一种印章及压印装置的制作方法

一种印章及压印装置
【技术领域】
1.本实用新型涉及紫外纳米压印领域，具体为一种印章及压印装置。


背景技术：

2.紫外纳米压印广泛地应用于图形转移的各个领域，实现不同形状、大小和结构的简单复制。纳米级别的结构不需要复杂和昂贵的光学元件即可实现，成为 tof、diffuser、lens等光学元器件新型替代作业方式。参见图1为现有技术中紫外纳米压印技术的实施方法，首先将胶层涂覆在工作印章上，然后将涂覆有胶层的工作印章和基底接触，完成压印过程。随着市场对整体模组厚度越来越薄的要求，硬基板的压印方式存在残留层厚度的限制，针对现有半导体8吋及8吋以上的wafer，由于压印时将残留层压印至一定的厚度，需要克服胶水本身分子间力以及流动时受到的阻力，尤其是现有面型胶材料的粘度普遍在200mpa
·
s(23℃) 以上，如果压印力超过一定的数值，面型会损伤或变形，所以，在保证压印力在一定的范围内的情况下，如何将残留层的厚度控制在15um以内，已经成为一种挑战，所以，如何使用透明硬基板的压印方式，在8吋及8吋以上的wafer上压印出超薄厚度的面型，就成为了当下需要解决的关键问题。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种印章及压印装置，该装置用于解决在保证压印力满足压印要求的情况下，降低残留层的厚度。
4.为达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案予以实现：
5.一种印章，所述印章的下表面上纵横排列有若干个面型孔，所述面型孔为向印章内部凹陷的圆弧面；
6.列的面型孔相隔一列填充有胶体，行的面型孔相隔一行填充有胶体；
7.填充在面型孔中的胶体有部分溢出。
8.本实用新型的进一步改进在于：
9.优选的，所述溢出面型孔的部分胶体为圆形或矩形。
10.优选的，所述胶体为环氧树脂类紫外固化胶。
11.一种压印装置，包括上述的印章和基底，印章在基底的上方，基底上有残留层。
12.优选的，所述残留层的厚度为小于15μm。
13.优选的，所述残留层的厚度为3
‑
5μm。
14.优选的，所述残留层上有阵列的面型。
15.优选的，面型为凸出的弧面，所述面型的弧度和面型孔相匹配。
16.优选的，所述基底为玻璃材质。
17.与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
18.本实用新型公开了一种印章，该印章下表面上涂覆的胶层，不再将整个印章的下表面涂覆上胶层，而是采用间隔填充胶层的手段，相隔列填充，或相隔行填充，使得印章在
压印过程中，印章和基底之间没有过多的胶体，从原材料和压印的一开始就减少了残留层的厚度，减少了压印过程需要克服的胶体存在的阻力，进一步的，大大的减少了大面积压印时需要克服的分子间阻力以及胶水本身在基板上扩散的阻力。从而实现超薄压印。
19.进一步的，胶体在面型孔外部之间的部分为矩形或圆形，使得胶体能够均匀的向两边扩算，弥补两边没有填充胶体的面型孔。
20.进一步的，胶体为环氧树脂类紫外固化胶，满足紫外固化的需求。
21.进一步的，限定了相邻的列之间的距离或相邻行之间的距离，保证不会因为填充的胶体距离过宽而影响填充效果。
22.本实用新型还公开了一种压印装置，该压印结构采用上面的印章，使得最终在压印结构上形成的残留层为超薄残留层。
【附图说明】
23.图1为现有技术中的流程图；
24.图2为未涂覆胶体的印章下表面图；
25.图3为点胶过程图；
26.图4为涂覆胶体的印章下表面图；
27.图5为涂覆胶体的印章下表面图；
28.图6为压印过程图；
29.图7为压印时的图；
30.图8为脱模后的图。
31.其中：1
‑
印章；2
‑
基底；3
‑
胶体；4
‑
残留层；5
‑
面型孔；6
‑
面型；31
‑
内部； 32
‑
外部。
【具体实施方式】
32.下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述：
33.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
34.本实用新型公开了一种印章及压印装置，本实用新型提供一种针对8吋及8 吋以上的wafer，采用在特征图形上分散点胶的方式，使每个特征图形对应一滴胶，具体的点状的。并且，通过精准控制胶量以及压印的速度以及其他条件，在压印后，单滴成型为单个图形。该条件下，压印的力可以足够小，大大的减少了大面积压印时需要克服的分子间阻力以及胶水本身在基板上扩散的阻力，从而实现超薄压印。
35.具体的，本实用新型公开了一种印章结构，如图2所示该印章1下表面的面型孔5呈
矩形阵列形式，即面型孔5为行行布置或列列布置，相邻的两行面型孔 5之间的距离相等，相邻的两列面型孔5之间的距离相等；参见图3，在涂覆胶体3时，相隔一行，或相隔一列涂覆胶体。如图4为相隔一列涂覆的效果，图5 为相隔一行涂覆胶体3的效果；涂覆胶体3在印章1下表面上优选的呈圆形或矩形，使得在压印过程中能够均匀的扩散开。相邻的两列之间的距离许保证涂覆的胶水在压印过程中能够填充满未填充的面型孔5，相邻两行之间的距离需保证相隔行涂覆的胶水在压印过程中能够填充满未填充的面型孔5。
36.面型孔5为向印章内部凹陷的圆弧面，使得印章表面能够承载一定量的胶体3。
37.具体的压印过程步骤如下：
38.步骤一：使用压印的方式在透明硬基板上制作印章1；
39.步骤二：在印章1下表面的面型孔1中相隔一列或一行点上面型胶水；
40.步骤三：参见图6、图7和图8，将印章1翻转后开始压印，通过控制压印压力以及速度，在基底2上压印至指定的超薄厚度，曝光、静置
41.步骤四：完成固化后，进行脱模、烘烤后在基底2上形成残留层4，残留层 4上阵列有面型6，残留层4的厚度为3
‑
5μm。
42.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。