专利名称：槽型等离子体显示板维持驱动方法及其电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示板维护驱动方法及其电路，尤其是一种采用了行IC芯片保护电路的槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动方法及电路，具体地说是一种槽型等离子体显示板维持驱动方法及其电路。
背景技术：
20世纪90年代初兴起的等离子体平板显示器(PDP)，以其数字化，大屏幕，高分辨率，高清晰度，宽视角以及厚度薄，重量轻等优点受到广泛关注。
目前现有的PDP屏都采用三电极交流等离子体平板显示器(AC-PDP)，3个电极呈正交状分布于前后基板上，放电则在两个基板之间进行，前基板上水平分布着维持电极(X电极)和扫描电极(Y电极)，两者一起被称为显示电极，在后基板上竖直分布着寻址电极(A电极)，X电极和Y电极相互平行并与A电极正交。在AC-PDP显示中，在维持期，X电极和Y电极交替加上高压，使在寻址期积累了壁电荷的单元产生放电。从而实现图像的显示。
现有的槽型等离子体显示板的结构主要由后基板101、栅网板103和前基板102构成。后基板101包括后衬底玻璃基板104，在后衬底玻璃基板104上形成的薄膜第一电极105(列电极、寻址电极)，在后衬底玻璃基板104上形成的绝缘层106；前基板102包括前衬底玻璃基板108，在前衬底玻璃基板108下表面上形成与后基板101上的第一电极105成空间垂直正交的第二电极109(行电极、扫描电极)，在第二电极109的下表面上形成的介电层110，在前衬底玻璃基板108和介质层110上形成的保护膜111；行电极和列电极在前、后基板装配完成后呈垂直分布；夹在前后基板101、102之间的栅网板103是一块包含网格孔阵列的导电板(公共电极)，它可以是金属板，亦可以是表面镀上金属导电层的介质板。栅网板上的网孔与行电极和列电极的交叉点位置一一对应，在网格孔中充以一定气压的所需工作气体，就成为该等离子体显示屏的放电单元空间。如图3、图4所示。
在槽型等离子体显示板(SMPDP)中的驱动方式采用的是二个电极，分别是前基板102上的维持电极(X电极)，后基板101上的寻址电极(A电极)的交流对向放电模式。X电极和A电极正交，在SMPDP显示中，在维持期，只在X电极上加正负交替的高压使寻址期积累了壁电荷的单元产生放电，从而实现图像显示。
现有的槽型等离子体显示板的图象显示驱动方法采用的是双极性能量复得维持电压脉冲电路，该电路在实现正、负能量复得维持脉冲电压过程中，行IC芯片在电压控制驱动电路的控制下不停的将行IC芯片的输出端分别和行IC芯片的高压电源端与行IC芯片的高压电源接地端相通，因此行IC芯片在维持期的高频损耗比较大，引起行IC芯片发热，使得SMPDP等离子体显示板的可靠性下降。
发明内容
本发明的目的是针对现有的SMPDP等离子体显示板可靠性无法得到保证的问题，提供一种能降低行IC芯片在维持期的工作频率的槽型等离子体显示板维持驱动方法，同时提供一种相应的维持驱动电路。
本发明的技术方案是一种槽型等离子体显示板维护驱动方法，其特征是使维持期电压控制电路中的场效应管M6的输出端分别接场效应管M11的源极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T2的输入端；使维持期电压控制电路中的场效应管M3的输出端分别接场效应管M11的漏极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T1的输入端、负电压能量恢复保持电路中的场效应管M9、M10的输出端分别接快恢复二极管D5正极、D6的负极，快恢复二极管D5负极、D6的正极接电感L2，电感L2的另一端分别接场效应管M4的源极、M5的漏极、M6的源极；正电压能量恢复保持电路中的场效应管M7的输出端接快恢复二极管D3的负极，场效应管M8的输出端接快恢复二极管D4的正极，快恢复二极管D4的负极和快恢复二极管D3的正极接电感L1，电感L1的另一端分别接场效应管M2的漏极、M1的源极、M3的源极；在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11并使之处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，以提高维持驱动电路的可靠性；同时在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11并使处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况；最后在擦除期利用行电极产生复合擦除脉冲，使列电极在维持期和擦除期均保持接地状态。
本发明的驱动电路为一种槽型等离子体显示板维持驱动电路，其特征是它主要由电压控制驱动电路1、正电压维持电压脉冲发生器2、正电压能量恢复保持电路3、负电压维持电压脉冲发生器4、负电压能量恢复保持电路5、行IC芯片保护电路6、PDP高压行驱动IC芯片7组成，正电压维持电压脉冲发生器2一个输入端、正电压能量恢复保持电路3的输入端、负电压维持电压脉冲发生器4的一个输入端、负电压能量恢复保持电路5的输入端和PDP高压行驱动IC芯片7的一个输入端分别与电压控制驱动电路1对应的输出端相连，行IC芯片保护电路6的三个输入端中一个与电压控制驱动电路1的输出端相连，一个与正电压维持电压脉冲发生器2的一个输出端相连，另一个与负电压维持电压脉冲发生器4的一个输出端相连，行IC芯片保护电路6的输出端接PDP高压行驱动IC芯片7的一个输入端，正电压能量恢复保持电路3的输出接正电压维持电压脉冲发生器2的另一个输入端，负电压能量恢复保持电路5的输出端接负电压维持电压脉冲发生器4的另一个输入端，正电压维持电压脉冲发生器2的另一个输出端以及负电压维持电压脉冲发生器4的另一个输出端也与PDP高压行驱动IC芯片7对应的输入端相连，PDP高压行驱动IC芯片7的输出端接槽型等离子体显示板8。
所述的电压控制驱动电路1主要由可编程逻辑芯片和场效应管驱动芯片组成，可编程逻辑芯片产生的脉冲信号经场效应管驱动芯片放大后产生能驱动后续各电路中的场效应管工作的脉冲信号XEFH、XEFL、XHU、XPZH、XPZL、XFU、XNEL、XNEH、XAEH、XAEL、XSU，它们分别为正维持电压控制脉冲信号、正维持电压归零控制脉冲信号、打开M3控制脉冲信号、负维持电压归零控制脉冲信号、负维持电压控制脉冲信号、打开M6控制脉冲信号、正电压储能电容充电开启信号、正电压储能电容放电开启信号、负电压储能电容充电开启信号、负电压储能电容放电开启信号、打开M11控制脉冲信号。
所述的正电压维持电压脉冲发生器2主要由场效应管M1、M2、M3、M11组成，正电压维持电压脉冲发生器3的输入从M1、M2、M3、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XEFH、XEFL、XHU、XSU给对应的场效应管M1、M2、M3、M11，其输出从M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
所述的正电压能量恢复保持电路3主要由场效应管M3、M7、M8、M11、电感L1、二极管D3、D4、电容C1组成，正电压能量恢复保持电路4的输入从M3、M7、M8、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XHU、XNEL、XNEH、XSU脉冲信号给对应的场效应管M4、M7、M8、M11，其输出从L1的一端引出分别接正电压维持电压脉冲发生器2中的场效应管M2、M3的漏极和场效应管M1的源极，再从场效应管M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
所述的负电压维持电压脉冲发生器4主要由场效管M4、M5、M6、M11组成，负电压维持电压脉冲发生器4的输入从M4、M5、M6、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XPZH、XPZL、XFU、XSU给对应的场效应管M4、M5、M6、M11，其输出从M6的漏极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M11的漏极端。
所述的负电压能量恢复保持电路5主要由场效应管M6、M9、M10、M11、电感L2、二极管D5、D6、电容C2组成，负电压能量恢复保持电路4的输入从M6、M9、M10、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XFU、XAEH、XAEL、XSU脉冲信号给对应的场效应管M6、M9、M10、M11，其输出从L2的一端引出分别接负电压维持电压脉冲发生器4中的场效应管M4、M5的源极和场效应管M5的漏极。再从场效应管M6的漏极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M11的漏极端。
所述的行IC芯片保护电路6主要由场效应管M11组成，行IC芯片保护电路6的输入从M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XSU脉冲信号给对应的场效应管M11，场效应管M11的输出源极分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M3的源极端。漏极分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M6的漏极端。
本发明的槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动电路的驱动方法实质是在维持驱动电路中的正电压维持电压脉冲发生器和负电压维持电压脉冲发生器的驱动方法上，在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11，使得在原维持期电压控制电路中的场效应管M6的输出端直接与PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T2的输入端相接，现在改为在维持期电压控制电路中的场效应管M6的输出端分别接场效应管M11的漏极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T2的输入端，在原维持期电压控制电路中的场效应管M3的输出端直接与PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T1的输入端相接，现在改为在维持期电压控制电路中的场效应管M3的输出端分别接场效应管M11的源极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T1的输入端，负电压能量恢复保持电路中的场效应管M9、M10的输出端分别接快恢复二极管D5正极、D6的负极，快恢复二极管D5负极、D6的正极接电感L2，电感L2的另一端分别接场效应管M4的源极、M5的漏极、M6的源极；正电压能量恢复保持电路中的场效应管M7的输出端接快恢复二极管D3的负极，场效应管M8的输出端接快恢复二极管D4的正极，快恢复二极管D4的负极和快恢复二极管D3的正极接电感L1，电感L1的另一端分别接场效应管M2的漏极、M1的源极、M3的源极。
针对槽型等离子体显示板的维持脉冲驱动电路，槽型等离子体显示屏由印有行电极的前基板、印有列电极的后基板和带有大量网孔的金属板或表面镀有金属导电层的介质板组成，显示方式是在显示一帧图像的时间内安排若干个子场，每个子场由扫描期，维持期和擦除期组成，扫描期依次完成对全屏各像素点的点火；在维持期采用了对槽型等离子体显示板的双极性能量恢复保持驱动电路方式和槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动电路的驱动方法，双极性能量恢复保持驱动电路根据维持脉冲的正负极性，产生正负交替的脉冲波形，使在扫描期被点火的像素点保持气体放电状态并发光；槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动电路的驱动方法是将原来在实现正、负能量复得维持脉冲电压过程中，原行IC芯片在电压控制驱动电路的控制下不停的将行IC芯片的输出端分别和行IC芯片的高压电源端与行IC芯片的高压电源接地端相通的工作方式，改为将在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11，并处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，提高了槽型等离子体显示板(SMPDP)的维持驱动电路的可靠性。
维持期采用了对槽型等离子体显示板的双极性能量恢复保持驱动电路方案，利用维持驱动电路中两个独立的充电和放电电路，电路内部平板电容Cp和能量恢复电容C1或C2通过外部电感L串联，维持驱动电路是利用Cp，L，C1或C2之间的串联响应来给内部平板电容充放电的，即从能量恢复电容C1或C2中释放的能量用于给内部平板电容Cp充电，从内部平板电容Cp中释放的能量也暂时被存储在能量恢复电容C1或C2中。实现能量恢复。并产生正负交替的双极性维持脉冲波形，使在扫描期被点火的像素点保持气体放电状态并发光，擦除期将利用一复合波形完成对放电空间带电粒子的中和。在维持期，将原来在实现正、负能量复得维持脉冲电压过程中，原行IC芯片在电压控制驱动电路的控制下不停的将行IC芯片的输出端分别和行IC芯片的高压电源端与行IC芯片的高压电源接地端相通的工作方式，改为将在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11，并处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，提高了槽型等离子体显示板(SMPDP)的维持驱动电路的可靠性。擦除期利用行电极产生复合擦除脉冲，而列电极在维持期和擦除期均保持接地状态的工作方式。
本发明的主要目的是为了在维持期电压控制电路中的PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11，使得在维持期电压控制电路中的场效应管M6的输出端分别接场效应管M11的源极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T2的输入端相接，场效应管M3的输出端分别接场效应管M11的漏极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T1的输入端相接；在维持期内，减少行IC芯片的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，提高了槽型等离子体显示板(SMPDP)的维持驱动电路的可靠性。
本发明的有益效果由于现有的槽型等离子体显示板的图象显示驱动方法采用的是双极性能量复得维持电压脉冲电路，该电路在实现正、负能量复得维持脉冲电压过程中，行IC芯片在电压控制驱动电路的控制下不停的将行IC芯片的输出端分别和行IC芯片的高压电源端与行IC芯片的高压电源接地端相通，因此行IC芯片在维持期的高频损耗比较大，引起行IC芯片发热，使得SMPDP等离子体显示板的可靠性下降。而在槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动电路，在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11，使得在维持期电压控制电路中的场效应管M6的输出端分别接场效应管M11的源极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T2的输入端相接，场效应管M3的输出端分别接场效应管M11的漏极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T1的输入端相接；在维持期内，减少行IC芯片的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，提高了槽型等离子体显示板(SMPDP)的维持驱动电路的可靠性。
图1是本发明槽型等离子体显示板槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动电路结构框图。
图2是本发明槽型等离子体显示板(SMPDP)驱动电路的电原理图。
图3为导电栅网板型等离子体显示板的结构示意图。
图4为导电栅网板型等离子体显示屏电极相对位置分布示意图。
图2中VS是正维持电压脉冲电压；VXG是负维持电压脉冲电压。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明的维持驱动方法及电路作进一步的说明。
一种槽型等离子体显示板维护驱动方法是使维持期电压控制电路中的场效应管M6的输出端分别接场效应管M11的源极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T2的输入端；使维持期电压控制电路中的场效应管M3的输出端分别接场效应管M11的漏极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T1的输入端、负电压能量恢复保持电路中的场效应管M9、M10的输出端分别接快恢复二极管D5正极、D6的负极，快恢复二极管D5负极、D6的正极接电感L2，电感L2的另一端分别接场效应管M4的源极、M5的漏极、M6的源极；正电压能量恢复保持电路中的场效应管M7的输出端接快恢复二极管D3的负极，场效应管M8的输出端接快恢复二极管D4的正极，快恢复二极管D4的负极和快恢复二极管D3的正极接电感L1，电感L1的另一端分别接场效应管M2的漏极、M1的源极、M3的源极；在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11并使之处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，以提高维持驱动电路的可靠性；同时在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11并使处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况；最后在擦除期利用行电极产生复合擦除脉冲，使列电极在维持期和擦除期均保持接地状态。
维持驱动电路如图1-4所示。
一种槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动电路，它主要由电压控制驱动电路1、正电压维持电压脉冲发生器2、正电压能量恢复保持电路3、负电压维持电压脉冲发生器4、负电压能量恢复保持电路5、行IC芯片保护电路6、PDP高压行驱动IC芯片7(SMPDP屏)组成。正电压维持电压脉冲发生器2一个输入端、正电压能量恢复保持电路3的输入端、负电压维持电压脉冲发生器4的一个输入端、负电压能量恢复保持电路5的输入端和PDP高压行驱动IC芯片7的一个输入端分别与电压控制驱动电路1对应的输出端相连，行IC芯片保护电路6的三个输入端中一个与电压控制驱动电路1的输出端相连，一个与正电压维持电压脉冲发生器2的一个输出端相连，另一个与负电压维持电压脉冲发生器4的一个输出端相连，行IC芯片保护电路6的输出端接PDP高压行驱动IC芯片7的一个输入端，正电压能量恢复保持电路3的输出接正电压维持电压脉冲发生器2的另一个输入端，负电压能量恢复保持电路5的输出端接负电压维持电压脉冲发生器4的另一个输入端，正电压维持电压脉冲发生器2的另一个输出端以及负电压维持电压脉冲发生器4的另一个输出端也与PDP高压行驱动IC芯片7对应的输入端相连，PDP高压行驱动IC芯片7的输出端槽型等离子体显示板8的X电极，如图1所示。
电压控制驱动电路1由可编程逻辑芯片(型号可为EP1S25F672C7)和场效应管驱动芯片(型号可为IR2113)组成的电压控制脉冲产生驱动场效应管脉冲信号“XEFH、XEFL、XHU、XPZH、XPZL、XFU、XNEL、XNEH、XAEH、XAEL、XSU”，分别对应接各场效应管“M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11”的栅极，根据不同的时间常数，控制各场效应管的开启与闭合时间，确保等离子体显示屏的新型老练电路功能的实现。
正电压能量恢复保持电路3和负电压能量恢复保持电路5的作用是保持SMPDP屏点亮时所需要的双极性维持脉冲电压；保证PDP屏在点火脉冲过后，PDP屏上被点亮点保持点亮状态。
正电压维持电压脉冲发生器2和负电压维持电压脉冲发生器4(即双极性能量复得维持电压脉冲电路2、4)是为了给PDP等效电容提供变化的维持电压，PDP维持驱动一般包括一个充放电电路和一个电压控制电路。而PDP等效电容是由平板大小决定的。
本实施例的电路图如图2所示。
其中电压控制驱动电路1主要由可编程逻辑芯片和场效应管驱动芯片组成，可编程逻辑芯片产生的脉冲信号经场效应管驱动芯片放大后产生能驱动后续各电路中的场效应管工作的脉冲信号XEFH、XEFL、XHU、XPZH、XPZL、XFU、XNEL、XNEH、XAEH、XAEL、XSU，它们分别为正维持电压控制脉冲信号、正维持电压归零控制脉冲信号、打开M3控制脉冲信号、负维持电压归零控制脉冲信号、负维持电压控制脉冲信号、打开M6控制脉冲信号、正电压储能电容充电开启信号、正电压储能电容放电开启信号、负电压储能电容充电开启信号、负电压储能电容放电开启信号、打开M11控制脉冲信号。
正电压维持电压脉冲发生器2主要由场效应管M1、M2、M3、M11组成，正电压维持电压脉冲发生器3的输入从M1、M2、M3、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XEFH、XEFL、XHU、XSU给对应的场效应管M1、M2、M3、M11，其输出从M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
正电压能量恢复保持电路3主要由场效应管M3、M7、M8、M11、电感L1、二极管D3、D4、电容C1组成，正电压能量恢复保持电路4的输入从M3、M7、M8、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XHU、XNEL、XNEH、XSU脉冲信号给对应的场效应管M4、M7、M8、M11，其输出从L1的一端引出分别接正电压维持电压脉冲发生器2中的场效应管M2、M3的漏极和场效应管M1的源极，再从场效应管M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
负电压维持电压脉冲发生器4主要由场效管M4、M5、M6、M11组成，负电压维持电压脉冲发生器4的输入从M4、M5、M6、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XPZH、XPZL、XFU、XSU给对应的场效应管M4、M5、M6、M11，其输出从M6的漏极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M11的漏极端。
负电压能量恢复保持电路5主要由场效应管M6、M9、M10、M11、电感L2、二极管D5、D6、电容C2组成，负电压能量恢复保持电路4的输入从M6、M9、M10、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XFU、XAEH、XAEL、XSU脉冲信号给对应的场效应管M6、M9、M10、M11，其输出从L2的一端引出分别接负电压维持电压脉冲发生器4中的场效应管M4、M5的源极和场效应管M5的漏极。再从场效应管M6的漏极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M11的漏极端。
行IC芯片保护电路6主要由场效应管M11组成，行IC芯片保护电路6的输入从M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XSU脉冲信号给对应的场效应管M11，场效应管M11的输出源极分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M3的源极端。漏极分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M6的漏极端。
本发明的工作过程为槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动电路驱动方法的工作原理如下在维持期里采用了双极性能量恢复维持驱动电路，使得槽型等离子体显示板图像显示时的功耗得以降低。
维持驱动包含有两个独立的充电和放电过程。电路内部平板电容Cp和能量恢复电容C1或C2通过外部电感L串联，维持驱动电路是利用电路内部平板电容Cp，外部电感L，能量恢复电容C1或C2之间的串联响应来给内部平板电容充放电的，即从能量恢复电容C1或C2中释放的能量用于给内部平板电容Cp充电，从内部平板电容Cp中释放的能量也暂时被存储在能量恢复电容C1或C2中。就是利用这种方法来实现能量恢复。
双极性能量恢复维持驱动电路的工作过程如下首先在整个维持期过程中，由电压控制电路将场效应管M11一直处于打开阶段，确保PDP高压驱动IC芯片的电源端和接地端之间处于短路状态，并且，控制PDP高压驱动IC的输出端与PDP高压驱动IC的高压电源相通或PDP高压驱动IC的电源接地端相通。以减少PDP高压驱动IC芯片的电源端和接地端之间的电压差和开关次数。
正电压能量恢复维持驱动电路对平板电容Cp充放电被分为4个过程在t0前，将场效应管M2、M3打开，而其他Mos开关都被关掉。输出电压Vp等于0。
在t0-t1过程中，首先M2被关掉，M3、M8被打开，除M11以外的而其他Mos开关都被关掉，这样就形成了一个LC回路。正维持脉冲电压储能电容C1上的电压等于Vs/2，通过电感L1对Cp充电，在t1-t2过程最后Vp被充电到Vs。在输出电压Vp等于Vs后，先打开M1，再关掉M8。
在t2-t3过程中，Cp放电，开关M1关掉，M7打开。Cp的放电电流流经M3、L1，二极管D3和M7到达C1，这样C1就被充电。Cp一直放电直到输出电压Vp等于Vs/2。
在t3-t4过程中，M7关掉，M2打开。而其他Mos开关状态都不变，输出电压Vp等于0。
对负电压能量恢复维持电路对Cp充放电同样被分为4个过程在t5前，将场效应管M4、M6打开，而其他Mos开关都被关掉。输出电压Vp等于0。
在t4-t5过程中，首先M4被关掉，M10被打开，除M11以外的而其他Mos开关都被关掉，这样就形成了一个LC回路。负维持脉冲电压储能电容C2上的电压等于VXG/2，通过电感L2对Cp充电，在T5-T6过程最后输出电压Vp被充电到VXG。在输出电压Vp等于VXG后，先打开M5，再关掉M10。
在t6-t7过程中，Cp放电，开关M5关掉，M9打开。Cp的放电电流流经M6、L2，二极管D5和M9到达C2，这样C2就被充电。Cp一直放电直到输出电压Vp等于VXG/2。
在t7-t0过程中，关掉M9，打开M4，而其他Mos开关状态都不变，输出电压Vp等于0。
上述的Cp相当于整个显示板的等效电容。
权利要求
1.一种槽型等离子体显示板维护驱动方法，其特征是使维持期电压控制电路中的场效应管M6的输出端分别接场效应管M11的漏极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T2的输入端；使维持期电压控制电路中的场效应管M3的输出端分别接场效应管M11的源极和PDP行高压驱动IC芯片中的场效应管T1的输入端；负电压能量恢复保持电路中的场效应管M9、M10的输出端分别接快恢复二极管D5正极、D6的负极，快恢复二极管D5负极、D6的正极接电感L2，电感L2的另一端分别接场效应管M4的源极、M5的漏极、M6的源极；正电压能量恢复保持电路中的场效应管M7的输出端接快恢复二极管D3的负极，场效应管M8的输出端接快恢复二极管D4的正极，快恢复二极管D4的负极和快恢复二极管D3的正极接电感L1，电感L1的另一端分别接场效应管M2的漏极、M1的源极、M3的漏极；在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11并使之处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，以提高维持驱动电路的可靠性，同时在PDP高压行驱动IC芯片的接地端和PDP高压行驱动IC芯片的高压电源端并联一个场效应管M11并使处于打开状态，减少行IC芯片在维持期的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况；最后在擦除期利用行电极产生复合擦除脉冲，使列电极在维持期和擦除期均保持接地状态。
2.一种权利要求1所述方法的维持驱动电路，其特征是它主要由电压控制驱动电路(1)、正电压维持电压脉冲发生器(2)、正电压能量恢复保持电路(3)、负电压维持电压脉冲发生器(4)、负电压能量恢复保持电路(5)、行IC芯片保护电路(6)、PDP高压行驱动IC芯片(7)组成，正电压维持电压脉冲发生器(2)一个输入端、正电压能量恢复保持电路(3)的输入端、负电压维持电压脉冲发生器(4)的一个输入端、负电压能量恢复保持电路(5)的输入端和PDP高压行驱动IC芯片(7)的一个输入端分别与电压控制驱动电路(1)对应的输出端相连，行IC芯片保护电路(6)的三个输入端中一个与电压控制驱动电路(1)的输出端相连，一个与正电压维持电压脉冲发生器(2)的一个输出端相连，另一个与负电压维持电压脉冲发生器(4)的一个输出端相连，行IC芯片保护电路(6)的输出端接PDP高压行驱动IC芯片(7)的一个输入端，正电压能量恢复保持电路(3)的输出接正电压维持电压脉冲发生器(2)的另一个输入端，负电压能量恢复保持电路(5)的输出端接负电压维持电压脉冲发生器(4)的另一个输入端，正电压维持电压脉冲发生器(2)的另一个输出端以及负电压维持电压脉冲发生器(4)的另一个输出端也与PDP高压行驱动IC芯片(7)对应的输入端相连，PDP高压行驱动IC芯片(7)的输出端接槽型等离子体显示板(8)。
3.根据权利要求2所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路，其特征是所述的电压控制驱动电路(1)主要由可编程逻辑芯片和场效应管驱动芯片组成，可编程逻辑芯片产生的脉冲信号经场效应管驱动芯片放大后产生能驱动后续各电路中的场效应管工作的脉冲信号XEFH、XEFL、XHU、XPZH、XPZL、XFU、XNEL、XNEH、XAEH、XAEL、XSU，它们分别为正维持电压控制脉冲信号、正维持电压归零控制脉冲信号、打开M3控制脉冲信号、负维持电压归零控制脉冲信号、负维持电压控制脉冲信号、打开M6控制脉冲信号、正电压储能电容充电开启信号、正电压储能电容放电开启信号、负电压储能电容充电开启信号、负电压储能电容放电开启信号、打开M11控制脉冲信号。
4.根据权利要求2所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路，其特征是所述的正电压维持电压脉冲发生器(2)主要由场效应管M1、M2、M3、M11组成，正电压维持电压脉冲发生器3的输入从M1、M2、M3、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XEFH、XEFL、XHU、XSU给对应的场效应管M1、M2、M3、M11，其输出从M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
5.根据权利要求2所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路，其特征是所述的正电压能量恢复保持电路(3)主要由场效应管M3、M7、M8、M11、电感L1、二极管D3、D4、电容C1组成，正电压能量恢复保持电路4的输入从M3、M7、M8、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XHU、XNEL、XNEH、XSU脉冲信号给对应的场效应管M4、M7、M8、M11，其输出从L1的一端引出分别接正电压维持电压脉冲发生器2中的场效应管M2、M3的漏极和场效应管M1的源极，再从场效应管M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
6.根据权利要求2所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路，其特征是所述的负电压维持电压脉冲发生器(4)主要由场效管M4、M5、M6、M11组成，负电压维持电压脉冲发生器4的输入从M4、M5、M6、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XPZH、XPZL、XFU、XSU给对应的场效应管M4、M5、M6、M11，其输出从M6的漏极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M11的漏极端。
7.根据权利要求2所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路，其特征是所述的负电压能量恢复保持电路(5)主要由场效应管M6、M9、M10、M11、电感L2、二极管D5、D6、电容C2组成，负电压能量恢复保持电路4的输入从M6、M9、MI0、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XFU、XAEH、XAEL、XSU脉冲信号给对应的场效应管M6、M9、M10、M11，其输出从L2的一端引出分别接负电压维持电压脉冲发生器4中的场效应管M4、M5的源极和场效应管M5的漏极。再从场效应管M6的漏极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M11的漏极端。
8.根据权利要求2所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路，其特征是所述的行IC芯片保护电路(6)主要由场效应管M11组成，行IC芯片保护电路6的输入从M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出，由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XSU脉冲信号给对应的场效应管M11，场效应管M11的输出源极分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M3的源极端。漏极分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M6的漏极端。
全文摘要
一种槽型等离子体显示板(SMPDP)维持驱动方法及其电路，属于等离子显示板驱动电路，其中与驱动方法相配的驱动电路主要由电压控制驱动电路(1)、正电压维持电压脉冲发生器(2)、正电压能量恢复保持电路(3)、负电压维持电压脉冲发生器(4)、负电压能量恢复保持电路(5)、行IC芯片保护电路(6)、PDP高压行驱动IC芯片(7)组成，PDP高压行驱动IC芯片(7)的输出端接槽型等离子体显示板(8)。它解决了现有的维持驱动电路可靠性较低的问题，可在维持期内减少行IC芯片的开关次数，避免高频损耗引起的行IC芯片发热情况，有利于提高槽型等离子体显示板(SMPDP)的维持驱动电路的可靠性。
文档编号G09G3/20GK101067915SQ20071002129
公开日2007年11月7日 申请日期2007年4月26日 优先权日2007年4月26日
发明者郑姚生, 王保平, 朱立锋, 汤勇明 申请人:南京华显高科有限公司