通过数据写入实现负脉冲退火的方法、装置及其驱动电路的制作方法

文档序号:2525322阅读:166来源:国知局
专利名称:通过数据写入实现负脉冲退火的方法、装置及其驱动电路的制作方法
技术领域
本发明涉及一种实现黑画面插入的负脉冲退火方法、装置及其驱动电路,尤 其涉及一种应用在有源矩阵有机发光显示器中的以数据写入方式实现负脉冲退火 的方法、装置及其驱动电路。
背景技术
有机发光显示器件(0LED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD) , OLED具有高对比度、广视角、低功耗、体积 更薄等优点,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一 。0LED可以用被动矩阵(PM)驱动,也可以用主动矩阵驱动(AM)。相比PM 驱动,AM驱动具有显示的信息容量较大、功耗较低、器件寿命长,画面对比度高 等优点。而PM驱动适用于低成本的、简单的显示器件。在玻璃基板上制作的用于細驱动0LED的器件,目前有多种类型的器件被尝 试,包括非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)、微晶硅(u-Si)与低温多晶硅(LTPS) TFT以及采用其他材料的TFT器件如氧化锌TFT或者有机物材料TFT等。在商业化 生产的实践中,a-Si是一种目前最广泛应用的可以大面积均匀且相对低成本成膜 的材料,a-Si TFT成为大尺寸产品有竞争力的阵列基板器件。对于TFT器件,包括a-Si、 u-Si与LTPSTFT,其长期工作在直流电压偏置状 态下会发生器件特性的漂移,其中尤以a-Si TFT最为明显。如果不采取某种措施 处理这种漂移,发生特性漂移的器件驱动OLED的电流下降,显示器件亮度降低, 会导致器件过早失效。除了特性漂移之外,a-Si TFT还存在"滞后"效应 (hysteresis),由于该效应的存在,TFT开启和关闭过程中,当栅电极(栅极) 电压分别从小到大与从大到小变化的时候,相同的电压偏置状态处于上升和下降的 不同过程中时通过器件的电流并不相等。因此,如果不采取措施控制,相同的驱动 信号,可能会得到不同的器件电流,也就不能实现期望的发光亮度值,进而影响显示器件的图像质量。为了抑制TFT,特别是a-Si TFT得特性衰减与"滞后"效应,己经有多种方 案被提出。TFT特性衰减主要是由于驱动0LED器件的TFT栅极长时间置于正向偏 置,从而引起电荷被俘获在栅绝缘层中,并且在沟道半导体层中产生缺陷态,使 TFT阈值电压升高。研究发现,对于在栅极施加正向电压发生特性漂移的TFT器件, 如果在其栅极施加负电压偏置一段时间,其漂移的特性会有不同程度的恢复。利用 这个特点, 一种被称为"负脉冲退火"的方法被提出,在器件工作的时候, 一部分 时间将负电压偏置施加到器件的栅电极,用于减轻TFT特性衰减的程度,延长 AM0LED的使用寿命。通过控制电压器件施加电压时的电压变化遵循从小到大的固 定扫描方向,可以避免"滞后"效应。图1表示了一种抑制特性漂移和"滞后"效应的方案。数据信号通过数据线 111传输,栅极扫描信号通过栅极线110传输。电源线112提供直流电压,为发光 器件0LED 104显示提供电流。在通过TFT 101写入像素电压数据以及写入数据以 后的一帧时间中的大部分时间,节点113连接的信号CLK处于高电压,节点100 处的TFT (该TFT为驱动TFT 102提供放电通路)关闭,电压信号被保持在节点100 上,并依靠存储电容103维持该信号电压。受数据电压信号控制的TFT 102 (用于 驱动OLED器件)的源极与漏极之间通过一定的电流,并提供给0LED104,保持其 发光。在下次写入新的显示数据电压之前,信号CLK被设定到低电压一段特定时间。 在该时间内,TFT 102的栅极电压相对源极变为负值,实现了TFT 102栅极的负电 压偏置,从而实现抑制TFT特性漂移的功能。与此同时,存储电容103得以充分放 电,可以保证接下来的数据写入过程节点100上面的信号电压变化是从低电压向高 电压变化,从而避免了 "滞后"效应的影响。图2表示了抑制特性漂移与"滞后"效应的另一技术方案。该电路工作机制 如下在写入信号之前,首先将节点203信号Vsc;,与节点205信号V^,同时置于 高电压,TFT 212、 213、 215、 216打开,节点204被充电到高电压。接下来, 节点205信号VE肌,变为低电压,TFT212、 216关闭,节点204上电压开始下降至 V陽+Vth,其中VTH为TFT214的阈值电压。此时,存储电容211上面电压为VDATA+VTH-Vss, Vss为节点201上的低电平直流偏置电压。此后,节点203信号Vs,变为低电压,节 点205信号V,s腦变为高电压,TFT 213、 215关闭,216、 212打开,TFT 214的源漏极电流即为0LED 217的电流。由于VTH值已经预先存储在电容211上,电流 大小与Vth无失,达到了抑制特性漂移的目的。在下一次写入数据之前的特定时间内,节点200信号CLK电压被置于更低的 电平,节点204的信号通过TFT 210被下拉至低电压。这样, 一方面使TFT 214 的栅极电压相对源极变为负值,实现了负电压脉冲退火;另一方面保证了接下来的 数据写入过程节点204上面的信号电压变化是从低电压向高电压变化,从而避免了 "滞后"效应的影响。现有技术虽然能够实现对特性漂移与"滞后"效应的抑制,却存在一些缺点, 主要表现在通过像素电路设计的现有技术增加了像素的复杂性与像素驱动的复杂 性,对像素补偿不能实现差异化。如图1所示方法,电路需要为每个像素引入一 个负电压脉冲信号,因此每行像素都需要额外增加一条信号导线,降低了像素开口 率。在显示器件长期使用的过程中,不同像素显示的图像信息有所区别,因此不同 像素中的器件衰减程度是有差异的,可能形成不同程度的"烧灼图像"(Burn-in Image)残留。该电路由于引入的负脉冲信号的幅值与宽度对所有像素是相同的, 不能够实现像素的差别化补偿,不能防止烧灼图像的产生。图2所示方法同样具有上述图l存在的缺点。此外,该电路需要将TFT基板 上的像素电极连接OLED器件的阴极,OLED器件制作的工艺难度较大。该电路额外 引入了多个控制信号,布线复杂,系统驱动电路复杂性大幅提高,像素开口率受到 影响。该像素电路中器件数目较多,工艺中像素失效可能性提高,会导致产品良率 下降。另外,该像素电路对不同的像素不能实现差异化的退火补偿,不能够防止烧 灼图像的产生。AMOLED与TFT-LCD—样,属于保持型(Hold-type)的显示器件,即显示数据 写入像素后,对应的像素灰度会一直保持到下一帧的新的显示数据写入为止。这种 显示技术存在动画响应时间(Motion Picture Response Time,简称MPRT)较长 的缺点,其后果是显示高速运动画面时,使用者会观察到图像边界会出现模糊。现 有技术在改善AMOLED器件的寿命与均匀性的时候,未能够縮短显示器件的MPRT 数值,即不能解决其动态画面模糊的问题。改善MPRT的有效方法之一就是插入黑 画面(Black Frame Insertion)。

发明内容
本发明的目的在于解决上述问题,提供了一种通过数据写入实现负脉冲退火
的方法和装置,可以有效抑制有源驱动OLED显示器件中驱动OLED器件的TFT的特 性漂移,使器件寿命得以延长。
本发明的另一目的在于提供了另一种通过数据写入实现负脉冲退火的方法和 装置,也可以有效抑制有源驱动OLED显示器件中驱动OLED器件的TFT的特性漂移, 使器件寿命得以延长。
本发明的另一目的在于提供了一种产生显示数据信息与退火偏置电压数据信 息的驱动电路。
本发明的技术方案为本发明揭示了一种通过数据写入实现负脉冲退火的方 法,在每一个帧显示周期内包括
在第一扫描周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据;
在第二扫描周期内,逐行对所有像素写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏 置数据。
本发明还揭示了一种通过数据写入实现负脉冲退火的方法,在每一个帧显示
周期内包括
在第一扫描周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第 一部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据的第一部分;
在第二扫描周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第 二部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据的第二部分;
其中使每个像素在一个帧显示周期内的两个扫描周期之一分别写入包含显示 信息的偏置电压数据,另一个扫描周期内写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置 数据。
上述的通过数据写入实现负脉冲退火的方法,其中,写入的方式包括以下其 中任一
包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分 别写入不同列的像素;
包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分
别写入不同行的像素;包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据在 不同的行分别写入不同列的像素。
基于上述的方法,本发明还揭示了一种通过数据写入实现负脉冲退火的装置,
包括
第一扫描模块,在每个帧显示周期的第一扫描周期内,逐行对所有像素写入 包含显示信息的偏置电压数据;
第二扫描模块,在每个帧显示周期的第二扫描周期内,逐行对所有像素写入 包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据。
本发明另外揭示了一种通过数据写入实现负脉冲退火的装置,包括
第一扫描模块,在每个帧显示周期的第一扫描周期内,逐行对所有像素写入 包含显示信息的偏置电压数据的第一部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏 置数据的第一部分;
第二扫描模块,在每个帧显示周期的第二扫描周期内,逐行对所有像素写入 包含显示信息的偏置电压数据的第二部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏 置数据的第二部分;
其中使每个像素在一个帧显示周期内的两个扫描周期之一分别写入包含显示 信息的偏置电压数据,另一个扫描周期内写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置 数据。
上述的通过数据写入实现负脉冲退火的装置,其中,该第一扫描模块和该第 二扫描模块的数据写入方式包括以下其中任一
包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分 别写入不同列的像素;
包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分 别写入不同行的像素;
包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据在 不同的行分别写入不同列的像素。
本发明又揭示了一种产生显示数据信息与退火偏置电压数据信息的驱动电 路,包括
存储器,用于存储显示数据;查询表模块,连接该存储器,用于产生退火数据;
第一数模转换器,连接该存储器,根据输入的显示数据产生用于驱动像素显 示的模拟电流或电压信号;
第二数模转换器,连接该查询表模块,根据输入的退火数据产生用于驱动像 素进行退火的模拟负电压信号;
第一缓冲器,连接该第一数模转换器,用于信号缓冲以增强驱动能力;
第二缓冲器,连接该第二数模转换器,用于信号缓冲以增强驱动能力;
倒相器,连接该第一缓冲器和该第二缓冲器,用于接收显示/退火的控制信号, 选择列输出信号来源,以保证列输出信号是退火信号或显示信号之一。
本发明对比现有技术有如下的有益效果本发明通过给驱动0LED的TFT施加 一定时间的栅极负电压偏置,可以有效抑制有源驱动0LED显示器件中驱动0LED 器件的TFT的特性漂移,使器件寿命得以延长。由于每一次写入新的显示数据之前 对电压进行反向偏置的特点,保证数据电压的写入使驱动0LED的TFT偏置扫描方 向总是从负电压到正电压的单向过程,从而避免"滞后"效应。
相比现有技术,本发明像素电路可以采用最简单的结构以降低像素复杂性。 同时,在不增加像素中器件数目的情况下,省去了额外的为每个像素施加负电压偏 置信号的信号线。因此可以提高像素面积利用率,提高良率。由于退火电压数据有 针对性地对像素每一帧显示受到偏置的程度进行补偿,可以避免器件在工作中由于 显示画面内容的差别产生的漂移程度的差异化,保持器件的均匀性,消除烧灼画面 的产生。
此外,依照本发明所述的驱动方法,在退火帧数据写入像素的时候,驱动0LED 的TFT被关断,OLED无电流供应,处于不发光状态。因此,依照本发明所述技术 驱动AM0LED,可以方便地实现黑画面的插入。从而,可以縮短显示器件MPRT数值。


图1是现有的像素电路设计与信号波形的示意图。
图2是现有的像素电路设计与信号波形的示意图。
图3是本发明的第一实施例的图像显示顺序示意图。
图4是对应图3实施例的驱动0LED的TFT栅电压状态的示意图。图5是对应图3实施例的通过数据写入实现负脉冲退火的方法的流程图。 图6是本发明的第二实施例的图像显示顺序示意图。图7是对应图6实施例的通过数据写入实现负脉冲退火的方法的流程图。 图8是本发明的第三实施例的图像显示顺序示意图。 图9是对应图8实施例的通过数据写入实现负脉冲退火的方法的流程图。 图IO是本发明的第四实施例的图像显示顺序示意图。 图11是对应图10实施例的通过数据写入实现负脉冲退火的方法的流程图。 图12是本发明的一种产生显示数据信息与退火偏置电压数据信息的驱动电路 的实施例的示意图。图13是本发明的电压编程的简单像素电路的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。依照本发明的一种具体实施方式
,在一个帧显示周期内,首先在第一扫描周 期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据。然后在第二扫描周期内, 逐行对所有像素写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据。请参见图3,在一帧的显示数据完整写入后,图像得以正常显示,如图3中的 301所示。在紧随其后的扫描周期内,退火电压偏置数据通过行扫描的方式逐行写 入。在写入未完成的时候,即在写入退火电压偏置数据的扫描周期中间,部分行的 像素被写入退火偏置电压数据,0LED不发光;部分行像素仍然保持前面一个写入 显示数据的扫描周期内写入的显示数据,0LED根据写入数据值发光,显示图像。 因此,图像显示如图3中的302所示,部分呈现黑画面,如图3中的3021所示, 部分仍然显示图像,如图3中的3022所示。在退火偏置数据写入完成,即写入退 火电压偏置数据的扫描周期末尾,所有像素被写入退火电压偏置数据,显示器件呈 现黑画面,如图3中的303所示。类似地,在新的帧显示周期内,显示数据写入 周期内画面再次呈现如图3中的304所示的,部分为显示图像3041,部分为黑画 面3042。驱动信号的写入如上所述循环。图4示例地表示了在三个帧显示周期内,某个像素中驱动OLED的TFT栅极电 压偏置状态变化情况。在第一个帧显示周期401内,显示数据扫描周期4011内,栅极偏置为V1D,在随后的退火偏置数据写入周期4012内,驱动0LED的TFT的栅 极电压为根据与V1D对应的V1A,用于针对TFT在扫描周期4011内栅极偏置发生 的特性漂移进行负电压退火,以恢复其特性。在后续的两个扫描周期内,TFT栅极 分别为V2D与V3D,分别由其对应的退火电压偏置数据写入周期写入退火电压V2A 与V3A进行特性恢复。
图5表示图3这种实施方式的信号处理流程图。 一帧显示信号输入后进行存 储的同时,根据一定的算法或者査表产生与现实数据对应的退火数据并存储。设置 行号为l,开始从第l行逐行进行显示数据的数模转换,产生与显示数据对应的模 拟驱动电压或电流信号,驱动显示像素阵列进行显示。在所有行显示完毕后,即完 成该帧显示的第一子帧即显示子帧。此后,将行号复位到l,然后逐行取出退火数 据,产生与退火数据对应的模拟退火负电压,驱动像素阵列逐行执行退火操作,直 到最后一行完成,即完成当前帧的显示与退火两个子帧。此后,进入下一帧的显示 数据处理。流程的详细处理请参见图5,下面是对流程中各步骤的详细描述。
步骤S301: —帧显示信号输入。
步骤S302:将显示数据缓冲存储,设置行号i为l。
步骤S303:进行第i行的显示信号输入,然后同时进行步骤S304和步骤S306。 步骤S304:产生与显示信号对应的模拟电压或电流驱动信号,然后进入步骤 S305。
步骤S305:驱动信号输出到显示面板,显示第i行图像,然后进入步骤S308。 步骤S306:根据现有的算法或者查询表确定第i行的退火数据,然后进入步 骤S307。
步骤S307:存储第i行退火数据,然后进入步骤S308。 步骤S308:判断i值是否达到最大行号。如果是则进入步骤S310,否则进入 步骤S309。
步骤S309: i值增加l,然后返回步骤S301。
步骤S310:将i值重新设定为1。
步骤S311:取出第i行的退火数据。
步骤S312:产生与退火数据对应的模拟负电压驱动信号。
步骤S313:驱动信号输出到显示面板,对第i行像素执行退火。步骤S314:判断i是否到达最大行,如果是则进入步骤S316,否则进入步骤S315。步骤S315:将i值增加l。步骤S316:进入下一帧的信号处理。依照本发明的另一种具体实施方式
,在一个帧显示周期内,首先在第一扫描 周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第一部分以及包含退 火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据的第一部分。然后在第二扫描周期内,逐行对所 有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第二部分以及包含退火脉冲信息的负 脉冲电压偏置数据的第二部分。其中使每个像素在一个帧显示周期内的两个扫描周 期之一分别写入包含显示信息的偏置电压数据,另一个扫描周期内写入包含退火脉 冲信息的负脉冲电压偏置数据。其中像素的写入方式可以有多种,图6示出了其中的一种写入方式。可以将 像素的奇数列与偶数列分别划分为第一部分与第二部分像素,也可以以像素列的组 合来划分像素。在一个帧显示周期的第一扫描周期末尾,画面显示图像501可以分 为写入退火偏置电压数据部分5011与写入显示数据部分5012。相似地,在第二扫 描周期末尾,画面显示图像502可以分为写入退火偏置电压数据部分5021与写入 显示数据部分5022。对于任何一个特定像素,在两个扫描周期内被分别写入显示 数据与退火偏置电压数据。观察者可以看到完整的图像效果503。图7表示了图6对应的实施方式的数据处理流程图。在该流程图中,增加了 奇偶标志位用于确定奇数列还是偶数列执行退火,增加了子帧标志位用于确定当前 信号处理处于第一还是第二子帧。数据处理首先从第一子帧开始,奇偶标志位设定 为奇或偶,子帧标志位设定为第一子帧,行号复位为l。从第一行开始进行逐行信 号处理,每行像素的奇数列或偶数列设定为退火,其他像素设定为显示,产生与退 火对应的负电压模拟信号或者与显示对应的电压或电流模拟信号,驱动各自对应像 素执行退火或显示操作。在所有行执行完毕后,进入第二子帧,将子帧标志位设定 为第二子帧,将奇偶标志位反转,同时将行号i复位到l,然后重复第一子帧的操 作。第二子帧的数据处理结束后,即进入下一帧的数据处理。流程的详细处理请参 见图7,下面是对流程中各步骤的详细描述。步骤S501:显示信号输入,然后同时进入步骤S502和步骤S504。步骤S502:显示信号缓冲存储,行号i设定为1。步骤S503:设定退火奇偶标志位为奇或偶,设定子帧标志位为第一子帧,然后进入步骤S506。步骤S504:根据现有算法或者査询表确定退火数据,进入步骤S505。 步骤S505:存储退火数据,进入步骤S503。 步骤S506:第i行显示信号输入。步骤S507:将第i行与奇偶标志位一致的列转换为退火数据,其他列仍保留 为显示数据。步骤S508:驱动信号输出到显示面板,第i行像素执行显示或退火。 步骤S509:判断i是否到达最大行。如果是则进入步骤S511,否则进入步骤S510。步骤S510:将i值增加l,然后返回步骤S506。步骤S511:判断子帧标志位是否标志第二子帧,如果是则进入步骤S513,否 则进入步骤S512。步骤S512:设定子帧标志位标志第二子帧,将退火奇偶标志位状态反转,将 i值设定为l,然后返回步骤S506。图8示出了本发明的另一种像素写入方式。可以将像素的奇数行与偶数行分 别划分为第一部分与第二部分像素,也可以以像素行的组合来划分像素。在一个帧 显示周期的第一扫描周期末尾,画面显示图像601可以分为写入退火偏置电压数据 部分6011与写入显示数据部分6012。相似地,在第二扫描周期末尾,画面显示图 像602可以分为写入退火偏置电压数据部分6021与写入显示数据部分6022。对于 任何一个特定像素,在两个扫描周期内被分别写入显示数据与退火偏置电压数据。 观察者可以看到完整的图像效果603。图9是图8对应的实施方式的数据处理流程图。与图7表示的处理流程类 似,不同的是该流程依据像素所处行的行号奇偶特性与奇偶标志位是否一致判断数 据保持显示数据还是转换为退火数据。在第一子帧结束后,奇偶标志位反转,重复 第一子帧操作,即可实现两个子帧中每个像素都进行一个子帧显示,另一个子帧退 火的两种操作。流程的详细处理请参见图9,下面是对流程中各步骤的详细描述。步骤S601:显示信号输入,然后同时进入步骤S602和S604。步骤S602:显示信号缓冲存储,行号i设定为l。步骤S603:设定退火奇偶标志位为奇或偶,设定子帧标志位为第一子帧,然后进入步骤S606。步骤S604:根据现有算法或者查询表确定退火数据,然后进入步骤S605。 步骤S605:存储退火数据,然后进入步骤S603。 步骤S606:第i行的显示信号输入。步骤S607:判断行号i的奇偶特性与奇偶标志位是否一致,如果一致则进入步骤S608,否则进入步骤S610。步骤S608:将第i行数据转换为退火数据,然后进入步骤S609。 步骤S609:驱动信号输出到显示面板,第i行像素执行显示或退火,然后进入步骤S611。步骤S610:保持第i行数据为显示数据,然后进入步骤S609。 步骤S611:判断i是否到达最大行号,如果是则进入步骤S613,否则进入步 骤S612。步骤S612:将i值增加l,返回步骤S606。步骤S613:判断子帧标志位是否标志第二子帧,如果是则进入步骤S615,否 则进入步骤S614。步骤S614:设定子帧标志位标志第二子帧,将i值设定为l,将退火奇偶标 志位状态反转,然后返回步骤S606。 步骤S615:进入下一帧信号处理。图IO示出了本发明的另一种像素写入方式。在一个帧显示周期的第一扫描周 期末尾,画面显示图像701可以分为写入退火偏置电压数据部分7011与写入显示 数据部分7012。相似地,在第二扫描周期末尾,画面显示图像702可以分为写入 退火偏置电压数据部分7021与写入显示数据部分7022。对于任何一个特定像素, 在两个扫描周期内被分别写入显示数据与退火偏置电压数据。观察者可以看到完整 的图像效果703。图ll表示了图IO对应的实施方式的数据处理流程图。与图7表示的处理流 程类似,不同之处在于,每执行完一行数据的输出,奇偶标志位都进行一次反转, 因此实现了相邻行像素在不同的列上分别实现退火与显示数据的输出。流程的详细处理请参见图ll,下面是对流程中各步骤的详细描述。步骤S701:显示信号输入,然后同时进入步骤S702和步骤S704。 步骤S702:显示信号缓冲存储,行号i设定为l,然后进入步骤S703。 步骤S703:设定退火奇偶标志位为奇或偶,设定子帧标志位为第一子帧,然 后进入步骤S706。步骤S704:根据现有算法或者査询表确定退火数据,然后进入步骤S705。 步骤S705:存储退火数据,进入步骤S703。 步骤S706:第i行显示信号输入。步骤S707:将第i行与奇偶标志位一致的列转换为退火数据,其他列仍保留 为显示数据。步骤S708:驱动信号输出到显示面板,第i行像素执行显示或退火。 步骤S709:判断i是否达到最大行号,如果是则进入步骤S711,否则进入步 骤S710。步骤S710:将退火奇偶标志位状态反转,将i值增加l,返回步骤S706。 步骤S711:判断子帧标志位是否标志第二子帧,如果是则进入步骤S713,否 则进入步骤S712。步骤S712:设定子帧标志位标志第二子帧,将i值设定为l,将退火奇偶标 志位状态设定为与第一子帧的初始态相反,返回步骤S706。 步骤S713:进入下一帧信号处理。图12示出了产生显示数据信息与退火偏置电压数据信息的驱动电路的一种 具体实施结构。该结构不一定与前述具体实施方式
流程图对应,只是表示了在同一 列信号输出上实现可控制的两种信号输出的一种实现方式。该结构包括存储器80, 用于存储显示数据;查询表模块81,用于产生退火数据;数模转换器82与数模转 换器83,分别根据输入的显示数据与退火数据产生用于驱动像素显示的模拟电压 电流信号或用于驱动像素进行退火的模拟负电压信号;缓冲器84与缓冲器85,用 于信号缓冲,增强驱动能力;倒相器86,用于接收显示/退火控制信号,选择列输 出信号来源,保证列输出信号是退火信号或显示信号之一。显示数据存入存储器并输入至产生显示数据电压信息的数模转换器82,经过 缓冲后输出。存入存储器中的显示数据输入至产生退火偏置电压数据的数模转换器83,并经过缓冲后输出。数模转换器82由显示数据伽玛电压确定其输入数据和输出电压之间的对应关系,数模转换器83由退火参考电压,或者由退火参考电压结 合査询表模块81确定其输入数据和输出电压之间的对应关系。显示/退火控制信号 控制倒相器86将显示数据电压或者退火数据电压之一输出到显示像素区域的列信 号引线。基于上述的通过数据写入实现负脉冲退火的方法的各个实施例,本发明还提 出了对应的通过数据写入实现负脉冲退火的装置。对应图5的实施例,装置包括第 一扫描模块和第二扫描模块,其中第一扫描模块在每个帧显示周期的第一扫描周期 内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据,第二扫描模块在每个帧显 示周期的第二扫描周期内,逐行对所有像素写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏 置数据。对应图7、图9和图11的方法实施例,装置包括第一扫描模块和第二扫描模块,其中第一扫描模块在每个帧显示周期的第一扫描周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第一部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据的第一部分。第二扫描模块在每个帧显示周期的第二扫描周期内,逐行对所 有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第二部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据的第二部分。其中使每个像素在一个帧显示周期内的两个扫描周 期之一分别写入包含显示信息的偏置电压数据,另一个扫描周期内写入包含退火脉 冲信息的负脉冲电压偏置数据。对应图7的方法实施例,第一扫描模块和第二扫描模块的数据写入方式为将 包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分别写 入不同列的像素。对应图9的方法实施例,第一扫描模块和第二扫描模块的数据写 入方式为将包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置 数据分别写入不同行的像素。对应图11的方法实施例,第一扫描模块和第二扫描 模块的数据写入方式为将包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负 脉冲电压偏置数据在不同的行中写入不同列的像素。对于任何有源矩阵有机发光像素电路,凡是输入的数据电压可以传导到特性 发生漂移的器件,本发明的方法和装置皆可适用。图13示出了一种可能的基本像 素电路结构。该电路包括两个TFT分别是Tsw,用于在栅极引线Gn的信号控制下降数据线上的信号VDATA传导到驱动TFT Tdr的栅极上,VDATA可以是显示数据电 压,也可以是退火数据电压;TFT Tdr用于驱动OLED,电容Cst用于保持TFT Tdr 栅极上面的电荷。上述实施例是提供给本领域普通技术人员来实现或使用本发明的,本领域普 通技术人员可在不脱离本发明的发明思想的情况下,对上述实施例做出种种修改或 变化,因而本发明的保护范围并不被上述实施例所限,而应该是符合权利要求书提 到的创新性特征的最大范围。
权利要求
1、一种通过数据写入实现负脉冲退火的方法,在每一个帧显示周期内包括在第一扫描周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据;在第二扫描周期内,逐行对所有像素写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据。
2、 一种通过数据写入实现负脉冲退火的方法,在每一个帧显示周期内包括 在第一扫描周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第一部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据的第一部分;在第二扫描周期内,逐行对所有像素写入包含显示信息的偏置电压数据的第二部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据的第二部分;其中使每个像素在一个帧显示周期内的两个扫描周期之一分别写入包含显示信息的偏置电压数据,另一个扫描周期内写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据。
3、 根据权利要求2所述的通过数据写入实现负脉冲退火的方法,其特征在于, 写入的方式包括以下其中任一包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分 别写入不同列的像素;包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分 别写入不同行的像素;包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据在 不同的行分别写入不同列的像素。
4、 一种通过数据写入实现负脉冲退火的装置,包括第一扫描模块,在每个帧显示周期的第一扫描周期内,逐行对所有像素写入 包含显示信息的偏置电压数据;第二扫描模块,在每个帧显示周期的第二扫描周期内,逐行对所有像素写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据。
5、 一种通过数据写入实现负脉冲退火的装置,包括第一扫描模块,在每个帧显示周期的第一扫描周期内,逐行对所有像素写入 包含显示信息的偏置电压数据的第一部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏 置数据的第一部分;第二扫描模块,在每个帧显示周期的第二扫描周期内,逐行对所有像素写入 包含显示信息的偏置电压数据的第二部分以及包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏 置数据的第二部分;其中使每个像素在一个帧显示周期内的两个扫描周期之一分别写入包含显示 信息的偏置电压数据,另一个扫描周期内写入包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置 数据。
6、 根据权利要求5所述的通过数据写入实现负脉冲退火的装置,其特征在于, 该第一扫描模块和该第二扫描模块的数据写入方式包括以下其中任一包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分 别写入不同列的像素;包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据分 别写入不同行的像素;包含显示信息的偏置电压数据和包含退火脉冲信息的负脉冲电压偏置数据在 不同的行分别写入不同列的像素。
7、 一种产生显示数据信息与退火偏置电压数据信息的驱动电路,包括 存储器,用于存储显示数据;查询表模块,连接该存储器,用于产生退火数据;第一数模转换器,连接该存储器,根据输入的显示数据产生用于驱动像素显 示的模拟电流或电压信号;第二数模转换器,连接该查询表模块,根据输入的退火数据产生用于驱动像 素进行退火的模拟负电压信号;第一缓冲器,连接该第一数模转换器,用于信号缓冲以增强驱动能力; 第二缓冲器,连接该第二数模转换器,用于信号缓冲以增强驱动能力; 倒相器,连接该第一缓冲器和该第二缓冲器,用于接收显示/退火的控制信号, 选择列输出信号来源,以保证列输出信号是退火信号或显示信号之一。
全文摘要
本发明公开了一种通过数据写入实现负脉冲退火的方法和装置及其驱动电路,抑制有源驱动OLED显示器件中驱动OLED器件的TFT的特性漂移,延长器件寿命。其技术方案为本发明方法是在每一帧显示周期内包括在第一扫描周期内逐行对所有像素写入显示数据;在第二扫描周期内逐行对所有像素写入退火数据。或者在每一帧显示周期内包括在第一扫描周期内逐行对所有像素写入显示数据的第一部分及退火数据的第一部分;在第二扫描周期内逐行对所有像素写入显示数据的第二部分及退火数据的第二部分;其中使每个像素在一个帧显示周期内的两个扫描周期之一分别写入显示数据,另一个扫描周期内写入退火数据。本发明应用于液晶显示设备的领域。
文档编号G09G3/32GK101236724SQ20081003406
公开日2008年8月6日 申请日期2008年2月29日 优先权日2008年2月29日
发明者张晓建, 李俊峰 申请人:上海广电光电子有限公司
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