Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示
目.ο
[0003]OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PM0LED)和有源矩阵型OLED (Active Matrix OLED, AM0LED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有发光二极管自身的电流决定。由于在AMOLED的驱动电路中，驱动薄膜晶体管的阈值电压会随着工作时间而漂移，从而导致OLED的发光不稳定，因此需要采用能够补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的漂移的像素驱动电路。
[0004]图1所示为一种现有的AMOLED像素驱动电路，包括:第二开关薄膜晶体管SW2，其栅极电性连接于第η级第二扫描控制信号gate2(n)，漏极电性连接于数据信号data，源极电性连接于镜像薄膜晶体管MR的源极及第二电容Cst2的一端；镜像薄膜晶体管MR，其栅极经由第一节点D电性连接于驱动薄膜晶体管DR的栅极，漏极电性连接于第一开关薄膜晶体管SWl的漏极，源极电性连接于第二开关薄膜晶体管SW2的源极及第二电容Cst2的一端；第一开关薄膜晶体管SW1，其栅极电性连接于第η级第一扫描控制信号gatel (η)，漏极电性连接于镜像薄膜晶体管MR的漏极，源极电性连接于第一节点D ;预充电薄膜晶体管PC，其栅极与源极均电性连接于第η-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)，漏极电性连接于第一节点D ;驱动薄膜晶体管DR，其栅极经由第一节点D电性连接于镜像薄膜晶体管MR的栅极，漏极电性连接于接地电位GND，源极电性连接于有机发光二极管OLED的阴极；第一电容Cstl的一端电性连接于第一节点D，另一端电性连接于接地电位GND ;第二电容Cst2的一端电性连接于第二开关薄膜晶体管SW2的源极及镜像薄膜晶体管MR的源极，另一端电性连接于接地电位GND ;有机发光二极管OLED的阳极电性连接于电源电压VDD，阴极电性连接于驱动薄膜晶体管DR的源极。图2所示为对应于图1电路的时序图，该电路的补偿过程依次包括预充电Pre-charge阶段、数据写入Program阶段、复位Restore阶段、及驱动发光Drive阶段，其中，在复位Restore阶段，驱动薄膜晶体管DR与镜像薄膜晶体管MR的栅极电位Vg相等，数据信号data需要恢复至接地电位GND来拉低镜像薄膜晶体管MR的源极电位Vs，使得镜像薄膜晶体管MR的栅源极电压与驱动薄膜晶体管DR的栅源极电压相等，进一步使得镜像薄膜晶体管MR与驱动薄膜晶体管DR所受到的电压应力大小与时间均相近，阈值电压漂移也相近，所以能够使用镜像薄膜晶体管MR代替驱动薄膜晶体管DR来探测阈值电压，补偿驱动薄膜晶体管DR的阈值电压漂移对电路的影响。如图3所示，该现有的AMOLED像素驱动电路使用恢复数据信号data至接地电位GND的方式来实现镜像薄膜晶体管MR与驱动薄膜晶体管DR的栅源极电压应力接近，但这种方式会缩短数据信号data的充电时间。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，在保证镜像薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管的栅源极电压应力接近的条件下，能够简化数据信号，增加数据信号的充电时间，实现面板的正常驱动。
[0006]本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够保证镜像薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管的栅源极电压应力接近，同时简化数据信号，增加数据信号的充电时间，实现面板的正常驱动。
[0007]为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED像素驱动电路，包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；
[0008]所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第η级第二扫描控制信号，漏极电性连接于数据信号，源极电性连接于第三薄膜晶体管的源极及第一电容的一端；
[0009]所述第三薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第四薄膜晶体管的栅极，漏极电性连接于第一薄膜晶体管的漏极，源极电性连接于第六薄膜晶体管的源极及第一电容的一端;
[0010]所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第η级第一扫描控制信号，漏极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极，源极电性连接于第一节点；
[0011]所述第五薄膜晶体管的栅极与源极均电性连接于第η-1级第二扫描控制信号，漏极电性连接于第一节点；
[0012]所述第四薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第三薄膜晶体管的栅极，漏极电性连接于接地电位，源极电性连接于有机发光二极管的阴极；
[0013]所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于复位信号，源极电性连接于第三薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的漏极及接地电位；
[0014]所述第一电容的一端电性连接于第六薄膜晶体管的源极及第三薄膜晶体管的源极，另一端电性连接于接地电位；
[0015]所述第二电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于接地电位；
[0016]所述有机发光二极管的阳极电性连接于电源电压，阴极电性连接于第四薄膜晶体管的源极；
[0017]所述复位信号按照时序提供高、低交替电位，控制所述第三薄膜晶体管的源极电位是否被拉低至接地电位。
[0018]所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
[0019]所述第三与第四薄膜晶体管呈对称设置，且二者的沟道宽度相近；所述第四薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管为镜像薄膜晶体管。
[0020]所述复位信号为第n+1级第一扫描控制信号。
[0021]所述数据信号、第η级第二扫描控制信号、第η级第一扫描控制信号、第η_1级第二扫描控制信号、及复位信号相组合，先后对应于预充电阶段、数据写入阶段、及驱动发光阶段；所述驱动发光阶段的初始为复位阶段；
[0022]在所述复位阶段，所述复位信号提供高电位，所述第二薄膜晶体管导通，第三薄膜晶体管的源极电位被拉低至接地电位，使得第三与第四薄膜晶体管的栅源极电压相等；在其它阶段，所述复位信号均提供低电位。
[0023]在所述预充电阶段，所述数据信号为低电位，第η级第二扫描控制信号为低电位，第η级第一扫描控制信号为低电位，第η-1级第二扫描控制信号为高电位，复位信号为低电位；
[0024]在所述数据写入阶段，所述数据信号为高电位，第η级第二扫描控制信号为高电位，第η级第一扫描控制信号为高电位，第η-1级第二扫描控制信号为低电位，复位信号为低电位；
[0025]在所述驱动发光阶段初始的复位阶段，所述数据信号为低电位，第η级第二扫描控制信号为低电位，第η级第一扫描控制信号为低电位，第η-1级第二扫描控制信号为低电位，复位信号为高电位；
[0026]在所述复位阶段之后的驱动发光阶段，所述数据信号为低电位，第η级第二扫描控制信号为低电位，第η级第一扫描控制信号为低电位，第η-1级第二扫描控制信号为低电位，复位信号为低电位。
[0027]本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤:
[0028]步骤1、提供一 AMOLED像素驱动电路；
[0029]所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；