第二树脂层4b的干燥之后进行。(2)如图5所示，在第二树脂层4b上涂布无机绝缘溶胶3x。具体而言，例如按以下的方式进行。首先，准备包含由第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b构成的固态成分和溶剂的无机绝缘溶胶3x。接着，例如采用分配器、杆涂器、模涂器或者丝网印刷等，将无机绝缘溶胶3x涂布在第二树脂层4b上。其结果是，在(I)的工序中平坦性较高形成的第二树脂层s4b上涂布无机绝缘溶胶3x，因此，能够提高配设于第二树脂层s4b上的无机绝缘溶胶3x的平坦性。粒径小的第一无机绝缘粒子3a可以通过对硅酸钠水溶液(水玻璃)等硅酸化合物进行精制，并利用加水分解等方法化学性地使氧化硅析出而制成。另外，通过这样制成，能够抑制第一无机绝缘粒子3a的结晶化，并维持非晶形状态。需要说明的是，在这样制成的情况下，第一无机绝缘粒子3a也可以包含Ippm以上5000ppm以下的氧化钠等杂质。在此，所期望的是，第一无机绝缘粒子3a的粒径设定为3nm以上。其结果是，能够降低无机绝缘溶胶3x的粘度，从而能够提高无机绝缘层3的平坦性。粒径大的第二无机绝缘粒子3b可以通过对例如硅酸钠水溶液(水玻璃)等硅酸化合物进行精制，并将化学性地使氧化硅析出的溶液向火焰中喷雾，抑制凝集物的形成且同时加热至800°C以上1500°C以下而制成。在此，第二无机绝缘粒子3b与第一无机绝缘粒子3a相比，降低凝集体的形成且同时在高温的加热下容易制成，因此，通过在高温的加热下制作第二无机绝缘粒子3b，能够容易地使第二无机绝缘粒子3b的硬度与第一无机绝缘粒子3a相比提闻。在此，所期望的是，制作第二无机绝缘粒子3b之际的加热时间设定为I秒以上180秒以下。其结果是，通过缩短该加热时间，即便在加热至800°C以上1500°C以下的情况下，也能够抑制第二无机绝缘粒子3b的结晶化，从而维持非晶形状态。无机绝缘溶胶3x所包含的溶剂由例如甲醇、异丙醇、η-正丁醇、乙二醇，乙二醇单异丙基醚、丁酮、甲基异丁基酮、二甲苯、丙二醇单甲醚，丙二醇单甲醚醋酸酯或者二甲基乙酰胺等有机溶剂构成，其中，期望由甲醇、异丙醇或者丙二醇单甲醚构成。其结果是，能够均匀地涂布无机绝缘溶胶3χ，且在(3)的工序中能够使溶剂效率良好地蒸发。需要说明的是，该溶剂也可以为上述2种以上的有机溶剂混合而成的溶剂。所期望的是，无机绝缘溶胶3χ包含10%体积以上50体积％以下的固态成分，且包含50%体积以上90体积％以下的溶剂。其结果是，通过包含无机绝缘溶胶3χ的50体积％以上的溶剂，能够降低无机绝缘溶胶3χ的粘度，提高无机绝缘层3的上表面的平坦性，从而能够提高配线基板10的上表面的平坦性。另外，通过包含无机绝缘溶胶3χ的90体积％以下的溶剂，使无机绝缘溶胶3χ的固形物成分量增加，由此能够使无机绝缘层3的生产性提闻。另外，在本实施方式中，无机绝缘溶胶3χ的固态成分包含20体积％以上40体积％以下的第一无机绝缘粒子3a，且包含60体积％以上80体积％以下的第二无机绝缘粒子3b ο(3)使无机绝缘溶胶3x干燥，而使无机绝缘溶胶3x中所包含的溶剂蒸发。其结果是，无机绝缘溶胶3x的固态成分残存`在第二树脂层4b上。在此，无机绝缘溶胶3x包含粒径大到O. 5 μ m以上的第二无机绝缘粒子3b，因此，在使无机绝缘溶胶3x的溶剂蒸发之际，与包含粒径大的第二无机绝缘粒子3b的区域相比，在包含粒径小的第一无机绝缘粒子3a的区域中溶剂大量蒸发。并且，无机绝缘溶胶3x的固态成分包含60体积％以上的第二无机绝缘粒子3b，故第二无机绝缘粒子3b的数量较多，从干燥前的阶段起第二无机绝缘粒子3b互相接近，因此，在由该第二无机绝缘粒子3b环绕的区域内，溶剂局部性地大量蒸发而发生收缩，从而形成第二空隙V2。其结果是，能够形成由第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b环绕而成的第二空隙V2。另外，溶剂与第二无机绝缘粒子3b湿润性良好，因此容易残留在第二无机绝缘粒子3b彼此的接近点。其结果是，伴随着向该接近点的溶剂的移动，第一无机绝缘粒子3a向该接近点移动，故在第二无机绝缘粒子3b间的该接近点以外的区域中能够较大地形成第二空隙V2。另外，通过这样形成第二空隙V2，在该接近点以外的区域中，能够形成在形成中途的第二空隙V2彼此结合了的较大的第二空隙V2，进而能够容易地形成具有开口 O的开气孔的第二空隙V2。另外，通过使第一无机绝缘粒子3a向该接近点移动，能够在第二无机绝缘粒子3b彼此之间介入第一无机绝缘粒子3a。另外，在与第二树脂层4b的交界处，与包含第二无机绝缘粒子3b的区域相比，在包含第一无机绝缘粒子3a的区域中溶剂大量蒸发而大幅收缩，从而形成朝向第二树脂层4b突出的突出部3p。该突出部3p在(3)的工序中，在用于形成无机绝缘层3的加热之际，埋入通过该加热而软化了的第二树脂层4b内。另外，无机绝缘溶胶3x的固态成分包含20体积％以上的第一无机绝缘粒子3a，由此确保介入第二无机绝缘粒子3b彼此的接近点的第一无机绝缘粒子3a的数量，并减少第二无机绝缘粒子3b彼此接触的区域，从而能够提高无机绝缘层3的刚性。另外，无机绝缘溶胶3x的干燥通过例如加热及风干来进行，期望温度设定为20°C以上且小于溶剂的沸点(混合二种以上的溶剂时，沸点最低的溶剂的沸点)，干燥时间设定为20秒以上30分钟以下。其结果是，通过降低溶剂的沸腾，能够提高第二无机绝缘粒子3b的填充密度。需要说明的是，通过适当调整第一无机绝缘粒子3a或者第二无机绝缘粒子3b的粒径或者含量、无机绝缘溶胶3x的溶剂的种类或者数量、干燥时间、干燥温度、干燥时的风量或者风速、或者干燥后的加热温度或者加热时间，能够将第二空隙V2形成为所期望的形状。(4)如图6所示，对无机绝缘溶胶3x的固态成分进行加热，在第二树脂层4b上形成无机绝缘层3。具体而言，例如按以下的方式进行。将无机绝缘溶胶3x的固态成分以小于树脂片2中所包含的树脂的熔点的方式进行加热，使第一无机绝缘粒子3a彼此结合，并且使第一无机绝缘粒子3a与第二无机绝缘粒子3b结合，由此使无机绝缘溶胶3x的固态成分形成为无机绝缘层3，从而在第二树脂层4b上形成无机绝缘层3。其结果是，通过对在(2)的工序中平坦性较高地形成的无机绝缘溶胶3x的固态成分进行加热，能够获得平坦性高的无机绝缘层3。在此，在本实施方式中，第一无机绝缘粒子3a的粒径设定为IlOnm以下，因此，即便以低温到小于树脂片2的熔点的方式进行加热，也能够使第一无机绝缘粒子3a彼此牢固地结合，并且使第一无机绝缘粒子3a与第二无机绝缘粒子3b牢固地结合，从而经由第一无机绝缘粒子3a而使第二无机绝缘粒子3b彼此粘结。例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂的熔点为260°C左右，粒径为IlOnm以下的氧化硅的粒子彼此牢固地结合的温度为100°C 180 °C左右。从该内容可推测到，第一无机绝缘粒子3a的粒径设定为超微小到IlOnm以下时，第一无机绝缘粒子3a的原子、尤其是表面的原子活跃地运动，因此，即便在这样的低温下也可使第一无机绝缘粒子3a彼此牢固地结合，并且使第一无机绝缘粒子3a与第二无机绝缘粒子3b牢固地结合。因而，通过以小于树脂片2的熔点的方式对无机绝缘溶胶3x的固态成分进行加热，能够减少树脂片2的变形，故不会损伤树脂片2的平坦性，而能够在该树脂片2上进行无机绝缘层3的形成。另外，能够在如此低温下形成无机绝缘层3，故与在高温下形成无机绝缘层3的情况相比，能够容易地形成无机绝缘层3。另外，在如此低温下使第一无机绝缘粒子3a彼此结合，故能够经由管颈结构3al而使第一无机绝缘粒子3a彼此结合，从而能够良好地形成开气孔的第一空隙Vl。在此，通过将第一无机绝缘粒子3a的粒径设定得更小，能够进一步地降低可使第一无机绝缘粒子3a彼此牢固地结合的温度。例如，粒径为50nm以下的氧化硅的粒子彼此牢固地结合的温度为50°C 120°C左右。另外，所期望的是，无机绝缘溶胶3x的固态成分的加热的温度设定为溶剂的沸点以上。其结果是，由于该加热温度为溶剂的沸点以上，故能够使残存的溶剂效率良好地蒸发。另外，所期望的是，无机绝缘溶胶3x的固态成分的加热设定为第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b的结晶化开始温度以下。其结果是，该加热温度小于第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b的结晶化开始温度，由此能够降低第一无机绝缘粒子3a及第二无机绝缘粒子3b的结晶化，提高非晶形状态的比例，故能够减少因伴随着结晶化的相变所产生的裂缝。需要说明的是，结晶化开始温度为非晶质的无机绝缘材料开始结晶化的温度、即晶相区域的体积增加的温度。另外，例如氧化硅的结晶化开始温度为1300°C左右。另外，所期望的是，无机绝缘溶胶3x的固态成分的加热的温度设定为小于第二树脂层4b的热分解开始温度。其结果是，能够抑制第二树脂层4b的特性降低。需要说明的是，热分解开始温度为在以IS011358 1997为标准的热重量测定中树脂的质量减少5%的温度。需要说明的是，无机绝缘溶胶3x的加热的温度设定为例如50°C以上小于180°C，时间设定为例如O. 05小时以上24小时以下,例如在大气气氛中进行。(5)如图7所示，通过将由未硬化的热硬化性树脂构成的第一树脂层4a形成在无机绝缘层3上，从而制成绝缘片I。具体而言，例如按以下的方式进行。首先，将包含溶剂、第一树脂5a及第一无机绝缘填料6a的第一清漆涂布在无机绝缘层3上。需要说明的是，第一树脂5a的热硬化性树脂为A级。接着，使第一清漆干燥而使溶剂蒸发，由此将包含未硬化的第一树脂5a的第一树脂层4a形成在无机绝缘层3上。在此，第一树脂层4a的第一树脂5a在绝缘片I中维持未硬化状态。其结果是，如后所述，在配线基板10的制作时，能够使第一树脂层4a与中心基板12粘结。需要说明的是，在绝缘片I中，第一树脂层4a的第一树脂5a既可以维持为A级，也可以通过加热使硬化推进而成为B级。另外，所期望的是，在绝缘片I中，第一树脂层4a的热硬化性树脂的硬化度比第二树脂层4b的热硬化性树脂的硬化度小。其结果是，能够提高第一树脂层4a的粘结性，同时在(2)的工序中降低由无机绝缘溶胶3x的溶剂所引起的第二树脂层4b的损伤或溶解。该第一树脂层4a的热硬化性树脂的硬化度在绝缘片I中设定为例如1%以上30%以下。另夕卜，第二树脂层4b的热硬化性树脂的硬化度在绝缘片I中设定为例如30%以上80%以下。另外，在绝缘片I中，第一树脂层4a的热硬化性树脂的硬化度相对于第二树脂层4b的热硬化性树脂的硬化度的比例设定为例如20%以上50%以下。需要说明的是，第一树脂层4a及第二树脂层4b的热硬化性树脂的硬化度通过将采用拉曼散射光谱法测定出的结果同该热硬化性树脂的完全硬化物进行比较而算出。另一方面，在将第一清漆涂布在无机绝缘层3上之际，第一清漆的一部分经由开口 O而向第二空隙V2内填充。在此，由于第一树脂5a比第一无机绝缘填料6a更容易向第二空隙V2内渗透，故能够使树脂部7中的无机绝缘填料6a的含量比第一树脂层4a小。需要说明的是，第一清漆的一部分与第二空隙V2同样地，向第一空隙Vl内填充。另外，在沿着厚度方向的剖面中，第二空隙V2的厚度及宽度形成得比第二无机绝缘填料6b的粒径大时，第一树脂层4a变得容易向第二空隙V2渗透，从而在第二空隙V2中能够使无机绝缘层3与树脂部7密接。综上所述，能够制成绝缘片I。通过如此制成绝缘片1，从而能够容易地形成平坦性高的无机绝缘层3。接着，关于采用了该绝缘片I的配线基板10的制造方法进行详细的说明。(配线基板的制成)(6)如图8(a)所示，制成中心基板12。具体而言，例如按以下的方式进行。首先，层叠包含例如未硬化的热硬化性树脂及基材的多个树脂片，并且在最外层上层叠金属箔而形成层叠体，对该层叠体进行加热加压，使未硬化树脂硬化，由此制成树脂基体14。接着，通过例如钻孔加工或激光加工等，在树脂基体14中形成通孔。接着，通过例如非电解镀法、电镀法、蒸镀法、CVD法或者溅射法等，在通孔的内壁形成筒状的通孔导体9。接着，向由通孔导体15环绕的区域中填充树脂材料，由此形成绝缘体10。接着，使导电材料被附于绝缘体10的露出部之后，通过现有众所周知的光刻技术、蚀刻等，对金属箔进行构图而形成导电层18。如上所述，能够制成中心基板12。(7)如图8(b)、图8(c)及图9(a)所示，采用绝缘片1，在中心基板12上形成由第一树脂层4a、无机绝缘层3、第二树脂层4b构成的绝缘层17。具体而言，例如按以下的方式进行。首先，如图8(b)所示，将绝缘片I以树脂片2成为最外层的方式，经由第一树脂层4a而层叠在中心基板12 (支承构件)上来形成层叠体。接着，如图8(c)所示，沿着层叠方向对该层叠体以第一树脂层4a中所包含的热硬化性树脂的硬化开始温度以上且小于树脂片2中所包含的热塑性树脂的熔点的温度进行加热加压，由此使第一树脂层4a的热硬化性树脂硬化，同时使无机绝缘层3经由第一树脂层4a而与中心基板12粘结。接着，如图9 (a)所示，从无机绝缘层3上将树脂片2剥离除去，使第一树脂层4a、无机绝缘层3及第二树脂层4b残存在中心基板12上，由此在中心基板12上形成绝缘层17。如上所述，通过采用本实施方式的绝缘片1，使该绝缘片I中所包含的平坦性高的无机绝缘层3残存在中心基板12上，由此能够容易地在中心基板12上形成平坦性高的无机绝缘层3。另外，与平坦性高的树脂片2抵接的主面成为绝缘层17所露出的主面，故能够提高绝缘层17所露出的主面的平坦性。其结果是，在后述的(8)的工序中，能够在绝缘层17所露出的主面上更加微细地形成导电层18。在此，第一树脂层4a中所包含的热硬化性树脂在绝缘片I中为未硬化，因此第一树脂层4a通过以该热硬化性树脂的硬化开始温度以上被加热而流动。由此，第一树脂层4a在该层叠体的加热加压之际，被覆中心基板12上的导电层18的侧面及上表面，同时向该导电层18彼此之间侵入而与导电层18及树脂基体14粘结。其结果是，能够经由第一树脂层4a而使无机绝缘层3与中心基板12容易且牢固地粘结。另外，树脂片2为由热塑性树脂构成的薄膜状且容易处理，故能够容易地进行绝缘片I向中心基板12的层叠及树脂片2从无机绝缘层3的剥离。因而，能够效率良好地进行中心基板12上的无机绝缘层3的形成。(8)如图9 (b)所示，在绝缘层17形成过孔导体19，在绝缘层17上形成导电层18。具体而言，例如按以下的方式进行。首先，通过例如YAG激光装置或者二氧化碳激光装置，在绝缘层17形成过孔，在该过孔内使导电层18的至少一部分露出。接着，通过例如采用了非电解镀法或者电镀法的半加成法，在过孔中形成过孔导体19，并且在绝缘层17所露出的主面上形成导电层18。需要说明的是，代替半加成法，也可以采用全加成法或者减成法。在此，在绝缘层17的最外层配设第二树脂层4b，导电层18形成在第二树脂层4b的表面上。其结果是，与在无机绝缘层3a的表面上形成导电层18的情况相比，能够容易地形成与绝缘层17粘结的粘结强度高的导电层18。另外，如图10(a)、图10(b)及图11(a)所示，所期望的是，在形成导电层18之前，采用高锰酸溶液等，使第二树脂层4b的表面粗糙化。其结果是，能够在第二树脂层4b的表面上形成微细的凹凸，故能够提高第二树脂层4b与导电层18的粘结强度。(9)如图11(b)所示,通过反复(7)及⑶的工序,使绝缘层17及导电层18交替层叠，从而在中心基板12的上下形成配线层13。在这种情况下，将形成在中心基板12上的绝缘层17作为支承构件来层叠绝缘片I。需要说明的是，通过反复本工序，能够使配线层13更加多层化。如上所述，能够采用本实施方式的绝缘片I来制成配线基板10。通过如此制成配线基板10，能够使无机绝缘层3容易地多层化。另外，在配线层13中，能够使平坦性高的无机绝缘层3多层化，故能够提高配线层13的配线密度。(实装结构体的制成)(10)通过经由隆起4而在配线基板10上倒装实装电子部件9，由此能够制成图1所示的实装结构体8。(第二实施方式)接着，根据图12，对于本发明的第二实施方式所涉及的绝缘片进行详细的说明。需要说明的是，关于与上述的第一实施方式同样的结构，省略记载。在本实施方式的绝缘片IA中，与第一实施方式不同，如图12(a)及图12(b)所示，在无机绝缘层3A上未形成有空隙及树脂部。在这种情况下，能够使无机绝缘层3A形成为低热膨胀化、高刚性化、高绝缘性化及低介质损耗因子化。该无机绝缘层3A可以例如按以下的方式来形成。在(2)的工序中，以无机绝缘溶胶的固态成分包含比40体积％多且80体积％以下的第一无机绝缘粒子3aA，并且包含20体积％以上且小于60体积％的第二无机绝缘粒子3bA的方式，准备无机绝缘溶胶。其结果是，在(3)的工序中，通过抑制由第二无机绝缘粒子3bA环绕的区域中的局部性的收缩，能够抑制空隙的形成，而形成无机绝缘层3A。(第三实施方式)接着，根据图13，对于本发明的第三实施方式所涉及的绝缘片进行详细的说明。需要说明的是，关于与上述的第一实施方式同样的结构，省略记载。在本实施方式的绝缘片IB中，与第一实施方式不同，如图13(a)及图13(b)所示，无机绝缘层3B不含有第二无机绝缘粒子，而仅仅由第一无机绝缘粒子3aB构成。其结果是，能够提高无机绝缘层3的平坦性。另外，在本实施方式的绝缘片IB中，与第一实施方式不同，无机绝缘层3B形成有沿着厚度方向贯通的第三空隙V3B，且在该第三空隙V3B中配设有树脂部7B。其结果是，在对无机绝缘层3B施加了翘曲的应力之际，能够通过树脂部7B来缓和应力，进而能够降低无机绝缘层3B的裂缝。该无机绝缘层3B可以例如按以下的方式来形成。在(2)的工序中，准备固态成分仅仅由第一无机绝缘粒子3aB构成的无机绝缘溶胶。其结果是，能够形成仅仅由第一无机绝缘粒子3aB构成的无机绝缘层3A。另外，在(4)的工序中，第一无机绝缘粒子3aB彼此互相结合之际收缩，因此，在被涂布成平板状的无机绝缘溶胶中，仅仅由第一无机绝缘粒子3aB构成的固态成分沿着平面方向大幅地收缩。其结果是，能够形成沿着厚度方向贯通的第三空隙V3B。(第四实施方式)接着，根据图14，对于包含采用本发明的第四实施方式所涉及的绝缘片而制成的配线基板的实装结构体进行详细的说明。需要说明的是，关于与上述的第一实施方式同样的结构，省略记载。在本实施方式的配线基板IOC中，与第一实施方式不同，如图14(a)所示，中心基板12C具备具有树脂基体14C和配设在该树脂基体14C的上下的无机绝缘层3C的基体20C ;沿着上下方向贯通该基体的通孔导体15C。其结果是，能够通过无机绝缘层而使中心基板12C形成为低热膨胀化、高绝缘性化、高刚性化及低介质损耗因子化。该中心基板12C可以例如按以下的方式来形成。
首先，如图14(b)所示，准备不含有第一树脂层的绝缘片1C。S卩，不进行(5)的工序而制作绝缘片1C。接着，层叠包含例如未硬化树脂的多个树脂片，并且以最外层成为树脂片2C的方式层叠绝缘片IC而形成层叠体，对该层叠体进行加热加压，使未硬化树脂硬化之后，从无机绝缘层3C将树脂片2C除去，由此形成基体20C。接着，通过例如钻孔加工或激光加工等，在基体20C中形成通孔。接着，通过采用了例如非电解镀法或者电镀法的半加成法、全加成法或者减成法等，在通孔中形成通孔导体15C，并且在基体20C上形成导电层18。如上所述，能够形成图14(c)所示的中心基板12C。本发明并不局限于上述的实施方式，能够在不超出本发明的主旨的范围内进行各种各样的变更、改良、组合等。例如，也可以将上述的第一实施方式至第三实施方式中的任一种无机绝缘层的结构应用在第四实施方式的无机绝缘层当中。另外，上述的本发明的实施方式以绝缘片具备第二树脂层的结构为例进行了说明，但绝缘片也可以不具备第二树脂层，例如，也可以在树脂片上直接形成无机绝缘层。另夕卜，也可以在树脂片与第二树脂层之间形成例如由硅酮树脂构成的脱模件。另外，上述的本发明的实施方式以无机绝缘层包含第一无机绝缘粒子及第二无机绝缘粒子的结构为例进行了说明，但无机绝缘层也可以包含粒径与第一无机绝缘粒子及第二无机绝缘粒子不同的无机绝缘粒子。另外，上述的本发明的实施方式以第一树脂由热硬化性树脂构成的结构为例进行了说明，但作为第一树脂也可以采用热塑性树脂。作为该热塑性树脂，可以采用例如氟树月旨、芳香族液晶聚酯树脂、聚醚酮树脂、聚苯醚树脂或者聚酰亚胺树脂等。另外，上述的本发明的实施方式以在配线层中层叠两层绝缘层的结构为例进行了说明，但绝缘层也可以层叠多层。另外，上述的本发明的实施方式以作为中心基板的基体采用包含基材的树脂基体的结构为例进行了说明，但作为基体也可以采用其他的结构，既可以采用不包含基材的树脂基体，又可以采用陶瓷制的基体，也可以采用由树脂被覆金属板而成的基体。另外，上述的本发明的实施方式以在(3)的工序中使溶剂蒸发之后，在(4)的工序中对无机绝缘溶胶进行加热的结构为例进行了说明，但也可以同时地进行溶剂的蒸发和无机绝缘溶胶的加热。另外，上述的本发明的实施方式以在(5)的工序中将清漆状的第一树脂层涂布在无机绝缘层上的结构为例进行了说明，但也可以将片状的第一树脂层层叠在无机绝缘层上并加热加压，从而在无机绝缘层上形成第一树脂层。在这种情况下，在该加热加压时第一树脂层的一部分被填充于空隙内。需要说明的是，片状的第一树脂层的热硬化性树脂为例如A-级或者B-级。另外，上述的本发明的实施方式以采用绝缘片而制作组合多层配线基板的结构为例进行了说明，但采用绝缘片而制成的配线基板也可以为其他的结构，例如也可以为插入基板、不具有中心基板的无中心基板或者由中心基板构成的单层基板。另外，在上述的实施方式中，以本发明应用于配线基板的例子进行了说明，但不局限于配线基板，也可以应用于具有上述的无机绝缘层的全部的结构体中。例如，本发明也可以应用在便携式电话等电子设备的框体中。在这种情况下，无机绝缘层用作保护框体的耐磨损性的保护膜。另外，本发明在机动车或房屋所采用的窗中也可以使用。在这种情况下，无机绝缘层可以作为被覆窗表面的透光性的耐磨损性皮膜来使用，其结果是，能够抑制由于窗材料表面的伤痕而使透明性降低的情况。另外，本发明也可以应用在压铸所采用的模具中。在这种情况下，无机绝缘层可以作为被覆模具表面的耐磨损性皮膜或者绝缘膜来使用。附图符号说明I 绝缘片2 树脂片3 无机绝缘层3a第一无机绝缘粒子3b第二无机绝缘粒子3p突出部4a第一树脂层4b第二树脂层5a第一树脂5b第二树脂6a第一无机绝缘填料6b第二无机绝缘填料
7树脂部8实装结构体9电子部件10配线基板11导电隆起12中心基板13配线层14树脂基体15通孔导体16绝缘体17绝缘层18导电层
19过孔导体Vl第一空隙V2第二空隙O开口
权利要求
1.一种绝缘片，其特征在于，具备树脂片；形成在该树脂片上的绝缘层，该绝缘层具有无机绝缘层，该无机绝缘层包含粒径为3nm以上IlOnm以下且互相结合的第一无机绝缘粒子。
2.如权利要求1所述的绝缘片，其特征在于，所述树脂片包含热塑性树脂。
3.如权利要求1所述的绝缘片，其特征在于，所述绝缘层还具有形成在所述无机绝缘层上的、包含未硬化的热硬化性树脂的第一树脂层。
4.如权利要求1所述的绝缘片，其特征在于，所述绝缘层还具有形成在所述树脂片与所述无机绝缘层之间的第二树脂层。
5.如权利要求4所述的绝缘片，其特征在于，所述绝缘层还具有形成在所述无机绝缘层上的、包含未硬化的热硬化性树脂的第一树脂层，所述第二树脂层的厚度比所述第一树脂层的厚度小。
6.如权利要求5所述的绝缘片，其特征在于，所述第一树脂层包含由多个粒子构成的第一无机绝缘填料，所述第二树脂层包含由粒径比所述第一无机绝缘填料的粒子小的多个粒子构成的第二无机绝缘填料。
7.如权利要求1所述的绝缘片，其特征在于，所述无机绝缘层还具有粒径为O. 5μπι以上5μπι以下、且经由所述第一无机绝缘粒子而互相粘结的第二无机绝缘粒子。
8.—种绝缘片的制造方法，其特征在于，包括将包含粒径为3nm以上IlOnm以下的第一无机绝缘粒子的无机绝缘溶胶直接或者间接涂布在树脂片上的工序；以小于所述树脂片中所包含的树脂的熔点的方式对所述第一无机绝缘粒子进行加热，由此使所述第一无机绝缘粒子彼此互相结合而形成无机绝缘层的工序。
9.如权利要求8所述的绝缘片的制造方法，其特征在于，还包括在所述无机绝缘溶胶的涂布前，在树脂片上形成树脂层的工序，所述树脂层配置在所述无机绝缘层与所述树脂片之间。
10.一种结构体的制造方法，其特征在于，包括将权利要求1所述的绝缘片以所述树脂片成为最外层的方式，经由包含未硬化的热硬化性树脂的第一树脂层而层叠在支承构件上的工序；以所述热硬化性树脂的硬化开始温度以上且小于所述树脂片中所包含的树脂的熔点的方式对所述第一树脂层进行加热，由此使所述无机绝缘层经由所述第一树脂层而与所述支承构件粘结的工序；从所述无机绝缘层将所述树脂片除去的工序。
11.一种结构体的制造方法，其特征在于，包括准备权利要求1所述的绝缘片的工序；从所述绝缘层将所述树脂片除去的工序；在所述绝缘层的配设于所述树脂片侧的主面上形成导电层的工序。
12.如权利要求11所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述绝缘片还具有形成在所述树脂片与所述无机绝缘层之间的第二树脂层，在所述绝缘层的配设于所述树脂片侧的主面上形成所述导电层的工序为在所述第二树脂层的配设于所述树脂片侧的主面上形成所述导电层的工序。
全文摘要
本发明的一方式所涉及的绝缘片具备树脂片；形成在该树脂片上的绝缘层，该绝缘层具有无机绝缘层，该无机绝缘层包含粒径为3nm以上110nm以下且互相结合的第一无机绝缘粒子。
文档编号B32B9/00GK103052501SQ20118003
公开日2013年4月17日 申请日期2011年7月26日 优先权日2010年7月30日
发明者林桂 申请人:京瓷株式会社