A的电位维持低电平，从端子120输出低电平的电位。
[0123]在时刻t2，时钟信号(CKA)为低电平，时钟信号(CKB)为高电平，通过栅极线13G(n-1)将置位信号(S)输入到端子111、112。由此，TFT-B为导通状态，netA被充电为高电平。另外，TFT-J为导通状态，TFT-G为导通状态，TFT-H为截止状态，因此netB维持为低电平的状态。TFT-C和TFT-F为截止状态，因此netA的电位维持而不会下降。在此期间，TFT-D为导通状态，因此从端子120输出低电平的电位。
[0124]在时刻t3，时钟信号(CKA)为高电平，时钟信号(CKB)为低电平，则TFT-F为导通状态，TFT-D为截止状态。在netA与端子120之间设有电容器Cbst，因此随着TFT-F的端子116的电位上升，netA被充电到比时钟信号(CKA)的高电平更高的电位为止。在此期间，TFT-G和TFT-J为截止状态，TFT-H为导通状态，因此netB的电位维持低电平。TFT-C为截止状态，因此netA的电位不会下降，从端子120输出时钟信号(CKA)的高电平的电位。由此，与端子120连接的栅极线13G (η)被充电到高电平，成为被选择的状态。
[0125]在时刻t4，时钟信号(CKA)为低电平，时钟信号(CKB)为高电平，则TFT-G为导通状态，TFT-H为截止状态，因此netB被充电为高电平。由此TFT-C为导通状态，netA被充电为低电平。在此期间，TFT-D为导通状态，TFT-F为截止状态，因此从端子120输出低电平的电位，栅极线13G(n)被充电为低电平。
[0126]这样，从栅极驱动器11的端子120对栅极线13G输出置位信号(S)，由此该栅极线13为被选择的状态。在液晶显示装置I中，由与栅极线13G连接的栅极驱动器11依次扫描栅极线13G，由源极驱动器3对源极线15S提供数据信号，由此使显示面板2显示图像。
[0127]接下来，说明在有源矩阵基板20a中未设有栅极驱动器11的像素区域(以下称为栅极驱动器非设置区域)。图11是将图4B所示的有源矩阵基板20a简化的示意图。图11中的虚线框200表示显示区域与显示区域外的边界。
[0128]如上所述，一个栅极驱动器11跨越同一行的多个像素而形成。如图6A?6C所示，栅极驱动器群中的各栅极驱动器11的栅极驱动器设置区域在X轴方向上的宽度是相同的。将配置有构成一个栅极驱动器11的元件和对元件提供控制信号的配线15L1的像素区域称为栅极驱动器设置区域。
[0129]在图11的例子中，栅极驱动器群IlA的栅极驱动器设置区域与栅极驱动器群IlB的栅极驱动器设置区域之间隔开固定的距离L。同样，在栅极驱动器群IlB的栅极驱动器设置区域与栅极驱动器群IlC的栅极驱动器设置区域之间、栅极驱动器群IlC的栅极驱动器设置区域与栅极驱动器群IlD的栅极驱动器设置区域之间也隔开固定的距离L。此外，在该例子中，示出了栅极驱动器设置区域间的距离固定的例子，但是栅极驱动器设置区域间的距离也可以不是固定的。
[0130]图12示出了将配置有图11所示的栅极驱动器群IlB和栅极驱动器群IlC的部分放大的图。栅极驱动器群IlB与栅极驱动器群IlC之间的区域是栅极驱动器非设置区域。在栅极驱动器群IlB和栅极驱动器群IlC的栅极驱动器设置区域设有构成栅极驱动器11的元件和配线15L1，因此栅极驱动器设置区域的开口率比栅极驱动器非设置区域低。当栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间的开口率的差大时，就会产生肉眼可见的亮度差，导致显示不均匀。
[0131]在本实施方式中，为了使栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间的亮度差难以视觉识别，调整栅极驱动器非设置区域的开口率以使栅极驱动器非设置区域的开口率分段地变化。具体地说，根据栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差而在栅极驱动器非设置区域的一部分的像素区域(以下，调整区域)设置用于调整开口率的调整用配线(开口率调整构件)。
[0132]图13是表示进行了栅极驱动器非设置区域的开口率的调整的情况下的栅极驱动器非设置区域的开口率变化的图。如图13所示，栅极驱动器非设置区域的调整区域的开口率变化的斜率(开口率的一次微分)在调整区域的大致中间位置PO处最大。另外，在栅极驱动器设置区域附近Pl和栅极驱动器非设置区域中不进行开口率调整的区域(以下称为非调整区域)附近P2处，开口率变化的斜率最小。开口率变化的斜率是根据栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差和调整区域的宽度而决定的。
[0133]图14是示出开口率的差与调整区域的宽度的关系的图。在图14中，在栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差例如为10%的情况下，调整区域的宽度优选为60mm程度，在20 %的情况下优选为I 1mm程度。也就是说，优选构成为栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差越大，则调整区域的宽度越大。
[0134]在图12的例子中，说明了在栅极驱动器群IlB与栅极驱动器群IlC之间的栅极驱动器非设置区域中，将区域SI和S2以及区域S4和S5分别设为调整区域，将区域S3设为非调整区域来调整开口率的情况。
[0135]图15A是举例示出图12所示的区域SI和S5中的一部分的像素区域的示意图。在图15A中省略了遮光区域BM的图示。如图15A中举例所示，在区域SI和S5的像素区域中形成有与源极线15S大致平行的调整用配线15L3。调整用配线15L3与配线15L1同样，是在形成源极配线层15的过程中同时形成的。配线15L3位于像素区域的X轴方向的宽度的大致中心，以跨于上下(y轴方向)的像素区域的方式形成。在像素区域中，调整用配线15L3具有像素区域的y轴方向上的宽度Iyl的长度。因此，由于调整用配线15L3，在区域SI和S5中的像素区域中，与不设置调整用配线15L3的情况相比开口率降低。
[0136]图15B是举例示出图12所示的区域S2和S4中的一部分的像素区域的示意图。在图15B中省略了遮光区域BM的图示。如图15B举例所示，在区域S2和S4的像素区域中形成有与源极线15S大致平行的调整用配线15L4。调整用配线15L4与调整用配线15L3同样，在形成源极配线层15的过程中同时形成。调整用配线15L4与调整用配线15L3同样，位于各像素区域的X轴方向上的宽度的大致中心，以跨于上下(y轴方向)的像素区域的方式形成，而其长度为Ly2比调整用配线15L3短。调整用配线15L4和调整用配线15L3在X轴方向上的宽度大致相等。因此，在区域S2和S4中的像素区域中，由于调整用配线15L4，与不设置调整用配线15L4的情况相比开口率降低，而与区域SI和S5相比开口率变高。
[0137]此外，本实施方式是调整用配线15L3与调整用配线15L4的X轴方向上的宽度大致相同，y轴方向上的长度不同的例子，但是不限于此，只要设定调整用配线15L3、15L4的宽度和长度以成为如图13所示的开口率那样即可。
[0138]图15C是举例示出图12所示的区域S3中的一部分的像素区域的示意图。在图15C中省略了遮光区域BM的图示。如图15C举例示出的那样，在区域S3的像素区域中不设置调整用配线。因此，在显示区域中，区域S3中的像素区域的开口率在显示区域中最大(Kmax)。
[0139]在图12的例子中，说明了栅极驱动器群IlB与栅极驱动器群IlC之间的栅极驱动器非设置区域的开口率的调整，在图11中，栅极驱动器群IlA与栅极驱动器群IlB之间的栅极驱动器非设置区域、栅极驱动器群IlC与栅极驱动器群IlD之间的栅极驱动器非设置区域与上述同样地分别设有调整用配线15L3、15L4。另外，在图11中，在栅极驱动器群IlA的栅极驱动器设置区域与显示区域外的边界200间、栅极驱动器群IlD的栅极驱动器设置区域与显示区域外的边界200之间的栅极驱动器非设置区域中也基于图13所示的表示开口率变化的曲线设置调整用配线。
[0140]在图12的例子中，为了方便而说明了在区域SI和S2以及区域S4和S5中设置调整用配线，在栅极驱动器非设置区域中使开口率按3段变化的例子，但是只要将栅极驱动器非设置区域中的调整区域分割，设定每个分割的区域中像素区域的调整用配线所占的比例，从而实现图13所示的调整区域的开口率变化即可。简而言之，只要在栅极驱动器非设置区域的一部分设有调整用配线，使得栅极驱动器非设置区域的开口率随着靠近栅极驱动器设置区域而平滑变化为栅极驱动器设置区域的开口率即可。
[0141]这样，在有源矩阵基板20a中，在栅极驱动器非设置区域的一部分的像素区域中按与栅极驱动器设置区域和栅极驱动器非设置区域的开口率的差相应的比例设置调整用配线，由此能使开口率不会在栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间急剧变化，能使显示区域中的亮度差变小。其结果是与不设置调整用配线的情况相比，能减少将栅极驱动器11配置在显示区域内造成的显示不均匀。
[0142]此外，上述例子是在栅极驱动器非设置区域的一部分的像素区域中设有包括源极配线层15的调整用配线15L3、15L4的例子，但是调整用配线也可以由栅极配线层13构成。简而言之，调整用配线只要使用形成于有源矩阵基板20a的配线中的不使光透过的配线来构成即可。
[0143]<第2实施方式>
[0144]在上述第I实施方式中，说明了在栅极驱动器非设置区域按与栅极驱动器非设置区域和栅极驱动器设置区域之间的开口率差相应的比例设置调整用配线的例子。在本实施方式中，说明利用相对基板20b的黑矩阵BM(开口率调整构件)来调整栅极驱动器非设置区域的像素区域的开口率的例子。以下，以上述的图12为例说明本实施方式的开口率的调整。
[0145]如上述的图7和图9A?9F所示，栅极驱动器设置区域中的各像素区域被遮光区域BM遮光。在图7和图9A?9F中，遮光区域BM包括栅极线13G、源极线15S、除了配线15L1的一部分以外的构成栅极驱动器11的元件以及TFT-PIX。另一方面，栅极驱动器非设置区域中的像素区域未设置构成栅极驱动器11的元件和配线15L1。因此，在栅极驱动器非设置区域中不调整开口率的情况下，在相对基板20b中形成黑矩阵BM从而利用图16所示的遮光区域BMO对栅极驱动器非设置区域的像素区域进行遮光。如图16所示，栅极驱动器非设置区域的遮光区域BMO包括栅极线13G、源极线15S和TFT-PIX，开口部SO比栅极驱动器设置区域的像素区域大。也就是说，栅极驱动器非设置区域未设置栅极驱动器11，而且使遮光区域BMO所占的比例小于栅极驱动器设置区域，因此开口率大于栅极驱动器设置区域。其结果是，在显示区域中，会在栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间产生亮度差，发生显示不均匀。
[0146]在本实施方式中，为了使栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间的亮度差不容易被视觉识别，调整栅极驱动器非设置区域的像素区域中遮光区域BM所占的比例，使得在栅极驱动器非设置区域中开口率分段地变化。也就是说，改变遮光区域BM占栅极驱动器非设置区域的像素区域的比例，使得栅极驱动器非设置区域的开口率变化成为如用上述图13所示的曲线表示的开口率的变化。
[0147]图17A是举例示出图12所示的区域SI和S5中的一部分的像素区域的示意图。区域SI和S5的像素区域被形成于相对基板20b的黑矩阵在遮光区域BMl中遮光。遮光区域BMl与图16所示的遮光区域BMO相比，涉及像素区域中在X轴方向上土 Δ Ixl，在y轴方向上土 Δ Iyl的内侧范围。也就是说，区域SI和S5的像素区域的开口部SI与图16所示的像素区域的开口部SO相比小了斜线部分的量，开口率降