一种用于高分辨率amoled的像素补偿电路的制作方法

文档序号:8362579阅读:227来源:国知局
一种用于高分辨率amoled的像素补偿电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机发光二极管显示器,尤其涉及一种用于高分辨率主动矩阵有机发光二极管显不器(Active Matrix Organic Light Emitting D1de,AMOLED)的像素补偿电路。
【背景技术】
[0002]近年来,常规的显示器已逐渐被便携式薄平板显示器所取代。由于有机或无机发光显示器可提供宽视角和良好的对比度,且具有快速的响应速度,因而有机或无机发光显示器这些自发光型的显示器比其它平板显示器具有更多的优势。这样,有机或无机发光显示器作为下一代显示器已引起人们的广泛关注,特别是包括由有机材料形成了发光层的有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de,OLED)显示器在提供彩色图像的同时,相比无机发光显示器具有更高的亮度、更低的驱动电压及更快的响应时间。
[0003]一般来说,OLED显示器依驱动方式可分为被动矩阵驱动(Passive Matrix OLED,PM0LED)和主动矩阵驱动(Active Matrix 0LED,AM0LED)两种。其中,PMOLED显示器是当数据未写入时并不发光,只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计,主要适用于中小尺寸的显示器。对于AMOLED显示器,该像素阵列的每一像素都有一电容存储数据,让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED显示器的耗电量明显小于PMOLED显示器,加上驱动方式更适合发展大尺寸与高解析度的显示器,使得AMOLED显示器成为未来发展的主要方向。
[0004]在现有技术中,对于具有低温多晶娃薄膜晶体管(Low TemperaturePolycrystalline Silicon Thin Film Transistor, LTPS-TFT)的 AMOLED 来说,其在屏幕的封装过程中,利用准分子激光源产生能量均匀分布的激光束,投射于非晶硅结构的玻璃基板上,使其转变为多晶硅结构。相对于非晶硅薄膜晶体管技术,采用LTPS-TFT技术的AMOLED分辨率更高、响应速度更快、亮度更高、对比度更高、可视角度更广、色彩饱和度更高、功耗更低。然而,LTPS-TFT的开关阈值电压(threshold voltage)及载子迀移率(mobility)在不同像素间的变异会导致流经有机发光二极管的发光电流不均匀。此外,随着有机发光二极管的老化,其导通电压会随着操作时间的延长而增加,并且发光效率出现下降等不良情形。
[0005]有鉴于此,如何设计一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路,以消除现有技术中的上述诸多缺陷,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

【发明内容】

[0006]针对现有技术中的用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路所存在的上述缺陷,本发明提供了一种新颖的、可在补偿时间不受面板解析度限制的前提下进而补偿LTPS-TFT的开关阈值电压变异所造成的电流不均匀现象的像素补偿电路。
[0007]依据本发明的一个方面,提供了一种用于高分辨率主动矩阵有机发光二极管显示器的像素补偿电路,包括:
[0008]—第一开关,具有一第一端、一第二端和一控制端,所述第一开关的控制端用以接收一第一扫描信号,所述第一开关的第二端电性耦接至一数据电压;
[0009]—第二开关,具有一第一端、一第二端和一控制端,所述第二开关的控制端用以接收一第二扫描信号,所述第二开关的第二端电性耦接至一参考电压,所述第二开关的第一端电性耦接至所述第一开关的第一端;
[0010]—第三开关,具有一第一端、一第二端和一控制端,所述第三开关的控制端用以接收所述第二扫描信号,所述第三开关的第二端电性耦接至所述参考电压;
[0011]一第四开关,具有一第一端、一第二端和一控制端,所述第四开关的控制端用以接收一第三扫描信号,所述第四开关的第二端电性耦接至所述第三开关的第一端;
[0012]一第五开关,具有一第一端、一第二端和一控制端,所述第五开关的控制端用以接收所述第三扫描信号,所述第五开关的第二端电性耦接至一第一电压;
[0013]一第六开关,具有一第一端、一第二端和一控制端,所述第六开关的控制端电性耦接至所述第一开关的第一端,所述第六开关的第一端电性耦接至所述第五开关的第一端,所述第六开关的第二端电性耦接至所述第三开关的第一端;
[0014]—第一电容,具有一第一端和一第二端,所述第一电容的第一端电性親接至所述第六开关的控制端,所述第一电容的第二端电性耦接至所述第六开关的第一端;
[0015]一第二电容,具有一第一端和一第二端,所述第二电容的第一端电性耦接至所述第一电容的第二端及所述第六开关的第一端,所述第二电容的第二端电性耦接至所述参考电压;以及
[0016]一有机发光二极管,其阳极电性耦接至所述第四开关的第一端,其阴极电性耦接至一第二电压,该第二电压小于该第一电压。
[0017]在其中的一实施例,所述第一开关至所述第六开关均为P型薄膜晶体管。
[0018]在其中的一实施例,所述第一扫描信号、所述第二扫描信号以及所述第三扫描信号的时序组合依次对应于一补偿期间、一数据写入期间以及一点亮期间。
[0019]在其中的一实施例,于所述补偿期间,所述第一扫描信号和所述第三扫描信号均为一高电平信号,所述第二扫描信号为一低电平信号。
[0020]在其中的一实施例,所述第一开关、所述第四开关和所述第五开关均处于关断状态,所述第二开关、所述第三开关和所述第六开关均处于开通状态。
[0021]在其中的一实施例,于所述数据写入期间,所述第一扫描信号为一低电平信号,所述第二扫描信号和所述第三扫描信号均为一高电平信号。
[0022]在其中的一实施例,所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关和所述第五开关均处于关断状态,所述第一开关和所述第六开关均处于开通状态。
[0023]在其中的一实施例,于所述点亮期间,所述第一扫描信号和所述第二扫描信号均为一高电平信号,所述第三扫描信号为一低电平信号。
[0024]在其中的一实施例,所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关均处于关断状态,所述第四开关、所述第五开关和所述第六开关均处于开通状态。
[0025]在其中的一实施例,流经所述有机发光二极管的电流Imd满足如下关系式:
[0026]1led= K [ (C2/C1+C2) (Vref-Vdata) ] 2
[0027]其中K为常数,Cl为所述第一电容数值,C2为所述第二电容数值,Vref为所述参考电压值,Vdata为所述数据电压值。
[0028]采用本发明的用于高分辨率主动矩阵有机发光二极管显示器的像素补偿电路,其第一开关的控制端接收一第一扫描信号且第二端电性耦接至一数据电压,第二开关的控制端接收一第二扫描信号,第三开关的控制端接收第二扫描信号,第四开关的控制端接收一第三扫描信号,第五开关的控制端接收第三扫描信号且第二端电性耦接至一第一电压,第六开关的控制端电性耦接至第一开关的第一端,第一电容的第一端电性耦接至第六开关的控制端且第二端电性耦接至第六开关的第一端,第二电容的第一端电性耦接至第一电容的第二端。相比于现有技术,本发明提供了一种“6T2C”(S卩,包括六个开关和两个电容)的像素补偿电路,在补偿时间不受面板分辨率限制的前提下,可补偿开关管的阈值电压变异造成的电流不均匀性,还可补偿因第一电压的直流阻抗降低而产生的图像老化及串扰(crosstalk)情形,并且防止画面有闪烁的现象,进而提高整个画面的对比度。
【附图说明】
[0029]
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