透明显示装置和包括透明显示装置的拼接显示装置的制作方法

透明显示装置和包括透明显示装置的拼接显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求在2020年12月21日提交的韩国专利申请第10-2020-0179716号的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用并入本文，就像在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.一个或多个实施例总体上涉及一种透明显示装置和包括透明显示装置的拼接显示装置。


背景技术：

4.显示装置是被配置为在屏幕上显示图像的装置，并且可以包括例如液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)显示器等。这样的显示装置用在各种电子装置(例如，便携式电话、导航系统、数码相机、电子书、便携式游戏装置、各种终端等)中。
5.显示装置可以包括其中显示图像的显示区域和其中不显示图像的外围区域。多个像素可以在行方向和列方向上设置在显示区域中。在每个像素内，可以设置诸如晶体管和电容器的各种器件以及可以将信号供应给这些器件的各种布线。传输电信号以驱动这些像素的各种布线、扫描驱动器、数据驱动器和控制器等可以设置在外围区域中。
6.尽管减小外围区域的尺寸和扩大显示区域的需求正在增加，但是至少因为在实现高分辨率和高速驱动的工艺中驱动器占用的面积正在增大，所以难以减小外围区域的尺寸。
7.本部分公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

8.一个或多个实施例能够提供一种其显示区域被扩大的透明显示装置。
9.一个或多个实施例能够提供一种包括其显示区域被扩大的透明显示装置的拼接显示装置。
10.另外的方面将在随后的详细描述中阐述，并且部分地将通过本公开而显而易见，或者可以通过本发明构思的实践来学习。
11.根据实施例，一种透明显示装置包括基板、主发光二极管、主透射区、子发光二极管、子透射区和驱动电路。基板包括主显示区域和与主显示区域相邻的外围区域。主发光二极管设置在主显示区域中。主透射区设置在主显示区域中并且与主发光二极管相邻。子发光二极管设置在外围区域中。子透射区设置在外围区域中并且与子发光二极管相邻。驱动电路设置在外围区域中，并且在平面图中与子发光二极管重叠。
12.根据实施例，一种拼接显示装置包括在平面图中至少部分地彼此重叠的第一显示面板和第二显示面板。第一显示面板和第二显示面板中的每一个包括基板、主发光二极管、
主透射区、子发光二极管、子透射区和驱动电路。基板包括主显示区域以及与主显示区域相邻的外围区域。主发光二极管设置在主显示区域中。主透射区设置在主显示区域中并且与主发光二极管相邻。子发光二极管设置在外围区域中。子透射区设置在外围区域中并且与子发光二极管相邻。驱动电路设置在外围区域中，并且在平面图中与子发光二极管重叠。
13.前面的一般描述和以下的详细描述是说明性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
14.被包括来提供对本发明构思的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明构思的实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。
15.图1是根据实施例的显示装置的示意性俯视图。
16.图2是根据实施例的沿图1的截面线ii-ii’截取的示意性截面图。
17.图3是根据实施例的图1的显示装置的主显示区域的一部分的示意性俯视图。
18.图4是根据实施例的图1的显示装置的主显示区域的示意性截面图。
19.图5是根据实施例的图1的显示装置的外围区域的一部分的示意性俯视图。
20.图6是根据实施例的图1的显示装置的外围区域的示意性截面图。
21.图7是根据实施例的图1的显示装置的示意性电路图。
22.图8是根据实施例的显示装置的示意性俯视图。
23.图9在根据实施例的分离视图中示出图8的显示装置。
24.图10是根据实施例的图8的显示装置的一部分的示意性俯视图。
25.图11示出根据实施例的与图8的显示装置分离的部分。
26.图12是根据实施例的图8的显示装置的示意性俯视图。
27.图13示出根据实施例的图8的显示装置的分离部分。
28.图14、图15和图16是根据一些实施例的图8的显示装置的一部分的示意性俯视图。
具体实施方式
29.在下面的描述中，出于说明的目的，阐述许多特定细节，以便提供对各种实施例的透彻理解。如本文所使用的，术语“实施例”和“实施方式”可以互换使用，并且是采用本文所公开的本发明构思中的一个或多个的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践各种实施例。在其他实例中，以框图形式示出公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，可以在另一实施例中使用或实现实施例的特定形状、配置和特性。
30.除非另有说明，否则所示出的实施例应被理解为提供一些实施例的不同细节的示例特征。因此，除非另有说明，否则各种图示的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(下文中单独地或统称为“元件”)可以在不脱离本发明构思的情况下，以其他方式组合、分离、互换和/或重新布置。
31.附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用于使相邻元件之间的边界变得清楚。因此，除非指定，否则交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或指示针对特定材料、
材料性质、尺寸、比例、图示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。因此，各个元件的尺寸和相对尺寸不一定限于图中所示的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
32.当诸如层的元件被称为“在另一元件上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上、连接到或耦接到另一元件，或者可以存在居间的元件。然而，当元件被称为“直接在另一元件上”、“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件时，没有居间的元件。此外，在整个说明书中，词语“在目标元件上”将被理解为意指定位在目标元件的上方或下方，并且将不一定被理解为意指基于与重力方向相反的方向定位“在上侧”。另外，在整个说明书中，短语“在平面上”意指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”意指通过从侧面垂直切割目标部分形成的截面。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语应当以类似的方式解释，例如，“在
……
之间”与“直接在
……
之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在
……
上”与“直接在
……
上”，等等。此外，术语“连接”可以指物理、电气和/或流体连接。出于本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或x、y和z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如xyz、xyy、yz和zz。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
33.尽管本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
34.本文可能将诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语用于描述性目的，并由此描述如附图所示的一个元件与另一个(一些)元件或特征的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的定向之外的使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的两个定向。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并因此，本文使用的空间相对描述语应相应地解释。
35.本文使用的术语用于描述一些实施例的目的，并不旨在限制。如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”及其变体指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组。还应注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且因此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。
36.本文参考作为理想实施例和/或中间结构的示意图的截面图、等距视图、透视图、平面图和/或分解图示描述各种实施例。因此，可预期作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施例不应被解释为限于区域的特定示出的形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差。为了这个目的，附图中示出的区域本质上可以是示
意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，并因此，不旨在限制。
37.除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非本文明确地如此定义，否则诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且将不会以理想化或过于正式的意义来解释。
38.按照本领域的惯例，在附图中根据功能块、单元和/或模块描述和示出一些实施例。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块由可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的、诸如逻辑电路、分立元件、微处理器、硬连线电路、存储元件和布线连接等的电子(或光)电路物理地实现。在块、单元和/或模块由微处理器或其他类似硬件实现的情况下，其可以使用软件(例如，微码)来编程和控制以执行本文讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件驱动。还预期，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者可以被实现为用于执行一些功能的专用硬件和用于执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关联的电路)的组合。而且，在不脱离本发明构思的情况下，一些实施例的每个块、单元和/或模块可以物理地分离成两个或更多个交互并且分立的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本发明构思的情况下，一些实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
39.在下文中，将参考附图详细说明各种实施例。
40.首先，参考图1和图2，将描述根据实施例的显示装置。
41.图1是根据实施例的显示装置的示意性俯视图。图2是根据实施例的沿图1的截面线ii-ii’截取的截面图。
42.如图1中所示，根据实施例的显示装置1000包括基板110以及设置在基板110上的发光二极管med和sed。
43.基板110包括主显示区域da以及与主显示区域da相邻(例如，在主显示区域da外部)的外围区域pa。
44.主显示区域da可以设置在显示装置1000的中心(或中央)部分，并且可以被形成为近似四边形的形状。然而，主显示区域da的形状不限于此，并且可以不同地修改。
45.外围区域pa可以具有围绕主显示区域da的形状。例如，外围区域pa可以设置在显示装置1000的外边缘部分中(或周围)。
46.发光二极管med和sed可以发射预定光。例如，发光二极管med和sed可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的至少一种的光。显示装置1000可以通过从发光二极管med和sed发射的光来显示图像。发光二极管med和sed可以包括主发光二极管med和子发光二极管sed。主发光二极管med可以设置在主显示区域da中，并且子发光二极管sed可以设置在外围区域pa中。在一些实施例中，显示装置1000可以包括多个主发光二极管med和多个子发光二极管sed。多个主发光二极管med可以在主显示区域da中沿行方向和列方向布置，并且多个子发光二极管sed可以在外围区域pa中在行方向和列方向上布置。主发光二极管med和子发光二极管sed的尺寸可以彼此相同或不同。例如，子发光二极管sed可以大于主发光二极管med。每单位面积的主发光二极管med的数量和每单位面积的子发光二极管sed的数量可以彼此相同或不同。例如，每单位面积的子发光二极管sed的数量可以小于每单位面积的主发光二极管med的数量。主显示区域da的分辨率和外围区域pa的分辨率可以彼此相同或不同。例
如，主显示区域da的分辨率可以高于外围区域pa的分辨率。主显示区域da和外围区域pa的布置形式、尺寸和分辨率不限于此，并且各种变化是预期的。
47.根据一些实施例的显示装置1000可以进一步包括设置在基板110上的像素电路mpc和spc。像素电路mpc和spc可以包括主像素电路mpc和子像素电路spc。根据一些实施例的显示装置1000可以包括多个主像素电路mpc和多个子像素电路spc。如在图2中所见，主像素电路mpc实质上指示多个主像素电路mpc在行方向和列方向上布置的区域，并且子像素电路spc实质上指示多个子像素电路spc在行方向和列方向上布置的区域。多个像素电路mpc和spc的布置形式不受特别限制，并且可以以各种形式布置。主像素电路mpc可以设置在主显示区域da中，并且子像素电路spc可以设置在外围区域pa中。像素电路mpc和spc中的每一个可以连接到发光二极管med和sed中的一个。主像素电路mpc可以连接到主发光二极管med，并且子像素电路spc可以连接到子发光二极管sed。一个主像素电路mpc的尺寸和一个子像素电路spc的尺寸可以相同或不同。例如，一个子像素电路spc的尺寸可以大于一个主像素电路mpc的尺寸。
48.根据一些实施例的显示装置1000可以进一步包括设置在基板110上的驱动电路dr。驱动电路dr可以包括多个驱动器和信号布线。例如，驱动电路dr可以包括扫描驱动器、数据驱动器、驱动电压供应线、公共电压供应线以及与它们连接的信号传输布线。扫描驱动器生成扫描信号并且通过扫描线将扫描信号传输到像素电路mpc和spc。数据驱动器生成数据信号并且通过数据线将数据信号传输到像素电路mpc和spc。驱动电压供应线将驱动电压传输到像素电路mpc和spc。公共电压供应线将公共电压传输到发光二极管med和sed的电极。驱动电路dr可以设置在外围区域pa中。驱动电路dr可以不与子像素电路spc重叠。子像素电路spc可以设置在驱动电路dr与主像素电路mpc之间。
49.在主显示区域da中，主像素电路mpc可以连接到设置在主像素电路mpc上的主发光二极管med。在这种情况下，主发光二极管med的发光区域可以与和该主发光二极管med连接的主像素电路mpc重叠。主显示区域da是主发光二极管med发射光的区域。
50.在外围区域pa中，子像素电路spc可以连接到与该子像素电路spc相距预定间隔的子发光二极管sed。在这种情况下，子发光二极管sed的发光区域可以不与连接到该子发光二极管sed的子像素电路spc重叠。子发光二极管sed的发光区域可以不与连接到该子发光二极管sed的子像素电路spc重叠，并且可以与驱动电路dr重叠。子发光二极管sed中的一些的发光区域可以与连接到这些子发光二极管sed的子像素电路spc重叠。外围区域pa是子发光二极管sed发射光的区域。
51.在一般的显示装置中，像素电路和发光二极管设置在显示区域中，驱动电路设置在围绕显示区域的外围区域中，并且像素电路和发光二极管不设置在外围区域中。因此，不从设置驱动电路的外围区域发射光，并且形成死区(例如，边框区域)。在根据一些实施例的显示装置1000中，子发光二极管sed设置在外围区域pa中并且因此发射光，并且从而可以扩大显示图像的区域。例如，由于子发光二极管sed设置在驱动电路dr上，因此可以减小死区，并且以此方式可以减小边框区域。
52.根据一些实施例的显示装置1000可以被形成为透明显示装置。因此，根据一些实施例的显示装置1000可以包括透射区。在下文中，参考图3至图6，将更详细地描述根据一些实施例的显示装置的透射区、发光二极管的布置形式和每个像素电路与发光二极管之间的
连接关系。
53.图3是根据实施例的图1的显示装置的主显示区域的一部分的示意性俯视图。图4是根据实施例的图1的显示装置的主显示区域的示意性截面图。图5是根据实施例的图1的显示装置的外围区域的一部分的示意性俯视图。图6是根据实施例的图1的显示装置的外围区域的示意性截面图。
54.首先，如图3中所示，主像素组mpgr可以设置在根据一些实施例的显示装置的主显示区域da中。多个主像素组mpgr可以在主显示区域da中沿行方向和列方向布置。
55.每个主像素组mpgr可以包括多个主发光二极管med和一个主透射区mtr。然而，这不是限制性的，并且构成主像素组mpgr的主发光二极管med和主透射区mtr的数量可以不同地改变。例如，每个主像素组mpgr可以包括一个主发光二极管med和一个主透射区mtr。作为另一示例，每个主像素组mpgr可以包括多个主发光二极管med和多个主透射区mtr。
56.每个主像素组mpgr可以包括六个主发光二极管med。例如，一个主像素组mpgr可以包括两个第一颜色主发光二极管medr、两个第二颜色主发光二极管medg和两个第三颜色主发光二极管medb。第一颜色主发光二极管medr可以显示红色，第二颜色主发光二极管medg可以显示绿色，并且第三颜色主发光二极管medb可以显示蓝色。然而，这仅是示例，并且每个主发光二极管med显示的光的颜色可以不同地改变。主透射区mtr可以设置在主像素组mpgr的左区中，并且第一颜色主发光二极管medr、第二颜色主发光二极管medg和第三颜色主发光二极管medb可以在右区中在列方向上交替布置。主透射区mtr的尺寸可以大于六个主发光二极管med的整个尺寸。然而，这不是限制性的，并且主透射区mtr、第一颜色主发光二极管medr、第二颜色主发光二极管medg和第三颜色主发光二极管medb的布置形状和尺寸可以不同地改变。
57.如图4中所示，根据一些实施例的显示装置1000的主发光二极管med的发光区域与和主发光二极管med连接的主像素电路mpc重叠。
58.主像素电路mpc可以包括其中每一个都设置在基板110上的半导体1130、栅电极1151、源电极1173和漏电极1175。
59.基板110可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。基板110可以包括可以弯曲、折叠或扭曲等的柔性材料，并且可以是单层或多层的。
60.缓冲层111可以设置在基板110上。缓冲层111可以具有单层或多层结构。缓冲层111可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机绝缘材料和有机绝缘材料。可以省略缓冲层111。另外，阻挡层可以设置在基板110与缓冲层111之间。阻挡层可以具有单层或多层结构。阻挡层可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机绝缘材料和有机绝缘材料。
61.包括主像素电路mpc的半导体1130的半导体层可以设置在缓冲层111上。半导体1130可以包括第一区1131、沟道1132和第二区1133。第一区1131和第二区1133可以设置在主像素电路mpc的半导体1130的沟道1132的相对侧。主像素电路mpc的半导体1130可以包括半导体材料，例如非晶硅、多晶硅和/或氧化物半导体等。
62.栅绝缘层140可以设置在主像素电路mpc的半导体1130上。栅绝缘层140可以具有
单层或多层结构。栅绝缘层140可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种。
63.包括主像素电路mpc的栅电极1151等的栅导电层可以设置在栅绝缘层140上。主像素电路mpc的栅电极1151可以与半导体1130的沟道1132重叠。栅导电层可以具有单层或多层结构。栅导电层可以包括金属材料，例如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)。在形成栅导电层之后，可以进行掺杂工艺或等离子体处理。半导体层的被栅导电层覆盖的部分不掺杂或不经历等离子体处理，并且半导体层的未被栅导电层覆盖的部分被掺杂或经历等离子体处理，并且因此，该部分可以具有与导体相同的特性。
64.层间绝缘层160可以设置在主像素电路mpc的栅电极1151上。层间绝缘层160可以具有单层或多层结构。层间绝缘层160可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料中的至少一种。
65.包括主像素电路mpc的源电极1173和漏电极1175的第一数据导电层可以设置在层间绝缘层160上。第一数据导电层可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)。
66.层间绝缘层160可以包括与主像素电路mpc的源电极1173和半导体1130的第一区1131重叠的开口1161。主像素电路mpc的源电极1173可以通过开口1161连接到半导体1130的第一区1131。层间绝缘层160可以包括与主像素电路mpc的漏电极1175和半导体1130的第二区1133重叠的开口1162。主像素电路mpc的漏电极1175可以通过开口1162连接到半导体1130的第二区1133。
67.第一保护层181和第二保护层182可以顺序地设置在主像素电路mpc的源电极1173和漏电极1175上。第一保护层181和第二保护层182可以包括有机绝缘材料，例如，诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、酰亚胺聚合物、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物和硅氧烷类聚合物中的至少一种。
68.包括连接电极1177的第二数据导电层可以设置在第一保护层181与第二保护层182之间。第一保护层181可以包括与连接电极1177和漏电极1175重叠的开口1185。连接电极1177可以通过开口1185连接到漏电极1175。
69.连接到主像素电路mpc的主发光二极管med可以设置在第二保护层182上。主发光二极管med可以包括像素电极1191、发光二极管层1370和公共电极270。
70.主发光二极管med的像素电极1191可以设置在第二保护层182上。第二保护层182可以包括与像素电极1191和连接电极1177重叠的开口1186。主发光二极管med的像素电极1191可以通过开口1186连接到连接电极1177。连接电极1177可以连接漏电极1175和像素电极1191。然而，实施例不限于此，并且在一些实施例中，漏电极1175和像素电极1191可以在没有连接电极的情况下直接连接。
71.分隔壁350可以设置在主发光二极管med的像素电极1191上。像素开口1351可以形成在分隔壁350中，并且分隔壁350的像素开口1351可以与像素电极1191重叠。
72.主发光二极管med的发光二极管层1370可以设置在分隔壁350的像素开口1351中。发光二极管层1370可以与像素电极1191重叠。
73.公共电极270可以设置在发光二极管层1370和分隔壁350上。
74.主发光二极管med主要在像素电极1191、发光二极管层1370和公共电极270重叠的
区域中发光，并且主发光二极管med的发光区域可以与连接到该主发光二极管med的主像素电路mpc重叠。
75.主发光二极管med和主像素电路mpc可以不设置在主透射区mtr中。主透射区mtr是透明区，并且是外部光可以透射穿过的区域。根据一些实施例的显示装置1000的主显示区域da可以通过主透射区mtr被透明地识别。半导体层、栅导电层、第一数据导电层、第二数据导电层、像素电极1191、发光二极管层1370和公共电极270可以不设置在主透射区mtr中。根据情况，半导体层、栅导电层、第一数据导电层、第二数据导电层、像素电极1191、发光二极管层1370和公共电极270中的一些可以设置在主透射区mtr中。缓冲层111、栅绝缘层140、层间绝缘层160、第一保护层181、第二保护层182和分隔壁350中的一些可以不设置在主透射区mtr中。由于设置在主透射区mtr中的层的数量被最小化，因此可以提高根据一些实施例的显示装置1000的透明度。
76.接下来，如图5中所示，子像素组spgr可以设置在根据一些实施例的显示装置1000的外围区域pa中。多个子像素组spgr可以在外围区域pa中沿行方向和列方向布置。
77.子像素组spgr中的每一个可以包括多个子发光二极管sed和一个子透射区str。然而，实施例不限于此，并且构成子像素组spgr的子发光二极管sed和子透射区str的数量可以不同地改变。例如，每个子像素组spgr可以包括一个子发光二极管sed和一个子透射区str。作为另一示例，每个子像素组spgr可以包括多个子发光二极管sed和多个子透射区str。
78.每个子像素组spgr可以包括三个子发光二极管sed。例如，一个子像素组spgr可以包括一个第一颜色子发光二极管sedr、一个第二颜色子发光二极管sedg和一个第三颜色子发光二极管sedb。第一颜色子发光二极管sedr可以显示红色，第二颜色子发光二极管sedg可以显示绿色，并且第三颜色子发光二极管sedb可以显示蓝色。然而，这仅是示例，并且每个子发光二极管sed显示的光的颜色可以不同地改变。子透射区str可以设置在子像素组spgr的左区中，并且第一颜色子发光二极管sedr、第二颜色子发光二极管sedg和第三颜色子发光二极管sedb可以在右区中沿列方向交替布置。子透射区str的尺寸可以大于三个子发光二极管sed的整个尺寸。然而，实施例不限于此，并且子透射区str、第一颜色子发光二极管sedr、第二颜色子发光二极管sedg和第三颜色子发光二极管sedb的布置形状和尺寸可以不同地改变。
79.驱动电路dr可以设置在根据一些实施例的显示装置1000的外围区域pa中。驱动电路dr可以与子发光二极管sed重叠。一个子像素组spgr可以与两个驱动电路dr重叠。例如，第一颜色子发光二极管sedr可以与两个驱动电路dr中的一个重叠，第三颜色子发光二极管sedb可以与两个驱动电路dr中的另一个重叠，并且第二颜色子发光二极管sedg可以与两个驱动电路dr的边缘和两个驱动电路dr之间的区域重叠。然而，这仅是示例，并且驱动电路dr与子发光二极管sed之间的重叠关系可以不同地改变。
80.在外围区域pa中，子发光二极管sed可以连接到相距预定间隔的子像素电路spc。在这种情况下，子发光二极管sed可以包括顺序地堆叠的阳极、发射层和阴极并且可以通过从阳极延伸的延长线ex连接到子像素电路spc。在这种情况下，延长线ex可以绕开以不经过子透射区str。例如，在平面上，延长线ex可以设置在子透射区str的上方或下方而不与子透射区str重叠。例如，从第一颜色子发光二极管sedr延伸的延长线ex可以经过子透射区str
上方。从第二颜色子发光二极管sedg和第三颜色子发光二极管sedb延伸的延长线ex可以经过子透射区str下方。然而，这仅是示例，并且延长线ex的位置可以不同地改变。
81.如图6中所示，根据一些实施例的显示装置1000的子发光二极管sed的发光区域可以不与和子发光二极管sed连接的子像素电路spc重叠。在图6中，未示出驱动电路dr，并且子发光二极管sed可以与驱动电路dr重叠。
82.子像素电路spc可以包括其中每一个都设置在基板110上的半导体2130、栅电极2151、源电极2173和漏电极2175。
83.缓冲层111可以设置在基板110上，并且子像素电路spc的半导体2130可以设置在缓冲层111上。子像素电路spc的半导体2130可以设置在半导体层中。
84.栅绝缘层140可以设置在子像素电路spc的半导体2130上，并且子像素电路spc的栅电极2151可以定位在栅绝缘层140上。子像素电路spc的栅电极2151可以设置在栅导电层中。子像素电路spc的栅电极2151可以与半导体2130的沟道2132重叠。
85.层间绝缘层160可以设置在子像素电路spc的栅电极2151上，并且子像素电路spc的源电极2173和漏电极2175可以设置在层间绝缘层160上。子像素电路spc的源电极2173和漏电极2175可以设置在第一数据导电层中。
86.层间绝缘层160可以包括与子像素电路spc的源电极2173和半导体2130的第一区2131重叠的开口2161。子像素电路spc的源电极2173可以通过开口2161连接到半导体2130的第一区2131。层间绝缘层160可以包括与子像素电路spc的漏电极2175和半导体2130的第二区2133重叠的开口2162。子像素电路spc的漏电极2175可以通过开口2162连接到半导体2130的第二区2133。
87.第一保护层181和第二保护层182可以顺序地堆叠在子像素电路spc的源电极2173和漏电极2175上。连接电极2177可以设置在第一保护层181与第二保护层182之间。子像素电路spc的连接电极2177可以设置在第二数据导电层中。第一保护层181可以包括与连接电极2177和漏电极2175重叠的开口2185。连接电极2177可以通过开口2185连接到漏电极2175。
88.与子像素电路spc连接的子发光二极管sed可以设置在第二保护层182上。子发光二极管sed可以包括像素电极2191、发光二极管层2370和公共电极270。
89.子发光二极管sed的像素电极2191可以设置在第二保护层182上。子发光二极管sed的像素电极2191可以包括延长线ex。第二保护层182可以包括与像素电极2191的延长线ex和连接电极2177重叠的开口2186。子发光二极管sed的像素电极2191的延长线ex可以通过开口2186连接到连接电极2177。连接电极2177可以连接漏电极2175和像素电极2191。然而，这不是限制性的，并且根据一些实施例，漏电极2175和像素电极2191可以在没有连接电极的情况下直接连接。
90.分隔壁350可以设置在子发光二极管sed的像素电极2191上。像素开口2351形成在分隔壁350中，并且分隔壁350的像素开口2351可以与像素电极2191重叠。
91.子发光二极管sed的发光二极管层2370可以设置在分隔壁350的像素开口2351中。发光二极管层2370可以与像素电极2191重叠。
92.公共电极270可以设置在发光二极管层2370和分隔壁350上。子发光二极管sed的公共电极270和主发光二极管med的公共电极270可以一体地形成，并且可以设置在基板110
上的大部分区域中。然而，公共电极270可以不设置在主透射区mtr和子透射区str中。
93.子发光二极管sed主要在像素电极2191、发光二极管层2370和公共电极270重叠的区域中发光，并且子发光二极管sed的发光区域可以不与连接到该子发光二极管sed的子像素电路spc重叠。像素电极2191的延长线ex的长度随着子发光二极管sed与子像素电路spc之间的距离的增加而更长。
94.子发光二极管sed和子像素电路spc可以不设置在子透射区str中。子透射区str是透明区，并且是外部光可以透射穿过的区域。根据一些实施例的显示装置1000的外围区域pa可以在子透射区str中被透明地识别。半导体层、栅导电层、第一数据导电层、第二数据导电层、像素电极2191、发光二极管层2370和公共电极270可以不设置在子透射区str中。根据情况，半导体层、栅导电层、第一数据导电层、第二数据导电层、像素电极2191、发光二极管层2370和公共电极270中的一些可以设置在子透射区str中。缓冲层111、栅绝缘层140、层间绝缘层160、第一保护层181、第二保护层182和分隔壁350中的一些可以不设置在子透射区str中。由于设置在子透射区str中的层的数量被最小化，因此可以提高根据一些实施例的显示装置1000的透明度。
95.在根据一些实施例的显示装置1000中，由于设置驱动电路dr的外围区域pa包括子透射区str，因此可以透明地识别外围区域pa。例如，根据一些实施例的显示装置1000可以实现完全(或基本上完全)透明的透明显示装置。另外，由于子发光二极管sed设置在外围区域pa中的驱动电路dr上，因此外围区域pa在发光的同时可以是透明的。以此方式，可以最小化(或至少减小)边框区域。
96.在上文中，已经描述了像素电路mpc和spc中的每一个中包括的晶体管中的一个与发光二极管med和sed之间的连接关系，但是像素电路mpc和spc中的每一个可以包括多个晶体管。在下文中，将参考图7更详细地描述像素电路mpc和spc中的每一个中包括的多个晶体管。
97.图7是根据一些实施例的图1的显示装置的电路图。
98.如图7中所示，根据一些实施例的显示装置1000的一个像素px包括连接到多条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、存储电容器cst、升压电容器cbt和发光二极管led。
99.一个像素px连接到多条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741。多条布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
100.第一扫描信号线151连接到栅驱动器，并且将第一扫描信号gw传输到第二晶体管t2。第二扫描信号线152可以以与第一扫描信号线151的信号的时序相同的时序被施加以极性与施加到第一扫描信号线151的电压的极性相反的电压。例如，当负电压被施加到第一扫描信号线151时，正电压可以被施加到第二扫描信号线152。第二扫描信号线152将第二扫描信号gc传输到第三晶体管t3。
101.初始化控制线153将初始化控制信号gi传输到第四晶体管t4。旁路控制线154将旁路信号gb传输到第七晶体管t7。旁路控制线154可以以前一级的第一扫描信号线151形成。发光控制线155将发光控制信号em传输到第五晶体管t5和第六晶体管t6。
102.数据线171是传输从数据驱动器生成的数据电压data的布线，并且从发光二极管led发射的光的亮度根据施加到像素px的数据电压data而改变。
103.驱动电压线172施加驱动电压elvdd。第一初始化电压线127传输第一初始化电压vint，并且第二初始化电压线128传输第二初始化电压aint。公共电压线741将公共电压elvss施加到发光二极管led的阴极。在一些实施例中，驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741可以分别被施加以恒定电压。
104.在下文中，将更详细地描述多个晶体管的结构和连接关系。
105.驱动晶体管t1可以具有p型晶体管特性，并且可以包括多晶半导体。驱动晶体管t1是根据施加到驱动晶体管t1的栅电极的数据电压data来调节输出到发光二极管led的阳极的驱动电流的强度的晶体管。由于发光二极管led的亮度根据输出到发光二极管led的阳极的驱动电流的强度而调整，因此发光二极管led的亮度可以根据施加到像素px的数据电压data而调整。为此，驱动晶体管t1的第一电极被布置为接收驱动电压elvdd，并且因此经由第五晶体管t5连接到驱动电压线172。另外，驱动晶体管t1的第一电极连接到第二晶体管t2的第二电极，并且因此接收数据电压data。驱动晶体管t1的第二电极被设置为能够向发光二极管led输出驱动电流，并且因此经由第六晶体管t6连接到发光二极管led的阳极。另外，驱动晶体管t1的第二电极将施加到第一电极的数据电压data传输到第三晶体管t3。驱动晶体管t1的栅电极连接到存储电容器cst的一个电极(在下文中，称为第二存储电极)。因此，驱动晶体管t1的栅电极的电压根据存储电容器cst中存储的电压而改变，并且因此，从驱动晶体管t1输出的驱动电流被改变。另外，存储电容器cst还用于在一帧期间保持驱动晶体管t1的电压恒定。
106.第二晶体管t2可以具有p型晶体管特性，并且可以包括多晶半导体。第二晶体管t2是将数据电压data接收到像素px中的晶体管。第二晶体管t2的栅电极连接到第一扫描信号线151和升压电容器cbt的一个电极(在下文中，称为下升压电极)。第二晶体管t2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管t2的第二电极连接到驱动晶体管t1的第一电极。当第二晶体管t2被通过第一扫描信号线151传输的第一扫描信号gw中的负电压导通时，通过数据线171传输的数据电压data被传输到驱动晶体管t1的第一电极。
107.第三晶体管t3可以具有n型晶体管特性，并且可以包括氧化物半导体。第三晶体管t3电连接驱动晶体管t1的第二电极和驱动晶体管t1的栅电极。因此，第三晶体管t3是将经过驱动晶体管t1从数据电压data改变的补偿电压传输到存储电容器cst的第二存储电极的晶体管。第三晶体管t3的栅电极连接到第二扫描信号线152，并且第三晶体管t3的第一电极连接到驱动晶体管t1的第二电极。第三晶体管t3的第二电极连接到存储电容器cst的第二存储电极、驱动晶体管t1的栅电极和升压电容器cbt的另一电极(在下文中，称为上升压电极)。第三晶体管t3由通过第二扫描信号线152传输的第二扫描信号gc的正电压导通，并且因此连接驱动晶体管t1的栅电极和驱动晶体管t1的第二电极，并且将施加到驱动晶体管t1的栅电极的电压传输到存储电容器cst的第二存储电极，从而将该电压存储在存储电容器cst中。
108.第四晶体管t4可以具有n型晶体管特性，并且可以包括氧化物半导体。第四晶体管t4可以用于初始化驱动晶体管t1的栅电极和存储电容器cst的第二存储电极。第四晶体管t4的栅电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管t4的第一电极连接到第一初始化电
压线127。第四晶体管t4的第二电极经由第三晶体管t3的第二电极连接到存储电容器cst的第二存储电极、驱动晶体管t1的栅电极和升压电容器cbt的上升压电极。第四晶体管t4由通过初始化控制线153传输的初始化控制信号gi中的正电压导通，并且在这种情况下，第四晶体管t4将第一初始化电压vint传输到驱动晶体管t1的栅电极和存储电容器cst的第二存储电极。因此，驱动晶体管t1的栅电极的电压和存储电容器cst被初始化。
109.第五晶体管t5可以具有p型晶体管特性，并且可以包括多晶半导体。第五晶体管t5用于将驱动电压elvdd传输到驱动晶体管t1。第五晶体管t5的栅电极连接到发光控制线155，第五晶体管t5的第一电极连接到驱动电压线172，并且第五晶体管t5的第二电极连接到驱动晶体管t1的第一电极。
110.第六晶体管t6可以具有p型晶体管特性，并且可以包括多晶半导体。第六晶体管t6用于将从驱动晶体管t1输出的驱动电流传输到发光二极管led。第六晶体管t6的栅电极连接到发光控制线155，第六晶体管t6的第一电极连接到驱动晶体管t1的第二电极，并且第六晶体管t6的第二电极连接到发光二极管led的阳极。
111.第七晶体管t7可以具有p型晶体管特性，并且可以包括多晶半导体。第七晶体管t7用于初始化发光二极管led的阳极。第七晶体管t7的栅电极连接到旁路控制线154，第七晶体管t7的第一电极连接到发光二极管led的阳极，并且第七晶体管t7的第二电极连接到第二初始化电压线128。当第七晶体管t7被旁路信号gb中的负电压导通时，第二初始化电压aint被施加到发光二极管led的阳极，并且因此发光二极管led的阳极被初始化。
112.在以上描述中，已经描述了一个像素px包括七个晶体管t1至t7、一个存储电容器cst和一个升压电容器cbt，但是实施例不限于此，并且晶体管的数量、电容器的数量以及它们之间的连接关系可以不同地修改。
113.在一些实施例中，驱动晶体管t1可以包括多晶半导体。另外，第三晶体管t3和第四晶体管t4可以包括氧化物半导体。第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可以包括多晶半导体。然而，这不是限制性的，并且第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的至少一个可以包括氧化物半导体。另外，所有多个晶体管可以包括多晶半导体。
114.接下来，参考图8至图13，将描述根据一些实施例的显示装置。
115.结合图8至图13描述的显示装置1001与结合图1至图7描述的显示装置1000几乎相同，并且因此，将省略对相同部分的描述。根据一些实施例的显示装置1001与显示装置1000的不同之处在于，显示装置1001被形成为其中连接多个显示面板的拼接显示装置，并且这将在下文中更详细地描述。
116.图8是根据实施例的显示装置的示意性俯视图。图9在根据实施例的分离视图中示出图8的显示装置。图10是根据实施例的图8的显示装置的一部分的示意性俯视图。图11示出根据实施例的与图8的显示装置分离的部分。图12是根据实施例的图8的显示装置的示意性俯视图。图13示出根据实施例的图8的显示装置的分离部分。
117.如图8和图9中所示，根据实施例的显示装置1001可以包括多个显示面板1100和1200。多个显示面板1100和1200可以包括第一显示面板1100和第二显示面板1200。第一显示面板1100和第二显示面板1200可以彼此重叠(或者可以共享公共区域)。第一显示面板1100的边缘和第二显示面板1200的边缘可以彼此重叠。
118.第一显示面板1100可以包括第一基板1110、第一主像素组mpgr1和第一子像素组spgr1，并且第一主像素组mpgr1和第一子像素组spgr1可以设置在第一基板1110上。第一基板1110包括第一主显示区域da1和围绕第一主显示区域da1的第一外围区域pa1。在第一主显示区域da1中，多个第一主像素组mpgr1可以沿行方向和列方向布置。在第一外围区域pa1中，多个第一子像素组spgr1可以在行方向和列方向上布置。
119.第二显示面板1200可以包括第二基板1210以及设置在第二基板1210上的第二主像素组mpgr2和第二子像素组spgr2。第二基板1210包括第二主显示区域da2和围绕第二主显示区域da2的第二外围区域pa2。在第二主显示区域da2中，多个第二主像素组mpgr2可以沿行方向和列方向布置。在第二外围区域pa2中，多个第二子像素组spgr2可以沿行方向和列方向布置。
120.第一显示面板1100和第二显示面板1200可以彼此重叠，并且在这种情况下，第一显示面板1100的第一外围区域pa1和第二显示面板1200的第二外围区域pa2可以彼此部分地重叠。例如，设置在第一显示面板1100的右边缘处的第一外围区域pa1和设置在第二显示面板1200的左边缘处的第二外围区域pa2可以彼此重叠。第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2可以在第一显示面板1100和第二显示面板1200的重叠部分中彼此重叠。
121.在下文中，将参考图10和图11更详细地描述第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2的重叠形式。图10示出一个第一子像素组spgr1和一个第二子像素组spgr2的重叠状态，并且图11分离地示出第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2。
122.如图10和图11中所示，第一子像素组spgr1可以包括第一子发光二极管sed1和第一子透射区str1。第一子像素组spgr1可以包括多个第一子发光二极管sed1。例如，第一子像素组spgr1可以包括两个红色第一子发光二极管sedr1、两个绿色第一子发光二极管sedg1和两个蓝色第一子发光二极管sedb1。然而，由第一子发光二极管sed1显示的颜色不限于红色、绿色和蓝色，并且可以不同地修改。多个第一子发光二极管sed1可以设置在第一子像素组spgr1的左上区和右上区。例如，一个红色第一子发光二极管sedr1、一个绿色第一子发光二极管sedg1和一个蓝色第一子发光二极管sedb1可以顺序地设置在第一子像素组spgr1的左上区中。另外，一个红色第一子发光二极管sedr1、一个绿色第一子发光二极管sedg1和一个蓝色第一子发光二极管sedb1可以顺序地设置在第一子像素组spgr1的右上区中。第一子透射区str1可以设置在不与第一子发光二极管sed1重叠的部分中。第一子透射区str1可以设置在左下区、右下区和中心(或中央)区中。
123.第一驱动电路dr1可以设置在第一显示面板1100的第一外围区域pa1中。第一驱动电路dr1可以与第一子发光二极管sed1重叠。一个第一子像素组spgr1可以与两个第一驱动电路dr1重叠。例如，两个第一驱动电路dr1中的一个可以与设置在第一子像素组spgr1的左上区中的三个第一子发光二极管sed1重叠，并且另一个可以与设置在第一子像素组spgr1的右上区中的三个第一子发光二极管sed1重叠。
124.第二子像素组spgr2可以包括第二子发光二极管sed2和第二子透射区str2。第二子像素组spgr2可以包括多个第二子发光二极管sed2。例如，第二子像素组spgr2可以包括两个红色第二子发光二极管sedr2、两个绿色第二子发光二极管sedg2和两个蓝色第二子发光二极管sedb2。然而，由第二子发光二极管sed2显示的颜色不限于红色、绿色和蓝色，并且可以不同地修改。多个第二子发光二极管sed2可以设置在左下区和右下区中。例如，一个红
色第二子发光二极管sedr2、一个绿色第二子发光二极管sedg2和一个蓝色第二子发光二极管sedb2可以顺序地设置在第二子像素组spgr2的左下区中。另外，在第二子像素组spgr2的右下区中，一个红色第二子发光二极管sedr2、一个绿色第二子发光二极管sedg2和一个蓝色第二子发光二极管sedb2可以被顺序地定位。第二子透射区str2可以设置在不与第二子发光二极管sed2重叠的区域中。第二子透射区str2可以设置在第二子像素组spgr2的左上区、右上区和中心(或中央)区中。
125.第二驱动电路dr2可以设置在第二显示面板1200的第二外围区域pa2中。第二驱动电路dr2可以与第二子发光二极管sed2重叠。一个第二子像素组spgr2可以与两个第二驱动电路dr2重叠。例如，两个第二驱动电路dr2中的一个可以与设置在第二子像素组spgr2的左下区中的三个第二子发光二极管sed2重叠，并且另一个可以与设置在第二子像素组spgr2的右下区中的三个第二子发光二极管sed2重叠。
126.第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2可以彼此完全重叠。在这种情况下，第一子像素组spgr1的第一子发光二极管sed1可以与第二子像素组spgr2的第二子透射区str2重叠。第二子像素组spgr2的第二子发光二极管sed2可以与第一子像素组spgr1的第一子透射区str1重叠。第一子像素组spgr1的第一子发光二极管sed1和第二子像素组spgr2的第二子发光二极管sed2可以彼此不重叠。第一子像素组spgr1的第一子透射区str1和第二子像素组spgr2的第二子透射区str2彼此重叠的部分可以是光基本上被透射的区域。例如，第一显示面板1100和第二显示面板1200可以通过第一子透射区str1和第二子透射区str2的重叠部分被透明地识别。
127.在下文中，将参考图12和图13更详细地描述多个第一子像素组spgr1和多个第二子像素组spgr2的重叠形式。图12示出根据实施例的四个相邻的第一子像素组spgr1和四个相邻的第二子像素组spgr2的重叠状态。图13在根据实施例的分离视图中示出四个相邻的第一子像素组spgr1和四个相邻的第二子像素组spgr2。
128.多个第一子像素组spgr1可以在行方向和列方向上布置，并且多个第一子像素组spgr1中的四个第一子像素组spgr1可以被设置为在上、下、左和右方向上彼此相邻。多个第二子像素组spgr2可以在行方向和列方向上布置，并且多个第二子像素组spgr2中的四个第二子像素组spgr2可以在上、下、左和右方向上彼此相邻设置。四个第一子像素组spgr1和四个第二子像素组spgr2可以彼此完全重叠。
129.第一子像素组spgr1的第一子发光二极管sed1可以与第二子像素组spgr2的第二子透射区str2重叠，并且第二子像素组spgr2的第二子发光二极管sed2可以与第一子像素组spgr1的第一子透射区str1重叠。因此，在第一显示面板1100和第二显示面板1200的重叠部分也可以出现发光。另外，第一显示面板1100和第二显示面板1200可以通过第一子像素组spgr1的第一子透射区str1和第二子像素组spgr2的第二子透射区str2的重叠部分被透明地识别。例如，根据一些实施例的显示装置1001可以发光，而透明的拼接显示装置的多个显示面板的连接部分是透明的。
130.第一子像素组spgr1中的第一子发光二极管sed1的布置和第二子像素组spgr2中的第二子发光二极管sed2的布置可以不同地修改。因此，第一子透射区str1和第二子透射区str2的形状以及第一驱动电路dr1和第二驱动电路dr2的位置可以不同地改变。在下文中，将参考图14至图16更详细地描述第一子发光二极管sed1和第二子发光二极管sed2的各
种布置形式。
131.图14、图15和图16是根据一些实施例的图8的显示装置的一部分的示意性俯视图。图14至图16示出不同的变化。
132.如图14中所示，第一子像素组spgr1可以包括第一子发光二极管sed1和第一子透射区str1。多个第一子发光二极管sed1可以设置在第一子像素组spgr1的左上区和右下区中。第一子发光二极管sed1可以与第一驱动电路dr1重叠。第一子透射区str1可以设置在第一子像素组spgr1的左下区、右上区和中心(或中央)区中。
133.第二子像素组spgr2可以包括第二子发光二极管sed2和第二子透射区str2。多个第二子发光二极管sed2可以设置在第二子像素组spgr2的左下区和右上区中。第二子发光二极管sed2可以与第二驱动电路dr2重叠。第二子透射区str2可以设置在左上区、右下区和中心(或中央)区中。
134.第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2可以彼此完全重叠，并且第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2的形状与图12中示出的重叠形状基本相同。第一子像素组spgr1的第一子发光二极管sed1可以与第二子像素组spgr2的第二子透射区str2重叠，并且第二子像素组spgr2的第二子发光二极管sed2和第一子像素组spgr1的第一子透射区str1可以彼此重叠。第一子像素组spgr1的第一子透射区str1和第二子像素组spgr2的第二子透射区str2彼此重叠的部分可以是光基本上被透射的区域。
135.如图15中所示，第一子像素组spgr1可以包括第一子发光二极管sed1和第一子透射区str1。在多个第一子像素组spgr1的一些中，多个第一子发光二极管sed1可以设置在第一子像素组spgr1的左上区和右下区中，并且在多个第一子像素组spgr1的另一些中，多个第一子发光二极管sed1可以设置在第一子像素组spgr1的左下区和右上区中。第一子发光二极管sed1可以与第一驱动电路dr1重叠。在多个第一子像素组spgr1的一些中，第一子透射区str1可以设置在第一子像素组spgr1的左下区、右上区和中心(或中央)区中，并且在多个第一子像素组spgr1的另一些中，第一子透射区str1可以设置在第一子像素组spgr1的左上区、右下区和中心(或中央)区中。
136.第二子像素组spgr2可以包括第二子发光二极管sed2和第二子透射区str2。在多个第二子像素组spgr2中的一些中，多个第二子发光二极管sed2可以设置在第二子像素组spgr2的左下区和右上区中，并且在多个第二子像素组spgr2中的另一些中，多个第二子发光二极管sed2可以设置在第二子像素组spgr2的左上区和右下区中。第二子发光二极管sed2可以与第二驱动电路dr2重叠。在多个第二子像素组spgr2的一些中，第二子透射区str2可以设置在第二子像素组spgr2的左上区、右下区和中心(或中央)区中，并且在多个第二子像素组spgr2的另一些中，第二子透射区str2可以设置在第二子像素组spgr2的左下区、右上区和中心(或中央)区中。
137.第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2可以彼此完全重叠，并且第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2的形状与图12中示出的重叠形状基本相同。第一子像素组spgr1的第一子发光二极管sed1可以与第二子像素组spgr2的第二子透射区str2重叠，并且第二子像素组spgr2的第二子发光二极管sed2和第一子像素组spgr1的第一子透射区str1可以彼此重叠。第一子像素组spgr1的第一子透射区str1和第二子像素组spgr2的第二子透射区str2彼此重叠的部分可以是光基本上被透射的区域。
138.如图16中所示，第一子像素组spgr1可以包括第一子发光二极管sed1和第一子透射区str1。多个第一子发光二极管sed1可以设置在第一子像素组spgr1的左上区、左下区、右上区和右下区中。第一子发光二极管sed1可以与第一驱动电路dr1重叠。第一子透射区str1可以设置在第一子像素组spgr1的左中心(或中央)区、右中心(或中央)区和中心(或中央)区中。
139.第二子像素组spgr2可以包括第二子发光二极管sed2和第二子透射区str2。多个第二子发光二极管sed2可以设置在第二子像素组spgr2的左中心(或中央)区和右中心(或中央)区中。第二子发光二极管sed2可以与第二驱动电路dr2重叠。第二子透射区str2可以设置在第二子像素组spgr2的左上区、左下区、右上区、右下区和中心(或中央)区中。
140.第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2可以彼此完全重叠，并且第一子像素组spgr1和第二子像素组spgr2的形状与图12中示出的重叠形状基本相同。第一子像素组spgr1的第一子发光二极管sed1可以与第二子像素组spgr2的第二子透射区str2重叠，并且第二子像素组spgr2的第二子发光二极管sed2和第一子像素组spgr1的第一子透射区str1可以彼此重叠。第一子像素组spgr1的第一子透射区str1和第二子像素组spgr2的第二子透射区str2彼此重叠的部分可以是光基本上被透射的区域。
141.尽管本文已经描述了特定实施例和实施方式，但是根据本描述，其他实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施例，而是限于所附权利要求的更宽范围以及对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等同布置。