专利名称：用于产生亚微米流体层的方法
技术领域：
本发明涉及具有权利要求1前序部分特征的方法。
背景技术：
由现有技术公开了具有印刷装置、输墨装置和输墨装置辊的印刷机，其中，利用输墨装置辊输送并且计量印刷油墨。通过两个辊之间的油墨分裂效应可以逐步地降低彼此跟随的辊上的油墨层厚度。但是通过这种方式只能实现微米范围内的油墨层厚度。对于制造印刷产品如书、杂志、海报等来说这种厚度足够，但是在所谓的“印刷电子装置”领域越来越多地要求能够制造低于1微米的处理流体层厚度。对于用流体如印刷油墨润湿辊表面的可润湿性决定性的是辊表面和流体的相应表面能辊表面的高表面能和流体的低表面能导致良好的润湿。此外，为了将流体传递到随后的辊，随后的辊的表面能也是决定性的。如果该随后的辊具有比前置的辊高的表面能，则具有低表面能的流体能被良好地传递。DE 199 48 311 Al描述了一种用于改善印刷质量的方法，其中，与在从印刷容器到待印刷材料的路径上油墨接触的表面的表面能至少在几个过渡部位上这样调节，使得油墨从一个表面到下一表面的转移沿着油墨输送路径输送。因此向着彼此跟随的引导油墨的辊的油墨输送方向的表面能应总是大并且绝不能小。例如可以设置在运行中彼此邻接的部件的相应涂层。DE 10 2007 053 489 Al描述了一种具有用于输墨装置的洗涤装置的印刷机。建议在两个疏水的具有低表面能的辊之间设置具有高表面能的辊并且在后者上合压洗涤刮刀。所述三个辊的中间那个辊因此这样构成，使得油墨聚集在其上以便刮除。DE 696 16 560 T2描述了一种在用于计量和施加液体的辊的外表面上的多细孔的PTFE箔。所述箔具有低表面能并且因此具有良好的除湿特性，也就是其容易排出液体。但是上面提及的文献没有公开如何用分别描述的技术不是产生微米级厚的层而是产生亚微米级流体层。
发明内容
在该背景下，本发明的任务是提供一种相对于现有技术改进的方法，所述方法允许产生亚微米流体层。按照本发明，所述任务通过具有权利要求1特征的方法解决。本发明的有利的进一步方案由所属的从属权利要求以及由说明书和附图中得出。根据本发明，提出了一种用于产生亚微米流体层的方法，其中，在基底之间进行流体的传递并且进行流体层的形成，其特征在于，为了在第一基底上产生第一流体料堆，排出流体的第一基底的表面能大于该第一基底上的流体的表面能；为了在第二基底上产生相对于第一流体料堆减少的第二流体料堆，接收流体的第二基底的表面能小于该第二基底上的流体的表面能；为了在第三基底上产生形成流体层的基本上均勻的第三流体料堆，接收流
4体的第三基底的表面能大于该第三基底上的流体的表面能。在执行本发明的方法时，将首先厚的(例如> Iym)流体层FSl转换为较薄的但是不均勻的流体层FS2并且最终将该流体层又转换为非常薄的(例如< Ιμπι)并且均勻的流体层FS3。实现期望的、非常薄且均勻的流体层FS3的途径按照本发明以出乎意料的方式通过非常薄但是不均勻的流体层FS2进行。换言之，暂时给出层的均勻性以便然后产生低于1微米的层厚度。本发明方法的一个由于可实现的工艺稳定性有利并且因此优选的进一步构型的特征在于基底上的流体的表面能基本上相同，并且流体层的厚度的控制基本上通过基底的表面能的相对调节进行，其方式是接收流体的第二基底的表面能为了形成流体势垒小于排出流体的第一基底的表面能，并且接收流体的第三基底的表面能大于排出流体的第二基底的表面能。本发明方法的一个对此替换的并且因此同样优选的进一步构型的特征是，基底的表面能基本上相同，并且流体层的厚度的控制基本上通过基底上的流体的表面能的相对调节进行，其方式是第二基底上的流体的表面能为了形成流体势垒大于第一基底上的流体的表面能，并且第三基底上的流体的表面能小于第二基底上的流体的表面能。本发明方法的一个在工艺流程的简单性和为此设置的部件数量方面有利并且因此优选的进一步方案的特征是，所述流体仅仅经由第二基底从第一基底向第三基底输送。本发明方法的一个首先反直觉但是对于实现非常薄的层恰恰有利并且因此优选的进一步方案的特征是，第二基底上的第二流体料堆形成不闭合的并且不均勻的第二流体层。本发明方法的一个有利并且因此优选的进一步方案的特征是，产生具有选自下述厚度范围的厚度的第三流体层约IOnm与约1 μ m之间，约IOnm与约500nm之间，约IOnm 与约IOOnm之间。本发明方法的一个为了实现最薄的亚微米层有利并且因此优选的进一步方案的特征是，所述流体从第二基底经由至少一对另外的具有至少一个另外的流体势垒的基底传递到第三基底上。本发明方法的一个有利并且因此优选的进一步方案的特征是，第三流体层从第三基底基本上完全地并且持久地传递到承印物上。发明方法的一个有利并且因此优选的进一步方案的特征是，基底的表面能的相对调节在采用至少一种下述方法的情况下进行对于至少两个基底使用不同的材料；对于至少两个基底使用不同的材料混合物；对于至少两个基底使用不同的纳米颗粒；对于至少两个基底使用不同的吸收剂；使至少两个基底的温度变化；使至少两个基底上的电势变化； 用电磁辐射处理至少两个基底；用微粒辐射处理至少两个基底。发明方法的一个对此替代并且因此优选的进一步方案的特征是，基底上的流体的表面能的相对调节在采用至少一种下述方法的情况下进行使流体的溶剂含量变化；使流体的温度变化；使流体的PH值变化；将至少一种改变流体表面能的反应性化学物质添加到流体中；将至少一种改变流体表面能的非反应性化学物质添加到流体中。
下面借助于至少一个优选实施例参照附图详细描述本发明以及本发明的结构上和/或功能上有利的进一步方案。在附图中，彼此相应的元件分别设有相同的参考标号。附图中图1是本发明方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施例方式图1示出用于产生或计量亚微米流体层的本发明方法的一个优选实施例，其中， 进行流体F在基底Si、S2和S3之间的传递和流体层FS3的形成。对于按照本发明产生亚微米流体层重要的是有针对性地控制所述基底和/或所述流体的分别参与的表面能。由此可有针对性地调节存在的内聚力和附着力并且由此控制传递的流体的量。同样重要的是， 使两个方法步骤至少局部地分离i)降低传递的流体量和ii)使传递的流体量均勻化。本发明的方法优选被用来以印刷技术的方式、即在印刷过程的框架内和/或在 (胶版)印刷机中产生非常薄的、即亚微米薄的流体层。在此，术语“亚微米”包含约10纳米与约1微米之间、优选约10纳米与约500纳米之间并且特别优选约10纳米与约100纳米之间的范围。这种非常薄的层例如在制造印制电子装置时需要。首先应详细描述所述流体所述流体可以是传统的印刷油墨或者是传统的印刷亮油。但是按照本发明优选采用所谓的功能性流体。这意味着，所述流体作为亚微米流体层在终端基底上提供功能。在此可以例如是导电能力，也就是说，所述流体层可以被结构化地产生并且例如形成带状电导体或电路。现在应详细描述所述基底按照本发明采用至少三个基底。优选所述三个基底在其形状方面构造为圆柱形的表面、例如旋转的辊或滚筒的外套面。相应表面的材料采用优选硬度交替的例如金属般的和软的例如橡胶类材料。在最后一个基底上产生亚微米流体层，所述亚微米流体层由所述最后一个基底传递到输送过来的承印物例如纸、纸板、(塑料)箔或(金属)板上。但是也可以规定，在其上产生亚微米流体层的所述最后一个基底已经是这种承印物。只要所述基底是辊表面，则其为了形成所述亚微米流体层具有非常小的粗糙度值。此外，所述辊表面应该是抗磨损的并且具有高的表面品质以及良好的化学和热抵抗力。下面应详细描述三个对于本发明重要的方法步骤在第一方法步骤A中(第一料堆产生，图1A)在第一基底Sl上产生第一流体料堆FDl。该第一基底Sl优选构造为印刷装置辊的圆柱形的外套面。该第一流体料堆FDl优选通过施加流体、例如通过布置在上游的辊或喷射涂层单元产生。替代地，所述第一料堆产生也可以通过流体从第一衬底Sl表面的细孔中排出而实现，其方式是，例如一个辊从内部供应流体。第一流体料堆FDl优选形成基本上闭合的并且基本上均勻的流体层FS1，也就是说具有基本上恒定厚度Dl的流体层FSl。该流体层FSl的厚度Dl大于(例如大于1 μ m) 待产生的亚微米流体层FS3的期望的并且同样基本上恒定的厚度D3。因此按照本发明规定，第一流体料堆FDl的流体层在至少一个另外的方法步骤中减少。基底Sl的和/或基底Sl上的流体F的相应表面能Y的调节优选在采用相应的过程单元Pl或Pl'的情况下进行。Pi可以是温度处理装置、用于敷设分子或用于产生电势的装置或者等离子体辐射、UV辐射、激光辐射或电子辐射装置。Pl'可以是用于输入或去除溶剂、用于输入反应或非反应化学物质的装置、温度处理装置或用于改变PH值的装置。在第二方法步骤B中(第二料堆产生，图1B)在第二基底S2上产生第二流体料堆 FD2。该第二基底S2同样也优选构造为印刷装置辊的圆柱形外套面。此外，基底S2与基底 Sl这样地作用连接，使得流体F部分地从基底Sl传递到基底S2上。这意味着，不传递流体 F的总量，而是仅仅传递一个确定的份额，例如低于约50%或仅低于约10%。第二流体料堆FD2形成相对于流体层FSl减少的流体层FS2，例如具有减少的厚度D2<D1的流体层。因为应实现非常薄的、亚微米等级的层厚度，所以可以的是，第二流体料堆FD2的流体层不是闭合的并且因此不均勻地具有空隙。此外可以的是，第二流体层是不均勻的并且因此具有变化的层厚度(如图IB中可看出地，流体层FS2的厚度D2由不均勻性而局部变化，从而D2应理解为平均值)。因此按照本发明还提出，第二流体料堆FD2 的流体层在至少一个另外的方法步骤中再被均勻化，也就是封闭所述空隙并且消除不均勻性。基底S2的和/或基底S2上的流体F的相应表面能Y的调节优选在采用相应的过程单元P2或P2'的情况下根据上面已经参照方法步骤A所述地进行。在方法步骤C中(均勻化，图1C)在第三基底S3上产生形成流体层FS3的、基本上均勻的第三流体料堆FD3。该第三基底S3优选也构造为印刷装置辊的圆柱形外套面。此外基底S3与基底S2这样地作用连接，使得流体F部分地从基底S2传递到基底S3上。这也意味着，不是传递流体F的总量，而是仅仅传递一个确定的份额，例如同样低于约50%或仅低于约10%。所述第三流体料堆FD3优选也形成减少的流体层FS3 在此流体层FS3的厚度D3 相对于流体层FS2的厚度D2减小(D3 < D2)。同时，流体层FS3与流体层FS2相反地又闭合并且均勻化。由此，本发明的三步骤方法导致从厚的流体层FSl通过中间阶段变为闭合的、均勻的并且非常薄流体层FS3。所述中间阶段形成流体层FS2，该流体层虽然比流体层FSl薄， 但可以是不闭合和不均勻的。尽管该特性在提供闭合的、均勻的并且非常薄的流体层FS3 的背景下是不期望的，但是该中间阶段令人意外地被证明是有利的。因为通过提供流体层 FS2(其一定程度上用作辅助层)能够用简单的手段并且尽管如此用必要的精度和可再现性以有利的方式导致期望的层厚度降低。基底S3的和/或基底S3上的流体F的相应表面能Y的调节优选在采用相应的过程单元P3或P3'的情况下根据上面已经参照方法步骤A所述地进行。按照本发明产生的第三流体层FS3优选具有选自下述厚度范围的厚度D3 约IOnm 与约1 μ m之间，约IOnm与约500nm之间，约IOnm与约IOOnm之间。下面应详细描述是如何导致层厚度降低的。在此，第二基底S2上的第二流体层 FS2或第二流体料堆FD2恰恰由于本来不期望的特性如非闭合性和非均勻性而用作输送所述流体的势垒，理解这一点是重要的。所述势垒功能此外按照本发明被有针对性地控制。通过这种方式以有利的方式能够调节单位时间内输送的流体F的量并且只有在第一流体层 FSl的厚度Dl保持相同时才使第三流体层FS3的厚度D3变化。为了这个目的，按照本发明，所述三个基底Si、S2和S3的表面能以及所述三个基底Si、S2和S3上的流体F的相应表面能被置于或相应地调节为彼此间具有确定的关系。
在此还应提及，所述流体F在输送期间基本上保持不变。这意味着，特别是其功能特性如导电能力不变。然而流体F的表面能可沿着输送路径改变，从而上游基底上的流体 F的表面能会大于或小于下游基底上的同一流体的表面能。现在针对表面能之间的对于本发明重要的关系i)排出流体F的第一基底Sl的表面能Y Sl大于该第一基底Sl上的流体F的表面能YFl ;ii)接收流体F的第二基底S2 的表面能Y S2小于该第二基底S2上的流体F的表面能YF2;iii)接收流体F的第三基底 S2的表面能Y S3大于该第三基底S3上的流体F的表面能Y F3。特征i)允许在第一基底Sl上产生第一流体料堆FD1，因为流体F在该情况下基本上完全润湿第一基底Sl的表面。或者换言之第一基底Sl对于流体F表现出良好的润湿特性。特征ii)允许然后在第二基底S2上产生相对于所述第一流体料堆FDl减少的第二流体料堆FD2，流体量的减少是由于以下事实流体F仅仅有限地润湿所述第二基底S2 的表面。也可以导致形成类似料聚集的小滴，即一定程度上导致滴落。在任何情况下，仅仅有一部分流体F在两个基底Sl与S2之间传递。这就是为什么在本申请的前面部分称之为 “势垒”的原因。所述流体为了从基底Sl到达基底S3必须经由基底S2的输送路径。但是基底S2对于流体F表现出比基底Sl和S3差的润湿特性。按照一个优选的进一步构型，流体F仅仅经由基底S2的势垒从基底Sl向基底S3 输送，也就是说，不存在并行的输送路径。在传统的辊输墨装置中大多设置多个辊，从而印刷油墨具有多个通过辊输墨装置的并行路径，而按照本发明优选的是，流体F仅仅经由第二基底S2从第一基底Sl向第三基底S3输送。这意味着对于流体输送不存在并行的路径并且所有的流体D必须通过至少一个流体势垒。然而替代地也可以的是，设置分别具有流体势垒的并行流体输送路径。特征iii)允许最终在第三基底S3上产生形成流体层FS3的、基本上均勻的流体料堆FD3。因为流体F相对于基底S3的润湿特性现在又类似于在特征i)中所述的那样。 这意味着流体F基本上完全地润湿第三基底S3的表面并且因此导致流体层FS3的厚度的降低。现在，所述的表面能关系的调节能够以两种可替代的方式实现。要么1)流体F 的表面能基本上保持恒定，也就是表面能YF1、YF2和Y F3基本上相同，并且基底Si、S2 和S4的表面能YS1、YS2和Y S3被调节为不同。要么恰好反过来II)基底表面能Y Si、 YS2和Y S3基本上相同并且流体表面能YF1、YF2和Y F3被调节为不同。也可以考虑第三替代方案不仅流体表面能Y F1、γ F2和γ F3而且基底表面能Y Si、γ S2和γ S3被调节为分别彼此不同。然而优选的变型方案是，将基底表面能YS1、YS2和YS3调节到不同的值上，其中，基底表面能Y Sl和Y S3也可以相同。据此，变型方案I)(恒定的流体表面能)可以如下地表述基底Si、S2和S3上的流体F的表面能Y F1、γ F2和γ F3基本上相同并且流体层FS3的厚度D3的控制基本上通过基底Si、S2和S3的表面能Y Si、γ S2和γ S3的相对调节进行，其方式是接收流体F的第二基底S2的表面能Y S2小于排出流体F的第一基底Sl的表面能Y Sl并且其方式是接收流体F的第三基底S3的表面能Y S3大于排出流体F的第二基底S2的表面能Y S2。通过这种方式在一第一步骤中传递非常少量的流体F，因为第二基底S2倾向于仅仅有限地接收流体F。然后在一第二步骤中将传递的非常少量的流体F在第三基底S3的表面上均勻化，因为第三基底S3倾向于基本上不受限制地接收流体F的降低的量并且因此使其基本上均勻地分布在第三基底S3的表面上。基底S1、S2和S3的表面能Y Si、γ S2和γ S3的相对调节在此优选在进行流体转移之前并且优选在采用至少一个下述方法的情况下进行I. 1)对于至少两个基底S1、S2和S3使用不同的材料，其中，这些材料具有不同的表面能，I. 2)对于至少两个基底Si、S2和S3使用不同的材料混合物，1.3)对于至少两个基底S1、S2和S3使用不同的纳米颗粒，其中，(对于一个基底) 优选使用具有低表面能的原料，在该原料中(对于另一基底)至少在表面附近嵌入具有高表面能的添加材料的例如纳米颗粒，或者反过来，I. 4)对于至少两个基底Si、S2和S3使用不同的吸收剂，优选两性分子作为不同覆盖密度的表面纳观分子覆盖部(优选通过不同的溶剂或溶剂浓度、不同的作用时间或接下来的辐射来改变覆盖密度)。I. 5)使至少两个基底Si、S2和S3的温度变化，I. 6)使至少两个基底Si、S2和S3上的电势变化，I. 7)用电磁辐射、优选用UV辐射或激光辐射处理至少两个基底Si、S2和S3，I. 8)用微粒辐射、优选用等离子体或电子射束处理至少两个基底Si、S2和S3。变型方案I比下面详细描述的变型方案II优选，因为它保证更高的工艺可靠性。 特别是在流体转移前调节基底的表面能比在流体转移期间调节基底上的流体的表面能工艺更可靠。变型方案II)(恒定的基底表面能)据此可以如下地表达基底Si、S2和S3的表面能γ Si、γ S2、γ S3基本上相同并且流体层FS3的厚度D3的控制基本上通过基底S1、S2 和S3上的流体F的表面能Y F1、γ F2、γ F3的相对调节进行，其方式是第二基底S2上的流体F的表面能Y F2高于第一基底Sl上的流体F的表面能Y Fl并且其方式是第三基底S3 上的流体F的表面能Y F3小于第二基底S2上的流体F的表面能YF2。通过这种方式在一第一步骤中同样传递非常少量的流体F，因为第二基底S2上的流体倾向于仅仅有限地润湿基底S2的表面。然后在一第二步骤中将传递的非常少量的流体F在第三基底S3的表面上均勻化，因为第三基底S3上的流体F的降低的量倾向于基本上不受限制地润湿基底S3的表面并且因此基本上均勻地分布在第三基底S3的表面上。基底S1、S2和S3上的流体F的表面能Y Fl、γ F2和γ F3在此优选在实施流体转移期间并且优选在采用过至少一个下述方法的情况下进行II. 1)使流体F的溶剂含量变化，其中，溶剂优选由喷嘴或附加的辊供应给流体F 和/或例如借助于微波辐射通过加热去除，II. 2)使流体F的温度变化，其中，优选采用温度处理过的气体流、电磁辐射或蒸发单元，II. 3)使流体F的PH值变化，其中，优选进行酸碱滴定或采用催化剂，II. 4)将至少一种改变表面能的反应性化学物质添加到流体F中，其中“反应性” 是指所述物质与所述流体F的至少一种成分发生化学反应并且由此使得流体F的表面能改变，和II. 5)将至少一种改变表面能的非反应性化学物质添加到流体F中，其中“非反应性”是指添加例如两性分子如表面活性剂。为了实现流体层FS3的厚度D3的进一步降低，优选可设置迭代的中间步骤流体 F从第二基底S2通过至少一对具有至少一个另外的流体势垒的基底S4和S5传递到第三基底S3上。换言之本发明的工艺步骤顺序可构造为用于产生总是更薄的层FS3的迭代方
法。
参考标号表
F流体
FDl第--流体料堆
FD2第二流体料堆
FD3第三二流体料堆
FSl第--流体层
FS2第二流体层
FS3第三[流体层
Dl第--流体层的厚度
D2第二流体层的厚度
D3第三二流体层的厚度
Sl第--基底
S2第二-基底
S3第三二基底
S4, S5另外的基底对
Pl用于第一基底的第-一工艺单元
P2用于第二基底的第—二工艺单元
P3用于第三基底的第三工艺单元
Pl'用于第一流体的第一-工艺单元
P2'用于第二流体的第二-工艺单元
P3'用于第三流体的第三工艺单元
权利要求
1.用于产生亚微米流体层的方法，其中，在基底(S1，S2，S;3)之间进行流体(F)的传递并且进行流体层(FS3)的形成，其特征在于，为了在第一基底(Si)上产生第一流体料堆(FDl)，排出流体(F)的第一基底(Si)的表面能(YSl)大于该第一基底(Si)上的流体(F)的表面能(YF1)，为了在第二基底(S》上产生相对于第一流体料堆(FDl)减少的第二流体料堆(FD2)， 接收流体(F)的第二基底(S2)的表面能(YS2)小于该第二基底(S2)上的流体(F)的表面能(YF2)，并且为了在第三基底(S； )上产生形成流体层(FS3)的基本上均勻的第三流体料堆(FD3)， 接收流体(F)的第三基底(S； )的表面能(YS;3)大于该第三基底(S； )上的流体(F)的表面能(Y F3)。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，基底(Si，S2，S3)上的流体(F)的表面能(YF1，yF2, y F3)基本上相同，并且所述流体层(FS3)的厚度(D!3)的控制基本上通过基底(Si，S2，S3)的表面能(Y Si， YS2, γ S3)的相对调节进行，其方式是接收流体(F)的第二基底(S》的表面能(YS2)为了形成流体势垒小于排出流体(F) 的第一基底(Si)的表面能(Y Si)，并且接收流体(F)的第三基底(S3)的表面能(Y S3)大于排出流体(F)的第二基底(S2) 的表面能(Y S2)。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，基底(Si, S2, S3)的表面能(Y Si，yS2, γ S3)基本上相同，并且所述流体层(FS3)的厚度(D!3)的控制基本上通过基底(S1，S2，S;3)上的流体(F)的表面能(YF1，yF2, YF3)的相对调节进行，其方式是第二基底(S》上的流体(F)的表面能(YM)为了形成流体势垒大于第一基底(Si) 上的流体(F)的表面能(YF1)，并且第三基底(S3)上的流体(F)的表面能(YF3)小于第二基底(S2)上的流体(F)的表面能(Y F2)。
4.根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，所述流体(F)仅仅经由第二基底(S2) 从第一基底(Si)向第三基底(S； )输送。
5.根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，第二基底(S》上的第二流体料堆 (FD2)形成不闭合的并且不均勻的第二流体层(FS2)。
6.根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，产生具有选自下述厚度范围的厚度 (D3)的第三流体层(FS3)约IOnm与约Ιμπι之间， 约IOnm与约500nm之间， 约IOnm与约IOOnm之间。
7.根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，所述流体(F)从第二基底(S》经由至少一对另外的具有至少一个另外的流体势垒的基底(S4，S5)传递到第三基底(S； )上。
8.根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，所述第三流体层(FS;3)从第三基底 (S3)基本上完全地并且持久地传递到承印物上。
9.根据权利要求2的方法，其特征在于，基底(S1，S2，S3)的表面能(YSi，yS2, γ S3) 的相对调节在采用至少一种下述方法的情况下进行对于至少两个基底(Si，S2，S3)使用不同的材料， 对于至少两个基底(Si，S2，S3)使用不同的材料混合物， 对于至少两个基底(Si，S2，S3)使用不同的纳米颗粒， 对于至少两个基底(Si，S2，S3)使用不同的吸收剂， 使至少两个基底(S1，S2，S3)的温度变化， 使至少两个基底(Si，S2，S3)上的电势变化， 用电磁辐射处理至少两个基底(Si，S2，S3)， 用微粒辐射处理至少两个基底(Si，S2，S3)。
10.根据权利要求3的方法，其特征在于，基底(Si，S2，S3)上的流体(F)的表面能 (YF1, yF2, YF3)的相对调节在采用至少一种下述方法的情况下进行使流体(F)的溶剂含量变化， 使流体(F)的温度变化， 使流体(F)的PH值变化，将至少一种改变流体表面能的反应性化学物质添加到流体(F)中，和将至少一种改变流体表面能的非反应性化学物质添加到流体(F)中。
全文摘要
用于产生亚微米流体层的方法，在基底(S1，S2，S3)之间传递流体(F)并形成流体层(FS3)。为了在第一基底(S1)上产生第一流体料堆(FD1)，排出流体的第一基底(S1)的表面能(γS1)大于第一基底(S1)上的流体的表面能(γF1)，为了在第二基底(S2)上产生相对于第一流体料堆(FD1)减少的第二流体料堆(FD2)，接收流体的第二基底(S2)的表面能(γS2)小于第二基底(S2)上的流体的表面能(γF2)，为了在第三基底(S3)上产生形成流体层(FS3)的基本上均匀的第三流体料堆(FD3)，接收流体的第三基底(S3)的表面能(γS3)大于该第三基底(S3)上的流体的表面能(γF3)。
文档编号B41F31/00GK102248768SQ2011100788
公开日2011年11月23日 申请日期2011年3月28日 优先权日2010年3月29日
发明者A·鲁普雷希特, B·拜尔, G·E·豪普特曼, G·容汉斯, J·松嫩沙因, M·阿加里, R·基塞尔 申请人:海德堡印刷机械股份公司