技术领域本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种AMOLED显示像素电流补偿电路及其驱动方法。
背景技术：
近些年来，有源有机发光二极管阵列(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode简称：AMOLED)显示以其独特的性能：高效率、高对比度、高亮度、高分辨率、可视角度大和响应速度快，引起研究人员极大的兴趣。AMOLED显示像素最简单的驱动电路由两个晶体管和一个电容构成(简称“2T-1C”电路，如图1所示)，该电路在数据写入周期内输入电压信号，在数据保持周期内由于电容CS的存在，保持驱动晶体管栅极电压为输入电压信号，从而在整个驱动周期内得到持续恒定OLED驱动电流。但是，由于器件制备和老化的不均匀性，导致“2T-1C”电路存在较大的晶体管TFT和OLED特性偏移问题，因此，需要补偿电路提高AMOLED显示像素驱动电路性能。目前，许多科学家和工程师致力于提出有效的补偿驱动电路，以解决晶体管TFT和OLED特性偏移问题。像素驱动电路补偿技术主要分为两种：电压补偿和电流补偿，其中电流补偿效果优于电压补偿。Li,ChesterC和Ikeda,K等在“Aphysicalpoly-siliconthinfilmtransistormodelforcircuitsimulations[J].IEDM'93.TechnicalDigest.,International,1993,pp.497-500.”中提出了薄膜晶体管TFT的沟道长度调制效应现象，但对于AMOLED显示像素驱动电路中存在的该现象并没有给出解决方案。NathanA和SakariyaK等在“AmorphoussiliconTFTcircuitintegrationforOLEDdisplaysonglassandplastic.proceedingsoftheCustomIntegratedCircuitsConference,2003ProceedingsoftheIEEE2003,F21-24Sept.2003,2003[C].”中提出了基于传统电流镜的电流补偿电路,如图2所示,该像素驱动电路基于传统电流镜的电流补偿作用，提供OLED驱动电流，但其电流补偿电路受到沟道长度调制效应影响。因此，现有技术中AMOLED显示像素驱动电路仍有如下问题：(1)现有的基于传统电流镜的电流补偿技术受到晶体管沟道长度调制效应影响，补偿效果存在提高空间。(2)现有的AMOLED显示像素驱动电路数据输入信号和输出信号不是线性关系或者线性度较低,不利于显示亮度调节。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术的至少一种不足，提供一种AMOLED显示像素电流补偿电路及其驱动方法，与基于传统电流镜的电流补偿电路相比较，本发明提出的改进型电流补偿电路，可实现更好的晶体管特性偏移补偿、OLED特性偏移补偿和提高输入信号与输出信号的线性度。为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种AMOLED显示像素电流补偿电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、电容CS和OLED；其中，晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连；晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连；晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连；晶体管T6的漏极和OLED相连；晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连；晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连；晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS相连，或晶体管T3的源极与晶体管T5的栅极和晶体管T6的栅极相连后和电容CS相连；晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连；晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连；AMOLED像素驱动电路通过电流补偿作用，提供OLED驱动电流。上述方案中，在显示数据写入模式期间，晶体管T3和晶体管T4导通，AMOLED像素驱动电路通过输入电流信号和改进型电流镜作用，提供电容CS自调节驱动电压，从而得到OLED驱动电流；显示数据保持模式期间，晶体管T3和晶体管T4截止，电容CS没有放电回路，维持其自调节驱动电压，OLED的驱动电流保持不变，显示像素亮度不变。本发明的AMOLED显示像素电流补偿电路，可实现更好的晶体管特性偏移补偿、OLED特性偏移补偿和提高输入信号与输出信号的线性度。优选地，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5及晶体管T6均为N型晶体管；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源地相连；晶体管T2的栅极与漏极相连；OLED的正极和电源VDD相连，OLED的负极和晶体管T6的漏极相连；晶体管T3的源极与晶体管T5的栅极和晶体管T6的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源VDD相连。优选地，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5及晶体管T6均为N型晶体管；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源地相连；晶体管T6的栅极与漏极相连；OLED的正极和电源VDD相连，OLED的负极和晶体管T6的漏极相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源地相连。优选地，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5及晶体管T6均为N型晶体管；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源地相连；OLED的正极和电源VDD相连，OLED的负极和晶体管T6的漏极相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源地相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连后与电源VBISE相连。优选地，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5及晶体管T6均为P型晶体管；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源VDD相连；晶体管T2的栅极与漏极相连；OLED的正极和晶体管T6的漏极相连，OLED的负极和电源地相连；晶体管T3的源极与晶体管T5的栅极和晶体管T6的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源地相连。优选地，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5及晶体管T6均为P型晶体管；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源VDD相连；晶体管T6的栅极与漏极相连；OLED的正极和晶体管T6的漏极相连，OLED的负极和电源地相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源VDD相连。优选地，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5及晶体管T6均为P型晶体管；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源VDD相连；OLED的正极和晶体管T6的漏极相连，OLED的负极和电源地相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源VDD相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连后与电源VBISE相连。优选地，晶体管T1的沟道宽和沟道长之比与晶体管T2的沟道宽和沟道长之比的比值为固定值，且所述固定值等于晶体管T5的沟道宽和沟道长之比与晶体管T6的沟道宽和沟道长之比的比值。这样设置可以克服晶体管沟道长度调制效应影响。优选地，所述晶体管T1和晶体管T2为电流镜像结构，使流经晶体管T1和晶体管T2的电流为线性关系。提供一种AMOLED显示像素电流补偿电路的驱动方法，显示数据写入模式期间，晶体管T3和晶体管T4导通，AMOLED像素驱动电路通过输入电流信号和改进型电流镜作用，提供电容CS自调节驱动电压，从而得到OLED驱动电流；显示数据保持模式期间，晶体管T3和晶体管T4截止，电容CS没有放电回路，维持其自调节驱动电压，OLED的驱动电流保持不变，显示像素亮度不变。上述驱动电路及驱动方法也适用于其它主动发光显示，例如一种LED显示像素驱动电路，是将上述的AMOLED像素驱动电路中的OLED替换为LED。本发明与现有技术相比主要具有如下有益效果：实现了更有效的晶体管特性偏移补偿；实现了更有效的OLED特性偏移补偿；提高了输入信号和输出信号的线性度。附图说明图1是AMOLED像素基础驱动电路，简称“2T-1C”电路。图2是NathanA和SakariyaK等人提出的电流补偿电路。图3(a)，(b)和(c)是本发明提出的三种基于N型晶体管电流补偿电路。图4是本发明提出的N型晶体管电流补偿电路时序图。图5(a)，(b)和(c)是本发明提出的三种基于P型晶体管电流补偿电路。图6是本发明提出的P型晶体管电流补偿电路时序图。具体实施方式为了使本发明专利更好地被技术人员理解，下面结合附图对本发明做进一步说明。实施例1本实施例的电流补偿电路是基于N型晶体管，第一种N型晶体管电流补偿电路，如图3(a)所示，该驱动电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、电容CS和OLED；所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5及晶体管T6均为N型晶体管；所述晶体管T1和晶体管T2为电流镜像结构，使流经晶体管T1和晶体管T2的电流为线性关系；其中，晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连；晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连；晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连；晶体管T6的漏极和OLED相连；晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连；晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连；晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连；晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连；晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源地相连；晶体管T2的栅极和漏极相连；OLED的正极和电源VDD相连，OLED的负极和晶体管T6的漏极相连；晶体管T3的源极与晶体管T5的栅极和晶体管T6的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源VDD相连。AMOLED像素驱动电路通过电流补偿作用，提供OLED驱动电流。如图4所示，是本发明提出的基于N型晶体管电流补偿电路时序图。基于该电流补偿电路的驱动方法为：显示数据写入模式期间，晶体管T3和晶体管T4导通，脉冲电流信号IPULSE目的在小电流状态下缩短输入电流信号IDATA的写入时间，由晶体管饱和电流IDS公式：IDS=μCoxW2L(VGS-VTH)2(1+λVDS)]]>其中，W为沟道宽，L为沟道长；VGS为栅源极之间电压，VTH为阈值电压，VDS为漏源极之间电压,COX为栅极氧化层单位面积电容，μ为导电沟道中的载流子迁移率，λ为沟道长度调制系数。在制备晶体管时，选择晶体管T2和晶体管T1的沟道宽W和沟道长L比值为B，即：WT1LT1:WT2LT2=1:B]]>晶体管T1的源极和栅极分别和晶体管T2的源极和栅极连接一起，即晶体管T1和晶体管T2的栅源极之间电压VGS相等，晶体管T1和晶体管T2的阈值电压VTH相等,所以在同一工艺下，晶体管T1漏极电流和晶体管T2漏极电流比值可化简为：IDS_T1IDS_T2=(1+λVDS_T1)(1+λVDS_T2)·1B]]>其中，λ为沟道长度调制系数,IDS_T1为晶体管T1漏源电流，IDS_T2为晶体管T2漏源电流，VDS_T1为晶体管T1漏源电压，VDS_T2为晶体管T2漏源电压。从上式可知，当VDS_T1和VDS_T2相等才能保证晶体管T2漏极电流和晶体管T1漏极电流比值为B。为此电路加入晶体管T5和晶体管T6,在选择晶体管T5和晶体管T6参数时，使：WT5LT5:WT6LT6=1:B]]>由于晶体管T5和晶体管T6所在的电路回路中电流关系，即晶体管T5和晶体管T6的栅源极之间电压VGS需要相等，晶体管T5和晶体管T6的栅极相连，且晶体管T5源极连接晶体管T1漏极，晶体管T6源极连接晶体管T2漏极，所以得到：VDS_T1＝VDS_T2IDS_T2＝B·IDS_T1从电路回路关系，得：IOLED＝B·IDATA从而可知，OLED电流IOLED和数据输入电流IDATA是线性关系，且不受晶体管沟道长度调制效应影响。以上分析过程可知，基于改进型电流镜的驱动电路相比于基于传统电流镜的驱动电路(图2)的电流镜像关系更精确，克服了晶体管沟道长度调制效应影响。输出电流信号IOLED和输入电流IDATA之间存在线性关系，和器件的参数无关，所以本发明提出的电流补偿电路可实现更好的晶体管和OLED特性偏移补偿效果，提高输入信号与输出信号的线性度。该驱动电路的另外一种解释是像素驱动电路可以作为一种恒流源结构，基于传统电流镜(图2)的电流补偿电路的输出电阻ROUT1为：ROUT1＝rds2其中，rds2为晶体管T2漏源电阻。基于改进型电流镜的电流补偿电路的输出电阻ROUT2为：ROUT2＝rds2·rds6·gm6其中，rds2为晶体管T2漏源电阻，rds6为晶体管T6漏源电阻，gm6为晶体管T6的跨导。恒流源的输出电阻变大抗扰动能力增强，所以基于改进型电流镜的电流补偿电路相比基于传统电流镜的电流补偿电可实现更好的晶体管和OLED特性偏移补偿效果，提高输入信号与输出信号的线性度。显示数据保持模式期间，晶体管T3和晶体管T4截止，电容CS没有放电回路，维持其自调节驱动电压，OLED的驱动电流IOLED保持不变，显示像素亮度不变。从上述显示像素电流补偿电路及其驱动方法原理可知：(1)电流镜的镜像比值B为固定值,OLED的驱动电流IOLED仅受数据输入电流IDATA影响，晶体管特性偏移(阈值电压和载流子迁移率)对OLED驱动电流IOLED影响较小，所以该驱动电路能够补偿晶体管特性偏移。(2)电流镜的镜像比值B为固定值,OLED的驱动电流IOLED仅受数据输入电流IDATA影响，OLED特性偏移对OLED驱动电流IOLED影响较小，所以该驱动电路能够补偿OLED特性偏移。(3)AMOLED显示像素驱动电路的输出电流IOLED和数据输入电流IDATA呈线性关系，线性度为B，所以输入信号与输出信号的线性度较好。基于该电流补偿电路的驱动方法为：显示数据写入模式期间，晶体管T3和晶体管T4导通，AMOLED像素驱动电路通过输入电流信号和改进型电流镜作用，提供电容CS自调节驱动电压，从而得到OLED驱动电流；显示数据保持模式期间，晶体管T3和晶体管T4截止，电容CS没有放电回路，维持其自调节驱动电压，OLED的驱动电流保持不变，显示像素亮度不变。如图3(b)所示，是本发明提出的第二种N型晶体管电流补偿电路，具体的电流补偿电路为：晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连；晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连；晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连；晶体管T6的漏极和OLED相连；晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连；晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连；晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连；晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连；晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源地相连；晶体管T6的栅极与漏极相连；OLED的正极和电源VDD相连，OLED的负极和晶体管T6的漏极相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源地相连。该电路的时序图如图4所示，基于该电流补偿电路的驱动原理及方法与图3(a)相同。如图3(c)所示，是本发明提出的第三种N型晶体管电流补偿电路，具体的电流补偿电路为：晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连；晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连；晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连；晶体管T6的漏极和OLED相连；晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连；晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连；晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连；晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连；晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源地相连；OLED的正极和电源VDD相连，OLED的负极和晶体管T6的漏极相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源地相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连后与电源VBISE相连。其中，电源VBISE为晶体管T5和晶体管T6提供偏置电压。该电路的时序图如图4所示，基于该电流补偿电路的驱动原理及方法与图3(a)相同。实施例2本实施例的电流补偿电路是基于P型晶体管，第一种P型晶体管电流补偿电路，如图5(a)所示，具体的电流补偿电路为：晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连；晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连；晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连；晶体管T6的漏极和OLED相连；晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连；晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连；晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连；晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连；晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源VDD相连；晶体管T2的栅极与漏极相连；OLED的正极和晶体管T6的漏极相连，OLED的负极和电源地相连；晶体管T3的源极与晶体管T5的栅极和晶体管T6的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源地相连。该电路的时序图如图6所示，基于该电流补偿电路的驱动原理及方法与实施例一相同。如图5(b)所示，为第二种P型晶体管电流补偿电路，具体的电流补偿电路为：晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连；晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连；晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连；晶体管T6的漏极和OLED相连；晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连；晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连；晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连；晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连；晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源VDD相连；晶体管T6的栅极与漏极相连；OLED的正极和晶体管T6的漏极相连，OLED的负极和电源地相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源VDD相连。该电路的时序图如图6所示，基于该电流补偿电路的驱动原理及方法与实施例一相同。如图5(c)所示，是本发明提出的第三种P型晶体管电流补偿电路，具体的电流补偿电路为：晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连；晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连；晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连；晶体管T6的漏极和OLED相连；晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连；晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连；晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连；晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连；晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极均与电源VDD相连；OLED的正极和晶体管T6的漏极相连，OLED的负极和电源地相连；晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS的一端相连，电容CS的另一端与电源VDD相连；晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连后与电源VBISE相连。其中，电源VBISE为晶体管T5和晶体管T6提供偏置电压。该电路的时序图如图6所示，基于该电流补偿电路的驱动原理及方法与实施例一相同。本发明的实施方式并不受上述所述的限制，其他任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。